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静电纺丝法制备纳米氧化铟锡及其导电性能
被引量:
1
1
作者
任鑫川
刘苏婷
+3 位作者
李志慧
宋承堃
代云茜
孙岳明
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2021年第3期491-498,共8页
采用静电纺丝-溶胶凝胶法,以SnCl2、InCl3、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等为原料,乙醇胺为水解控制剂,合成了超细氧化铟锡(ITO)纳米纤维及富氧缺陷的ITO纳米颗粒。采用透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、扫描电子显微镜(SEM)、热重分析...
采用静电纺丝-溶胶凝胶法,以SnCl2、InCl3、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等为原料,乙醇胺为水解控制剂,合成了超细氧化铟锡(ITO)纳米纤维及富氧缺陷的ITO纳米颗粒。采用透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、扫描电子显微镜(SEM)、热重分析(TGA)、X射线衍射(XRD)、X射线电子能谱(XPS)、四探针电阻仪,系统研究了超细ITO纤维及颗粒的形貌、晶型、氧缺陷及导电性能。在400℃空气煅烧后,纤维中的PVP高分子骨架发生热分解,获得超细、多孔ITO纳米纤维,晶型为立方相。进一步升高煅烧温度至800℃,ITO纳米纤维转变为富氧缺陷的纳米颗粒,晶格氧空位含量高达38.9%。随着煅烧温度升高,Sn4+掺入到In_(2)O_(3)晶格中,发生晶格膨胀,晶面间距增大。煅烧温度由400℃升高至800℃,未发生立方相向六方相的转变,晶型稳定,晶粒尺寸从32 nm生长到44 nm,晶格应变(ε0)从1.943×10^(-3)减小至1.422×10^(-3),应变诱导的晶格弛豫逐渐减小。此外,高温煅烧可抑制In_(2)O_(3)晶粒(111)晶面的增长,随着In_(2)O_(3)的(400)与(222)晶面比值(I_((400))/I_((222)))的增加,ITO电导率逐渐升高。在800℃获得的ITO纳米颗粒导电率最高。
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关键词
纳米结构
氧化铟锡
氧空位
导电材料
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职称材料
题名
静电纺丝法制备纳米氧化铟锡及其导电性能
被引量:
1
1
作者
任鑫川
刘苏婷
李志慧
宋承堃
代云茜
孙岳明
机构
东南大学化学化工学院
出处
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2021年第3期491-498,共8页
基金
中央高校基本业务费(No.3207042009C2)资助。
文摘
采用静电纺丝-溶胶凝胶法,以SnCl2、InCl3、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等为原料,乙醇胺为水解控制剂,合成了超细氧化铟锡(ITO)纳米纤维及富氧缺陷的ITO纳米颗粒。采用透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、扫描电子显微镜(SEM)、热重分析(TGA)、X射线衍射(XRD)、X射线电子能谱(XPS)、四探针电阻仪,系统研究了超细ITO纤维及颗粒的形貌、晶型、氧缺陷及导电性能。在400℃空气煅烧后,纤维中的PVP高分子骨架发生热分解,获得超细、多孔ITO纳米纤维,晶型为立方相。进一步升高煅烧温度至800℃,ITO纳米纤维转变为富氧缺陷的纳米颗粒,晶格氧空位含量高达38.9%。随着煅烧温度升高,Sn4+掺入到In_(2)O_(3)晶格中,发生晶格膨胀,晶面间距增大。煅烧温度由400℃升高至800℃,未发生立方相向六方相的转变,晶型稳定,晶粒尺寸从32 nm生长到44 nm,晶格应变(ε0)从1.943×10^(-3)减小至1.422×10^(-3),应变诱导的晶格弛豫逐渐减小。此外,高温煅烧可抑制In_(2)O_(3)晶粒(111)晶面的增长,随着In_(2)O_(3)的(400)与(222)晶面比值(I_((400))/I_((222)))的增加,ITO电导率逐渐升高。在800℃获得的ITO纳米颗粒导电率最高。
关键词
纳米结构
氧化铟锡
氧空位
导电材料
Keywords
nanostructures
indium tin oxide
oxygen vacancy
conducting material
分类号
O611.62 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
静电纺丝法制备纳米氧化铟锡及其导电性能
任鑫川
刘苏婷
李志慧
宋承堃
代云茜
孙岳明
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
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职称材料
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