磁控溅射ZnO薄膜及其微观结构与光电特性

为了研究氧气与氩气的比例和溅射气压对Zn O薄膜的微观结构及光电特性的影响,在氧化铟锡(ITO)玻璃上采用射频感应耦合离子源增强磁控溅射方法镀上具有一定c轴择优取向的Zn O薄膜,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、紫外可见分光光度计表征薄膜微观结构与光电特性。结果表明随着氧分压的增加,薄膜表面的平整度先增加后减小,沿(002)方向生长的Zn O薄膜结晶度、晶粒尺寸先增加后减小,方阻先减小后增大,晶粒尺寸、方阻等值在O2和Ar的体积流量比为15∶60时达到极值。实验中改变溅射时的气压值,发现较大的溅射气压有利于磁控溅射的进行,有利于获得纯净的Zn O薄膜,在可见光范围内有的样品平均透过率超过90%。