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射频磁控溅射制备c轴取向LiNbO_3薄膜研究
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作者 安玉凯 左长云 刘技文 《天津理工大学学报》 2011年第4期1-4,共4页
采用射频磁控溅射技术,用富Li的LiNbO3靶材在Si(100)和Si(111)基底上制备了LiNbO3薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对LiNbO3薄膜的结晶程度、晶体取向和表面形貌及薄膜与基底结合处的界面结构进... 采用射频磁控溅射技术,用富Li的LiNbO3靶材在Si(100)和Si(111)基底上制备了LiNbO3薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对LiNbO3薄膜的结晶程度、晶体取向和表面形貌及薄膜与基底结合处的界面结构进行了研究.结果表明:样品在空气中经1 000℃退火1 h处理后,薄膜与Si基底界面处有SiO2生成,得到的LiNbO3薄膜结晶性好,具有高c轴取向,晶粒排列致密且粒径尺寸均匀. 展开更多
关键词 LiNbO3薄膜 C轴取向 射频磁控溅射
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基于建构主义的电磁学网络课程辅助教学模式 被引量:5
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作者 安玉凯 钱小陵 《首都师范大学学报(社会科学版)》 2002年第S1期83-86,169,共5页
网络课程是一种新的教学模式 ,它具有传统教学许多不可比拟的优势 ,本文从建构主义教学设计理论出发 ,分析了网络课程辅助教学模式在学习中的应用 ,并指出其优点和缺陷。
关键词 建构主义 网络课程 自主学习 科学探究
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Fe掺杂In_2O_3薄膜的微结构与磁、输运性能 被引量:3
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作者 陈艳红 冯德强 +4 位作者 吴华阳 张浩 孙会杰 刘技文 安玉凯 《天津理工大学学报》 2012年第3期14-17,共4页
采用磁控溅射方法制备Fe掺杂In2O3基稀磁半导体(DMS)薄膜.通过XRD、XPS和XANES分析,确定Fe掺杂In2O3薄膜中没有出现Fe团簇以及Fe的氧化物第二相,Fe元素是以Fe2+和Fe3+的形式共同存在.通过输运特性ρ-T和HALL分析确定Fe掺杂In2O3薄膜的... 采用磁控溅射方法制备Fe掺杂In2O3基稀磁半导体(DMS)薄膜.通过XRD、XPS和XANES分析,确定Fe掺杂In2O3薄膜中没有出现Fe团簇以及Fe的氧化物第二相,Fe元素是以Fe2+和Fe3+的形式共同存在.通过输运特性ρ-T和HALL分析确定Fe掺杂In2O3薄膜的载流子浓度约4×1018cm-3,且Fe的掺杂并未改变In2O3的半导体属性.SQUID磁性测试显示Fe掺杂In2O3样品具有明显的室温铁磁性,铁磁性可以由束缚磁极子模型或双交换机制来解释. 展开更多
关键词 FE掺杂 In2O3薄膜 微结构 磁性
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新型低碳Cr-Mo系合金钢淬火态的金相组织研究 被引量:1
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作者 齐菲 田华 +2 位作者 赵捷 安玉凯 刘技文 《天津理工大学学报》 2009年第6期42-45,共4页
对新型低碳Cr-Mo系合金钢轧态试样采用不同淬火工艺进行热处理,并利用金相显微镜、扫描电子显微镜研究了淬火工艺对试验钢显微组织的影响规律.结果表明:随淬火加热温度的升高以及保温时间的延长,金相组织发生粗化.最佳的淬火工艺为:加热... 对新型低碳Cr-Mo系合金钢轧态试样采用不同淬火工艺进行热处理,并利用金相显微镜、扫描电子显微镜研究了淬火工艺对试验钢显微组织的影响规律.结果表明:随淬火加热温度的升高以及保温时间的延长,金相组织发生粗化.最佳的淬火工艺为:加热到920℃保温30 min后水淬,得到的组织为低碳马氏体,且均匀、细小,晶粒度达到8.5级以上,可获得的优异强韧性. 展开更多
关键词 Cr-Mo系低合金钢 淬火 金相组织 晶粒度
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Dominance of Antinodal Quasiparticles on the Transport Properties of Heavily Overdoped High-Tc Cuprates: Infrared-Reflectance Spectra
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作者 马永昌 赵捷 +1 位作者 安玉凯 刘技文 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2009年第2期236-239,共4页
