硝酸钡预处理高放废液玻璃固化体结构和抗浸出性能研究

为提高硼硅酸盐玻璃对硫的包容能力,采用Ba(NO_(3))_(2)将模拟高硫高钠废液中的SO_(4)^(2-)转变为BaSO_(4),再利用熔融法制备硼硅酸盐玻璃固化体,研究了模拟高放废液掺量对玻璃固化体结构和抗浸出性能的影响。结果表明:采用Ba(NO_(3))_(2)对模拟高硫高钠废液进行预处理后,废物包容量达到23%(质量分数)仍未发生分相;掺入模拟高放废液的玻璃固化体中的Na、B、Si元素归一化质量损失比纯硼硅酸盐玻璃低一个数量级,随着模拟高放废液掺量增加玻璃固化体抗浸出性能无明显变化。^(11)B和^(29)Si核磁共振谱分析表明,模拟高放废液的掺入使部分BO_(3)结构转变为BO_(4)结构,玻璃网络结构有所增强。

利用电化学技术制备白钨矿薄膜的生长动力学研究

采用恒电流电化学技术直接在金属钼(Mo)或钨(W)片上制备了白钨矿钼酸盐、钨酸盐AMO4(A=Ba、Sr、BaxSr1-x、BaxSryCa1-x-y;M=W、Mo)晶态薄膜,制备时间分别为从薄膜开始生长到薄膜生长结束的不同时间间隔。利用场发射扫描电镜(FESEM)和电子能谱仪(EDX)等测试手段,分别对这些薄膜的生长特性进行了测试,并对测试结果进行了对比分析。结果表明,利用电化学技术制备白钨矿薄膜时,金属基片在不断的溶解;由于负离子配位多面体的沉积、构架和阳离子的不断填充,完成晶核的形成和晶粒的长大;随着时间的增加,光滑饱满的晶粒布满整个基片表面从而完成了薄膜的成膜过程;由于阳离子Ba2+、Sr2+、Ca2+填充速率依次降低,使得在沉积二元和三元薄膜时出现富钡现象。

室温电化学法制备白钨矿SrWO_4晶态膜的生长特性研究(英文)

采用恒电流电化学技术直接在金属钨片上制备了具有白钨矿结构的钨酸锶(SrWO4)晶态薄膜,通过SEM和EDX测试分析方法,研究了薄膜在不同的生长阶段(包括薄膜从最初成核并开始生长,到薄膜布满整个基片,即薄膜生长结束)的生长特性。研究结果表明,SrWO4晶核和晶粒优先选择在基片的缺陷处堆砌生长,在薄膜生长的初期,一定数量的WO4负离子配位多面体沉积在基片上并形成具有白钨矿结构的骨架,继而Sr2 +对该骨架进行填充,由此形成晶核和晶粒;随着沉积时间的延长,晶粒密度不断增大,晶核和晶粒也不断长大,并沿着c轴生长的方向开始分叉,晶粒越大分叉越多;最终,当SrWO4薄膜生长过程结束时,团簇生长的花菜状晶粒布满整个基片,形成致密的薄膜。该研究结果对晶态薄膜电化学制备生长机制的认识、以及采用电化学方法制备晶态薄膜的工艺调控都具有重要意义。

电化学法制备钼酸盐和钨酸盐薄膜的生长特性研究

采用恒电流电化学技术直接在金属片M（钼或钨）上制备了具有白钨矿结构的不同体系（钼酸盐、钨酸盐）、不同时间（从薄膜开始生长到生长结束）的AMO4晶态薄膜，利用SEM技术、结合其它相关测试手段，对这些薄膜进行测试，对相应结果进行了对比分析。研究表明：在利用电化学法制备AMO4薄膜的过程中，薄膜的生长具有以下几个特性：（1）在电化学制备技术中，由电流密度分布不均匀使得基片缺陷处的电流密度大于其它位置的电流密度，使得这些位置的成核速率较大，因而晶核和晶粒优先选择在金属基体缺陷处堆砌和生长；（2）在薄膜的制备过程中，金属M发生电化学反应形成MO4^2-，一定量的MO4^2-沉积在基体表面并构成具有白钨矿结构的骨架，与A^2＋结合形成AMO4晶核和晶粒；（3）薄膜生长初期就有比较完整的晶核生成；（4）随着反应时间的延长，一方面新的晶核不断形成，基体上晶粒的密度不断增加；另一方面晶核和晶粒不断长大；经过这样的过程，最终晶粒布满整个基体形成致密的薄膜。

