CdSeS量子点的超快光物理特性研究

利用飞秒抽运-探测透射技术,研究了室温下CdSeS半导体量子点激发态载流子的弛豫过程与抽运光能量密度和光子能量的关系。实验结果表明,CdSeS量子点激发态载流子的弛豫有3个过程:1)约为10ps的一个快速弛豫过程,此过程随着抽运光能量密度的不断增加而逐渐变慢,与光子能量没有明显的依赖关系,认为此过程是由载流子和光学声子的散射引起的;2)约为100ps的一个弛豫过程,此过程与抽运光能量密度及光子能量都没有明显的依赖关系,认为此过程是光激发载流子被缺陷态捕获而形成的限域载流子的弛豫过程;3)一个纳秒量级的带-带跃迁的弛豫过程。零延迟时间下的透射变化量随着抽运光能量密度的增大而增大,当抽运光能量密度增大到一定程度时,零延迟下的透射变化量逐渐趋于饱和。