The infrared reflectance spectrum up to 2500cm^-1 for heavily overdoped T1-2201 at 300 K has been analysed under the semiclassical approximation. In this approach, we use two independent sets of parameters to fit the ... The infrared reflectance spectrum up to 2500cm^-1 for heavily overdoped T1-2201 at 300 K has been analysed under the semiclassical approximation. In this approach, we use two independent sets of parameters to fit the reflectance: the momentum-dependent Fermi velocity vk and the momentum-dependent scattering rate τ^-1 (εk ). Unlike the case at optimal doping in which the transport properties are dominated by the nodal quasi-particles (QPs), both the lifetime and the Fermi velocity of the QPs in the antinodal region near the Fermi surface increase remarkably for the heavily overdoped samples. Our fitting results indicate that the antinodal QPs tend to dominate the transport properties in heavily overdoped high-Tc cuprates. 展开更多
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衬底温度对反应溅射TiN_x薄膜结构与电阻率的影响 被引量:4
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作者 安玉凯 刘雅泉 刘技文 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期213-216,共4页
采用反应磁控溅射方法,在不同Si(100)衬底温度下,制备出了TiNx薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对TiNx薄膜的物相、微观结构进行了表征,采用电子能谱仪(EDS)测定了TiNx薄膜的成分,运用四探针测试仪测量了TiNx薄膜的电阻率... 采用反应磁控溅射方法,在不同Si(100)衬底温度下,制备出了TiNx薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对TiNx薄膜的物相、微观结构进行了表征,采用电子能谱仪(EDS)测定了TiNx薄膜的成分,运用四探针测试仪测量了TiNx薄膜的电阻率,研究了衬底温度对溅射TiNx薄膜结构与电阻率的影响。研究结果表明:衬底温度从室温升高到600℃时,随着温度升高,TiNx薄膜的(111)晶面衍射峰逐渐增强,500℃后减弱;(200)晶面衍射峰在300℃时最强,之后减弱。随着衬底温度的升高,TiNx薄膜的晶粒逐渐增大,300℃达最大后减小。随着衬底温度升高,TiNx薄膜的N/Ti原子含量比降低,200℃时降到最低为0.99,随后升高,500℃时最高为1.34,随后再次降低。N/Ti原子含量比与薄膜电阻率呈明显反比变化。 展开更多
关键词 TiNx薄膜 反应磁控溅射 N/Ti原子含量比 电阻率
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LiNbO_3/SiO_2/Si薄膜的蓝光发射 被引量:1
7
作者 刘技文 刘莹 +3 位作者 张澎丽 赵捷 马永昌 安玉凯 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1063-1066,共4页
采用射频磁控溅射方法制备了LiNbO3/SiO2/Si薄膜。通过X射线衍射(XRD)、电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)和傅立叶变换红外吸收光谱(FT-IR)对薄膜的物相、晶体取向和成分进行了表征。采用荧光分光光度计研究了LiNbO3/SiO2/Si薄膜的光致发... 采用射频磁控溅射方法制备了LiNbO3/SiO2/Si薄膜。通过X射线衍射(XRD)、电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)和傅立叶变换红外吸收光谱(FT-IR)对薄膜的物相、晶体取向和成分进行了表征。采用荧光分光光度计研究了LiNbO3/SiO2/Si薄膜的光致发光。研究结果表明:在280 nm激发光的激发下,LiNbO3/SiO2/Si薄膜在室温下发射470 nm的蓝光,来源于LiNbO3薄膜与SiO2层界面处自捕获激子的辐射复合,发现在SiO2/Si薄膜上生长LiNbO3薄膜调制SiO2/Si薄膜的发光机制。 展开更多
关键词 LiNbO3/SiO2/Si薄膜 SiO2层 光致发光
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Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的磁与电阻率特性 被引量:2