利用电化学技术制备白钨矿结构BaMoO_4薄膜的成核和生长过程(英文)

采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸盐(BaMoO4)薄膜;通过EDX测试研究了该薄膜的成核和生长。研究结果表明,在薄膜生长的初期,一定数量的MoO4负离子配位多面体沉积在基片上并形成具有白钨矿结构的蜂窝状骨架,继而Ba2+对该蜂窝状骨架进行填充,由此形成晶核和晶粒;随着沉积时间的延长,蜂窝状结构不断长大,Ba2+离子也不断填充;当晶粒生长过程结束时,晶粒变饱满并且晶粒表面变光滑;当薄膜生长一定阶段时,晶粒及薄膜的组成符合其化学计量比。

电化学技术制备白钨矿单元多晶薄膜的生长特性研究

在室温下用电化学技术进行沉积白钨矿AMO4(A:Ba、Sr,M:W、Mo)晶态薄膜开展过比较系统地研究,特别是对薄膜从在金属基底M上开始成核到薄膜制备完成的不同时间内制备的样品进行了SEM、EDX和XRD等测试分析。通过集中对不同体系钼酸盐和钨酸盐薄膜的生长过程和生长习性定性地进行对比分析,结果表明:(1)对于相同的电解质溶液、不同的金属基底,在钨片上薄膜更容易形成晶核和晶粒,在薄膜生长初期,钨片上薄膜成核速率小,晶粒粒度大,晶粒生长速率大,成膜时间长,钼片反之;(2)对于相同的金属基底、不同的电解质溶液,在薄膜生长初期,Ba MO4薄膜最早的成核时间要早,Ba MO4薄膜成核速率小,晶粒生长速率大,晶粒粒度大,成膜时间短;Sr MO4薄膜反之;(3)薄膜上晶粒的取向与基底无关,而与电解质溶液中的阳离子有关。

室温电化学技术制备白钨矿CaWO_4薄膜生长特性的研究

采用室温恒电流电化学技术直接在金属钨片上制备了1~155 min不同时间的CaWO_4晶态薄膜样品,并对这些样品进行SEM和XRD测试,研究表明:电化学技术制备CaWO_4薄膜时,开始成核时间较晚,晶核和晶粒最先在基底的缺陷处形成,晶核的形成和晶粒的长大同时进行,由W-O_4负离子配位多面体的沉积和Ca^(2+)的填充来完成;晶粒长大后的形貌呈表面光滑的团簇状;晶粒数量和粒度的增加完成薄膜的生长并成为具有四方相结构的单相晶态薄膜。

利用粉煤灰制备多孔陶瓷砖的工艺研究

本文介绍了以粉煤灰为成孔基础材料、普通粘土为集料,瓷粉为骨料,淀粉为造孔剂,加入少量粘结剂,调成含水率为34%的泥浆,采用传统注浆成型工艺成型坯体,并在1100℃下烧成显气孔率为37.68%,容重为1.41g/cm3的多孔陶瓷砖。经过XRD和SEM测试,得知该砖的主晶相为3Ca O·Al2O3·2Si O2,其气孔大小在几十到上百微米。这一方法既实现了固体废物的资源化,又降低了陶瓷制备的能源消耗,同时制备工艺简单易行,具有良好的社会效益和经济效益。

浅析不同掺量粉煤灰对建筑陶瓷坯体工艺性能的影响

将粉煤灰应用到建筑陶瓷的生产中,既可以降低天然矿物原料的消耗,降低成本,又实现了固体废弃物的利用,是一项非常有意义的研究工作。本文利用已有坯料通过掺入不同比例的粉煤灰,通过配料、球磨、制粉、成型、干燥及烧成等工序制成试样,通过SEM和吸水率测试,得出以下结论:①在坯料中掺入粉煤灰到一定量后可降低坯体烧成温度,当掺量为30%时,烧成温度由1100℃降至1070℃;②掺加粉煤灰后使得坯体内气孔分布较均匀且气孔较小;③掺加粉煤灰后使得坯体内闭口气孔增多,显气孔减少,故吸水率降低。当粉煤灰掺量为20%时,吸水率最低。

