以[Cu(tu)]Cl·1/2H2O纳米线作为自牺牲模板在室温下成功制备出形貌良好、纯度高的多孔硫化铜纳米管(PCSNTs)(硫脲=Tu)。利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线能谱仪(E...以[Cu(tu)]Cl·1/2H2O纳米线作为自牺牲模板在室温下成功制备出形貌良好、纯度高的多孔硫化铜纳米管(PCSNTs)(硫脲=Tu)。利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线能谱仪(EDS)和矢量网络分析仪(VNA)对样品的晶体成分和晶相结构、化学元素价态、微观形貌、元素种类和电磁参数进行分析测定。根据传输线理论,计算样品的反射损耗RL;同时,对PCSNTs/石蜡复合物的微波吸收机理和PCSNTs的形成原理进行分析讨论。结果表明,PCSNTs/石蜡复合物在厚度为2.2 mm时,表现出极强的微波吸收能力(在15.67 GHz时,RL=-45.02 d B),有效吸收(RL﹤-10 d B)频宽为4.75 GHz(13.25 GHz^18.00 GHz)。本制备方法简便快捷,产品纯度高、形貌均一,可用于工业化生产。自牺牲模板法是一种制备中空纳米结构的策略。展开更多
以碳酸二乙酯为溶剂,顺丁烯二酸酐为原料,在紫外光的照射下进行[2+2]环加成反应,制备得到顺,反,顺-1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐,并通过IR和1 H NMR对其结构进行了确证。实验结果表明,较佳反应条件是:顺丁烯二酸酐浓度为9%,高压汞灯照射,...以碳酸二乙酯为溶剂,顺丁烯二酸酐为原料,在紫外光的照射下进行[2+2]环加成反应,制备得到顺,反,顺-1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐,并通过IR和1 H NMR对其结构进行了确证。实验结果表明,较佳反应条件是:顺丁烯二酸酐浓度为9%,高压汞灯照射,反应时间4h,反应温度6℃,产品顺,反,顺-1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐的产率为82.6%,纯度可达99.2%。展开更多
文摘以[Cu(tu)]Cl·1/2H2O纳米线作为自牺牲模板在室温下成功制备出形貌良好、纯度高的多孔硫化铜纳米管(PCSNTs)(硫脲=Tu)。利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线能谱仪(EDS)和矢量网络分析仪(VNA)对样品的晶体成分和晶相结构、化学元素价态、微观形貌、元素种类和电磁参数进行分析测定。根据传输线理论,计算样品的反射损耗RL;同时,对PCSNTs/石蜡复合物的微波吸收机理和PCSNTs的形成原理进行分析讨论。结果表明,PCSNTs/石蜡复合物在厚度为2.2 mm时,表现出极强的微波吸收能力(在15.67 GHz时,RL=-45.02 d B),有效吸收(RL﹤-10 d B)频宽为4.75 GHz(13.25 GHz^18.00 GHz)。本制备方法简便快捷,产品纯度高、形貌均一,可用于工业化生产。自牺牲模板法是一种制备中空纳米结构的策略。
文摘以碳酸二乙酯为溶剂,顺丁烯二酸酐为原料,在紫外光的照射下进行[2+2]环加成反应,制备得到顺,反,顺-1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐,并通过IR和1 H NMR对其结构进行了确证。实验结果表明,较佳反应条件是:顺丁烯二酸酐浓度为9%,高压汞灯照射,反应时间4h,反应温度6℃,产品顺,反,顺-1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐的产率为82.6%,纯度可达99.2%。
