BIST电路在嵌入式非易失性存储器可靠性测试中的应用

最近的调查发现,存储器测试的重点都放在了故障测试而忽略了可靠性测试。这里简单介绍BIST故障测试,增加了详细的可靠性测试并得到了实验数据,包括DRB(数据保持),耐久性(擦/写循环),HTOL(高温操作寿命),LTOL(低温操作寿命)。基于存储器可靠性测试的目的,采用了BIST测试的方法,通过一些列的可靠性测试实验,得出在电压为负时进行读“1”操作,电压越正失效的位数越少;在电压为正时进行读“0”操作,电压越小失效位数越少。随着电压增大,失效位数达到峰值。