基底的平整度对电化学制备BaMoO4薄膜成核速率的影响

在金属片Mo上用恒电流电化学技术制备了从薄膜开始成核到生长结束不同时间的BaMoO_4晶态薄膜,并利用SEM、XRD等相关测试手段,对这些薄膜进行测试分析,结果发现,在相同的制备条件下,在薄膜生长的开始阶段,由于基底不平整(折叠、划痕、缺陷、凹凸不平)的位置电流密度要比平整处大,使得该处基片的溶解速率加快,形成的有利生长基元的数目就较多,故导致基底上不平整的位置BaMoO_4薄膜成核速率就大。

浅谈成型操作对压制成型坯体质量的影响

本文主要介绍了压制成型陶瓷坯体过程中,成型操作对坯体质量的影响。分别从填料方式、成型压力、加压方式、加压速度、脱模操作和添加剂六个方面阐述了成型操作要点和注意事项,以及因操作不当造成的坯体缺陷。总之,合理的操作过程对提高坯体质量,减少坯体缺陷,降低制造成本具有十分重要的意义。

采用电化学技术制备SrMoO_4薄膜的生长特性实验研究

采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸锶(SrMoO4)多晶薄膜,着重在实验上研究了薄膜的晶体生长特性。研究表明,采用电化学技术制备SrMoO4晶态薄膜时,薄膜的生长具有如下特点:(1)晶核生成需要一定的时间,但晶核一旦生成,其形貌就比较完整;(2)晶核和晶粒优先选择在基体缺陷(折叠、划痕、缺陷、凹凸不平等)处生长和堆砌;(3)基体上晶粒的数量随着制备时间的增加而增加,晶粒的尺寸随着时间的增加而长大,晶粒逐渐从基体表面上的稀疏分布直到布满整个基体;(4)晶粒的{111}面总是显露的;(5)在薄膜生长的整个过程中,晶粒基本上以其c轴垂直于薄膜基体表面进行的。上述研究结果对进一步认识薄膜的晶体生长和利用电化学法制备晶态薄膜都具有重要意义。

钼酸钡薄膜的原电池及电解型电化学制备技术比较研究

分别采用恒电流电化学技术和原电池电化学技术在钼片上制备出了具有单一白钨矿结构的钼酸钡薄膜,并对薄膜的相结构、表面形貌、元素价态及钼材料的利用率进行了深入的比较研究。研究发现,两条电化学路线制备的钼酸钡薄膜都是结晶良好的,具有单一的白钨矿结构;晶粒呈四方锥形;薄膜中的钡、钼和氧元素分别表现为+2、+6和-2价。但采用原电池路线时,钼酸钡薄膜更加致密,晶粒更加均匀,表面较为平坦;而且,电化学溶解的钼能够更好地凝聚成钼酸钡附着在阳极表面;与之相对应,在恒电流条件下,有相当大一部分钼酸根离子扩散进入了电解液中。

电化学法制备BaMoO_4和SrMoO_4薄膜的生长特性比较研究(I):共性分析

采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸盐(BaMoO4、SrMoO4)薄膜,对制备时间分别为10s直到50min的BaMoO4薄膜和制备时间分别为1min直到100min的SrMoO4薄膜的生长情况进行了SEM测试,并对相应结果进行了对比分析。研究表明:用电化学法制备BaMoO4和SrMoO4晶态薄膜,其生长特性既具有共性,也具有鲜明的个性。其共性特征是:1)成膜机制相同;2)薄膜生长初期就有比较完整的晶核生成;3)晶核和晶粒优先选择在金属基体缺陷(折叠、划痕、缺陷、凹凸不平等)处堆砌和生长;4)基体上晶粒的数量随着制备时间的增加而增加,晶粒的尺寸也随着时间的延长而长大,晶粒逐渐从稀疏分布到布满整个基体;5)在具有白钨矿结构的钼酸盐晶态薄膜的生长过程中,晶体的{111}面总是显露的。其鲜明的个性特征将在另文中讨论。该研究结果对功能晶态薄膜的生长(特别是利用电化学技术制备功能晶态薄膜的生长)和了解及预测白钨矿结构的晶态薄膜的生长习性,均具有重要意义。

