LT286E4型晶体管失效案例分析

通过晶体管上铝布线热熔的案例,详细介绍了失效分析过程,揭示了导致铝布线热熔的主要原因,为避免出现类似问题提供了改进的依据。

由静电放电脉冲应力产生的氧化层陷阱电荷

以传输线脉冲(TLP)为例,研究了由静电放电脉冲应力产生的氧化层陷阱电荷Qot+的特性。当氧化层厚度为3.2nm时,无论是直流还是TLP脉冲应力,其导致氧化层击穿的正氧化层陷阱电荷Qot+的质心变化和临界密度是相同的。当氧化层厚度为14nm时,在两种不同的应力下,Qot和质心的特性是不同的。TLP脉冲应力产生的负氧化层陷阱电荷的数量Qot-远小于直流应力产生的数量。热电子产生更有效的空穴陷阱以引发击穿。

电介质击穿对MOSFET器件漏电流的影响

栅电介质击穿是MOSFET器件工作中主要的失效模式之一。由击穿而引起的栅泄漏不仅是电损耗增加的问题,而且对漏电流造成很大的影响。采用最新工艺制成的超薄栅电介质,把由击穿产生的漏电流作为因击穿点的扩展而损伤的沟道电流的一部分。制作栅氧厚度为2.2nm和3.5nm、不同沟道宽度的器件,使用专门的装置给器件施加应力,用统计方法研究晶体管性能的退化。分析表明,使漏电流退化的损伤半径大约在1.4μm-1.8μm之间。

金属压焊点下面ESD结构的可靠性研究

研究一种制作在集成电路压焊点金属下面的以二极管为基本单元的静电放电保护结构。这样减小了为制作静电保护电路而消耗的面积。这种结构用金球或铝楔入压焊的方法。用三层或四层金属 CMOS 工艺制成。压焊后目检没发现不正常现象,电测试也没发现ESD 所造成的失效,这种结构通过了产品质量等级测试。