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作者 李响 安玉凯 +3 位作者 肖庆 段岭申 吴忠华 刘技文 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1038-1041,共4页
采用射频磁控溅射法制备了不同Co掺杂浓度的SiC薄膜。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、Hall以及电阻率-温度(-ρT)曲线测试结果表明,Co掺杂SiC薄膜具有4H-SiC(100)晶体结构和典型的半导体导电特征,未发现Co金属团簇以及其它CoSi... 采用射频磁控溅射法制备了不同Co掺杂浓度的SiC薄膜。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、Hall以及电阻率-温度(-ρT)曲线测试结果表明,Co掺杂SiC薄膜具有4H-SiC(100)晶体结构和典型的半导体导电特征,未发现Co金属团簇以及其它CoSi第二相化合物生成,显示了Co原子以替位掺杂的形式进入了SiC晶格;电流-电压(I-V)特性测试发现,Co掺杂SiC薄膜是一种非均匀掺杂;PPMS磁性测量表明,Co掺杂SiC薄膜具有明显的室温铁磁性,饱和磁化强度随着Co掺杂浓度的增加而增加,其铁磁性的来源符合缺陷机制的束缚磁极子(BMP)机制。 展开更多
关键词 SIC 稀磁半导体(DMS) CO掺杂 铁磁性
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La_(0.8)Ca_(0.2)MnO_3/SrTiO_3薄膜厚度对其结构及磁学性能的影响 被引量:1
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作者 张红娣 安玉凯 +4 位作者 麦振洪 高炬 胡凤霞 王勇 贾全杰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期5347-5352,共6页
采用多种X射线衍射技术和磁电阻测量技术研究了不同厚度的La0.8Ca0.2MnO3/SrTiO3(LCMO/STO)薄膜的应变状态及其对磁电阻性能的影响.结果表明,在STO(001)单晶衬底上生长的LCMO薄膜沿[00l]取向生长·LCMO薄膜具有伪立方钙钛矿结构,随... 采用多种X射线衍射技术和磁电阻测量技术研究了不同厚度的La0.8Ca0.2MnO3/SrTiO3(LCMO/STO)薄膜的应变状态及其对磁电阻性能的影响.结果表明,在STO(001)单晶衬底上生长的LCMO薄膜沿[00l]取向生长·LCMO薄膜具有伪立方钙钛矿结构,随着薄膜厚度的增加,面内晶格参数增加,垂直于面内的晶格参数减小,晶格参数a和b相近,略小于c·LCMO薄膜内处于应变状态,由于薄膜与衬底的晶格失配,LCMO面内受到拉应力,垂直于面内受到了压应力·LCMO薄膜在qz方向存在轻微的镶嵌结构,并且在qz方向LCMO薄膜与STO衬底存在约0.1°的取向差.薄膜的磁电阻与薄膜的应变状态密切相关,随着薄膜厚度的增加,磁电阻减小. 展开更多
关键词 X射线衍射 微结构 应变 物理性能
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Co掺杂SiC薄膜的紫外光敏特性 被引量:2
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作者 赵兴亮 安玉凯 刘技文 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1199-1201,共3页
采用射频磁控溅射技术和复合靶材的方法,在p型单晶Si衬底上制备SiC薄膜及Co掺杂SiC薄膜。在真空度为1.0×10-4Pa、温度为1 200℃条件下,保温1 h进行晶化处理。通过X射线衍射(XRD)、X射线能量色散谱(EDX)、霍尔测量和紫外激光器等对... 采用射频磁控溅射技术和复合靶材的方法,在p型单晶Si衬底上制备SiC薄膜及Co掺杂SiC薄膜。在真空度为1.0×10-4Pa、温度为1 200℃条件下,保温1 h进行晶化处理。通过X射线衍射(XRD)、X射线能量色散谱(EDX)、霍尔测量和紫外激光器等对薄膜的晶体结构、Co掺杂浓度、载流子浓度、导电类型及光敏特性等进行测试。结果表明,SiC薄膜为6H型晶体结构,Co掺杂后SiC薄膜的导电类型由n型转变为p型,载流子浓度比未掺杂的高2个数量级,对紫外光灵敏度是未掺杂的2倍,光照响应时间比未掺杂的缩短1/3。 展开更多
关键词 SIC薄膜 CO掺杂 射频磁控溅射 紫外光敏特性
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SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维的制备和场发射性能研究 被引量:1
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作者 鲁博 刘技文 +2 位作者 刘雅泉 安玉凯 马永昌 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期628-631,共4页