电化学法制备BaMoO_4和SrMoO_4薄膜的生长特性比较研究(II):个性研究

采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸盐(BaMoO4、SrMoO4)薄膜,对制备时间分别为10s直到50min的BaMoO4薄膜和制备时间分别为1min直到100min的SrMoO4薄膜的生长情况进行了SEM测试,并对相应结果进行了对比分析。研究表明:用电化学法制备BaMoO4和SrMoO4晶态薄膜,其生长特性既具有共性,也具有鲜明的个性。其共性特征已在另文中给出。其鲜明的个性特征是:1)BaMoO4和SrMoO4这两种薄膜在生长初期晶粒的成核速率不同;两种薄膜晶粒的生长速率不同;2)两种薄膜晶粒的形貌不同,晶粒的尺寸大小明显不同;3)两种薄膜晶粒的生长取向不同。该研究结果对功能薄膜的电化学制备和了解及预测白钨矿结构的晶态薄膜的生长习性,具有重要意义。

弱Orlicz空间的单调系数及单调性

给出了弱Orlicz空间具有单调性、严格单调性、一致单调性及局部一致单调性的条件,并计算了弱Orlicz空间及该空间中一点的单调系数.

电化学技术制备BaMoO_4薄膜的初期生长特性(英文)

采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸盐(BaMoO4)薄膜。对BaMoO4薄膜进行了SEM测试,并对相应的测试结果进行了对比和分析。研究表明,在薄膜生长初期,其生长特性具有若干显著的特点,包括:晶核和晶粒优先选择在基体缺陷处堆砌和生长;生长初期形成的晶核都具有白钨矿结构的骨架;晶核和刚开始长大生成的晶粒都是疏松的;晶粒都明显显示有蜂窝状空隙存在等。在薄膜生长的初始阶段,晶粒基本上以其c轴垂直于薄膜基体表面进行生长;随着薄膜制备时间的延长,晶粒的生长方向倾向于按其c轴在薄膜的表面内的方向进行生长。

电沉积技术制备钼酸钡薄膜及其特性表征

采用恒电流电沉积技术，在不同衬底（金属钼片、镀金的硅片、ITO导电玻璃）上，不同溶液酸碱性的条件下制备出了具有白钨矿结构的钼酸钡薄膜，利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）对制备的薄膜进行了分析表征。分析了利用电沉积方法制备的钼酸钡薄膜的成膜机制．实验结果表明：在室温环境下，利用电沉积技术，在不同材质的衬底（金属钼片、镀金的硅片和ITO导电玻璃）上，可以制备出具有白钨矿结构钼酸钡薄膜，不同材质的衬底会影响到薄膜晶粒的形状进而影响薄膜的表面形貌和致密性，用镀金的硅片（Au-Si片）作衬底时，制备的钼酸钡薄膜晶粒更加饱满，晶体生长呈四方锥形，晶界清晰。

关于三重迭代收敛性的若干问题

在实Banach空间中,讨论一类渐近非扩张-伪压缩映射的三重迭代序列的收敛性和在Lipschitz映射下三种迭代(改进的Mann迭,改进的Ishikawa迭代和改进的三重迭代)的收敛性等价性。

磷钼杂多酸盐含量对硼硅酸盐玻璃固化体结构和抗浸出性能的影响

我国现存高放泥浆主要成分为磷钼杂多酸盐(PM),磷和钼在硼硅酸盐玻璃中溶解度较低,超过一定溶解度后会在玻璃表面产生分相从而影响玻璃化的效率和安全。本文主要研究了PM含量对硼硅酸盐玻璃固化体物相组成、微观结构和抗浸出性能的影响。结果表明,当PM掺量为0%~4%(质量分数,下同)时,样品为透明玻璃,而PM掺量高于5%时,样品为含钼酸钙和钼酸钡晶相的玻璃陶瓷。随着PM掺量从0%增加至6%,玻璃网络结构中的[SiO_(4)]结构逐渐解聚,[MoO_(4)]^(2-)结构逐渐增加,且[BO_(4)]、Q^(3)和Q^(4)结构单元含量逐渐降低,玻璃网络结构的致密程度也逐渐降低。随着PM掺量增加,Si、B和Na元素28 d归一化浸出率先降低后升高,Mo元素28 d归一化浸出率先升高后降低。