重大专项政策对集成电路产业创新影响

分析了中国集成电路产业存在的问题,基于国家科技重大专项政策的科技含量高、组织规模大、自主创新和健全产业链等特点,剖析了科技重大专项政策在创新组织管理模式、引导和健全上下游产业链、引进和培养人才、政产学研用合作、建设和完善国家级公共技术研发平台等各个方面对中国集成电路产业的影响。进一步提出了如何通过将政策落脚在产业关键节点、自主创新和产业化与市场需求相结合、完善和健全重大专项监管机制、健全专项执行效果的绩效评价体系等方式推动和保障中国集成电路产业发展的措施建议。

离子束增强沉积氮化铝薄膜的电绝缘性能研究

AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。采用离子束增强沉积(IBED)法制备了AlN薄膜,采用X光电子能谱(XPS)和电容-电压/电流-电压(C-V/I-V)等方法对AlN薄膜的微观结构和绝缘性能进行了研究,得到了影响薄膜电绝缘性能的主要参数。研究结果表明,沉积过程中向IBED系统通入一定的氮气可有效提高薄膜的N/Al,使其接近化学计量比(从0.53∶1到0.81∶1)及电绝缘性能(击穿电场约为1.42MV/cm)。

氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究

本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2MIS电容结构。从微观角度探讨了氮元素对改进高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的作用机理。

国有资产介入上海IC产业布局的研究

1国资介入集成电路产业的战略意义 2009年5月1日,《中华人民共和国国有资产法》正式施行,其宗旨在于,＂国家采取措施,推动国有资本向关系国民经济命脉和国家安全的重要行业和关键领域集中，优化国有经济布局和结构；推动国有企业的改革和发展，提高国有经济的整体素质，增强国有经济的控制力、影响力”。

具有Al_2O_3阻挡层的HfO_2栅介质膜的界面和电学性能的表征(英文)

研究了经过700℃快速热退火的并在Si界面处插入Al2O3阻挡层的HfO2栅介质膜的界面结构和电学性能。X射线光电子谱表明,退火后,界面层中的SiOx转化为化学当量的SiO2,而且未发现铪基硅酸盐和铪基酸化物。由电学测试提取出等效栅氧厚度为2.5nm,固定电荷密度为–4.5×1011/cm2。发现Al2O3阻挡层能有效地阻止Si原子扩散进入HfO2薄膜,进而改善HfO2栅介质膜的界面和电学性能。

高性能HfAlO介质薄膜的制备(英文)

利用超高真空电子束蒸发法制备了可替代 SiO2作为栅介质的 HfAlO 膜。薄膜的化学组成为(HfO2)(Al2O3)2,900℃退火处理后仍然呈现非晶状态,而且表面平滑。介电常数为 12.7,等效氧化物厚度 2 nm,固定电荷密度 4×1012cm-2,2 V 栅偏压下漏电流为 0.04 m A/cm2。后退火处理能有效降低固定电荷密度和泄漏电流密度,但会造成界面 SiO2的生长。

SOI LDMOS功率器件的研究与制备

根据REUSRF原理,对器件参数进行优化。采用与常规CMOS工艺兼容的技术,在SIMOX片上制备了薄膜SOI LDMOS功率器件。器件呈现良好的电学性能:漏极偏压5V时,泄漏电流仅为1nA;当漂移区长度为4μm时,关态击穿电压达到50V,开态击穿电压大于20V;器件的输出曲线在饱和区光滑,未呈现翘曲现象,说明体接触有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应。这种SOI LDMOS结构非常适合高温环境下功率电子方面的应用开发。

HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究

利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC。研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过HfC处理后碳纳米管膜的场发射性能得到明显改善,并对提高碳纳米管场发射性能的机理进行了探讨。此方法为提高碳纳米管场发射性能提供了一种新的思路。

薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制

针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺兼容的制备流程。为实现均一的横向电场,设计了具有线性渐变掺杂60μm漂移区的LDMOS结构。为提高纵向耐压,利用场氧技术对硅膜进行了进一步减薄。流片实验的测试结果表明,器件关态击穿电压可达600 V以上(实测832 V),开态特性正常,阈值电压提取为1.9 V,计算开态电阻为50Ω.mm2。

新型图形化 SOI LDMOS结构的性能分析(英文)

提出一种图形化 SOI L DMOSFET结构 ,埋氧层在器件沟道下方是断开的 ,只存在于源区和漏区 .数值模拟结果表明 ,相对于无体连接的 SOI器件 ,此结构的关态和开态击穿电压可分别提高 5 7%和 70 % ,跨导平滑 ,开态 I-V曲线没有翘曲现象 ,器件温度低 10 0 K左右 ,同时此结构还具有低的泄漏电流和输出电容 .沟道下方开硅窗口可明显抑制 SOI器件的浮体效应和自加热效应 .此结构具有提高 SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力 .