采用阵列碳纳米管作为模板制备出了SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维(以下称SiC纳米纤维),并对其晶体结构、形貌和精细结构使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)进行了表征。比较了SiC纳米纤维和碳纳米... 采用阵列碳纳米管作为模板制备出了SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维(以下称SiC纳米纤维),并对其晶体结构、形貌和精细结构使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)进行了表征。比较了SiC纳米纤维和碳纳米管模板的场发射性能,研究了SiC纳米纤维直径的变化对其绝对场增强因子的影响。结果表明:SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维具有特殊的"树状"结构,顶端及"树枝"中分布着大量的SiC纳米晶粒。SiC纳米晶粒以及特殊的分支结构增强了SiC纳米纤维的场发射性能,开启场强低至1.1V/μm,仅为相同直径碳纳米管模板的1/2。随着SiC纳米纤维直径的减小,绝对场增强因子β0呈明显增大趋势。 展开更多
关键词 SIC 纳米纤维 场发射性能
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非晶态SiO_2过渡层对生长C轴取向LiNbO_3薄膜的影响
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作者 肖庆 安玉凯 +4 位作者 李响 许丽丽 吴一晨 段岭申 刘技文 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1667-1670,共4页
采用磁控溅射方法,在Si衬底和LiNbO3薄膜之间引入SiO2过渡层制备LiNbO3薄膜。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)和扫描电子显微镜(SEM)对LiNbO3薄膜的结晶取向、组成成分和表面形貌进行了表征,重点研究了非晶态SiO2过... 采用磁控溅射方法,在Si衬底和LiNbO3薄膜之间引入SiO2过渡层制备LiNbO3薄膜。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)和扫描电子显微镜(SEM)对LiNbO3薄膜的结晶取向、组成成分和表面形貌进行了表征,重点研究了非晶态SiO2过渡层对LiNbO3薄膜C轴取向的影响。结果表明,非晶态SiO2过渡层为10~50nm时,在Si(100)衬底上制备的LiNbO3薄膜的C轴取向随着过渡层厚度的增加而变强,但当过渡层超过30nm时,对LiNbO3薄膜C轴取向的影响变小;在Si(111)衬底上制备的LiNbO3薄膜,当非晶态SiO2过渡层为10nm时,LiNbO3薄膜具高C轴取向,C轴取向的织构系数(TC)为90%,且结晶质量良好,但随着过渡层厚度增加,LiNbO3薄膜的C轴取向反而变弱。 展开更多
关键词 磁控溅射 LiNbO3薄膜 SiO2过渡层 C轴取向
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Room temperature ferromagnetism of nonmagnetic element Ca-doped LiNbO_3 films
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作者 刘华蕊 李敏 +5 位作者 孙鹏 王诗琪 金鑫 孙现科 安玉凯 刘技文 《Optoelectronics Letters》 EI 2014年第2期115-118,共4页
The nonmagnetic element Ca-doped LiNbO3 films were prepared on Si(111) substrates by radio frequency(RF) magnetron sputtering technique. X-ray diffraction(XRD) and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) indicate that t... The nonmagnetic element Ca-doped LiNbO3 films were prepared on Si(111) substrates by radio frequency(RF) magnetron sputtering technique. X-ray diffraction(XRD) and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) indicate that the Ca atoms enter the LiNbO3 lattice in the form of Ca2+ ions. Superconducting quantum interference device(SQUID) results show that the Ca-doped LiNbO3 films have room-temperature ferromagnetism and a maximum saturation magnetization of 4800 A/m at the 3% of Ca atom doping concentration. The room temperature ferromagnetism of the Ca-doped LiNbO3 films can be attributed to the occurrence of vacancies due to Ca doping and is the intrinsic property. 展开更多
关键词 铌酸锂薄膜 钙掺杂 铁磁性 非磁性 室温 元素 SI(111)衬底 LiNbO3薄膜
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