新型PSOI LDMOSFET的结构优化

针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOILDMOSFET具有最大的击穿电压和较低的开态电阻。PSOI结构的RESURF条件为Nd·tsi=1.8～3×1012cm-2。对结构优化的PSOILDMOSFET进行了开态输出特性模拟,输出特性曲线没有曲翘现象和负导现象,开态击穿电压可达到16V,器件有源区的温度降低了50℃。结构优化有利于提高器件性能和降低器件的开发成本。

利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET

对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接。采用与常规1μmSOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOXSOI片上制备了LDMOS结构的功率器件。器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明形成的体连接有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应。当漂移区长度为2μm时,开态击穿电压达到10V,最大跨导17.5mS/mm。当漏偏压为5V时,SOI器件的泄漏电流数量级为1nA,而相应体硅结构器件的泄漏电流为1000nA。电学性能表明,这种改善的体连接技术能制备出高性能的SOI功率器件。

图形化SOI LDMOS功率器件的性能分析

本文提出了一种在沟道下方埋氧层中开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET新结构。工艺和性能分析表明,它可抑制SOI结构的浮体效应和自加热效应,具有低的泄漏电流,以及高的电流驱动能力。这种结构具有提高SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力。

移动式架车机同步控制仿真研究

针对移动式架车机在作业时电机间的同步控制问题,提出了改良后的同步控制策略,并通过搭建仿真模型还原架车机系统的同步控制过程,经过数据分析找到影响同步精度的关键参数,得出结合PID控制与模糊控制优点的控制方式。结果表明,模糊PID控制可有效解决PID控制对非线性系统控制效果不佳和模糊控制精度不高的问题,系统具有较好的自适应能力和鲁棒性。

煤矿副井井口操车系统及信号的自动化控制

通过对井口安全门、摇台、阻车器等设施实行PLC控制,可以实现这些设施的自动化控制。本文阐述了提升信号与罐位、安全门开合、摇台开合、阻车器开合、上下井口及车房的通信和电气闭锁原理,介绍了改造后新信号系统的功能,以及PLC控制在副井提升和操车自动化控制系统中的应用情况。PLC 系统的应用,降低了工人劳动强度,生产效率明显提高。

适合基站放大器应用的图形化SOILDMOSFET的设计与分析

设计了一种新型图形化SOI(patterned-Silicon-On-Insulator)LDMOSFET(lateraldouble-diffusedMOSFETs)结构,埋氧层在沟道下方是间断的.工艺和性能模拟分析表明,此结构具有SOI器件低泄漏电流和低输出电容的特性,而且能抑制自加热效应和浮体效应.当漂移区长度为3μm时,开态击穿电压可达到30V、关态电压为71V、截止频率6.2GHz、最大振荡频率20GHz,2GHz时、栅偏压3V时的输出功率为0.8W/mm、功率增益为28dB.这些电学参数适合2G、60V无线通讯基站功率放大器的要求.

简谈矿井提升机液压制动系统改造

随着我国煤矿行业的快速发展,能源需求量逐渐增加,矿山设备自动化技术水平不断提高,煤矿安全问题得以有效改善。矿机提升机是实现煤矿安全生产的重要环节。提升机在实际减速制动过程中,可以对自动盘进行控制,从而保证安全停车。同时,通过提供出动力矩实现提升机有效减速。在矿井遭遇突发情况或安全事故时,可以启动安全阀保证提升机的稳定运作。因此,为进一步保证提升机平稳制动,降低冲击所造成的不良影响,本文主要内容是分析与研究矿井提升机液压制动系统改造措施,以期为实现煤矿安全生产提供参考与借鉴。

在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜

用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s)。借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化,结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2。借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能,证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能。

轮对压装机液压系统故障综述

简介轮对压装机结构和液压系统原理,对轮对压装机液压系统使用过程中出现的故障进行总结,应用故障树分析法对故障原因进行分析,并针对出现的主要故障提出对策。

An analytical model for coplanar waveguide on silicon-on-insulator substrate with conformal mapping technique

In this paper, the authors present an analytical model for coplanar waveguide on silicon-on-insulator substrate. The four-element topological network and the conformal mapping technique are used to analyse the capacitance and the conductance of the sandwich substrate. The validity of the model is verified by the full-wave method and the experimental data. It is found that the inductance, the resistance, the capacitance and the conductance from the analytical model show they are in good agreement with the corresponding values extracted from experimental Sparameter until 10 GHz.