微型NiFe条形薄膜元件在反磁化过程中的磁畴活动

该文应用Ｂｉｔｔｅｒ粉纹技术系统地观察，并从能量分析了微型４０ｎｍ厚度ＮｉＦｅ薄膜条状元件在难轴方向反磁化过程中，磁畴结构的特性和变迁过程．研究表明，元件中的Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ跳跃是畴壁合并、壁态转变和塞漏畴转变等不可逆磁畴结构变化过程的结果．

微型薄膜磁阻传感元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构研究

微型薄膜磁阻传感元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构研究余晋岳，周勇，宋柏泉，徐东（上海交通大学信息存储研究中心）摘要：应用Ｂｉｔｔｅｒ粉纹技术观察和分析了微型磁阻传感元件在磁化和反磁化中磁畴结构变化的全过程，研究表明和元件中的Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ跳跃...

微型磁阻元件中磁畴活动和畴壁态极性转变的研究

采用Bitter粉纹技术详细观察和研究了微型磁阻元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构，结果表明Barkhausen噪声来源于磁化和反磁化过程中的磁畴活动和畴壁态极性转变。磁阻元件中的曲折状畴的产生、强化和畴壁合并及畴壁态极性转变是不可逆过程，是磁阻元件输出信号噪声的主要根源。实验发现，在磁阻元件和引线的连接处存在着磁畴结构，且这一过程是不可逆的。目前尚未见过报道。这必然也是磁阻元件输出信号噪声的来源之一。

电磁型微电机定子绕组的研制

本文主要阐述应用微细力。工技术研究和开发电磁型微电机定子绕组的制备工艺，重点介绍制备定子绕组所涉及到的各种材料及其用途。采用掩模电镀技术解决了平面工艺难以解决的线围绕组。本研究结果为双层十七圈三对六组绕组系统。最小线宽为３μｍ，微电机直径为２ｍｍ，最大工作电流１２０ｍＡ，电阻值在２４－２６Ω之间。输出力矩为１．５μＮｍ，转子转速每分钟可达５００转。

溅射气体和基板偏压对溅射Al_2O_3薄膜内应力和密度的影响

在纯Ar和Ar＋10％O2两种工作气体及不同基极偏压条件下，用射频溅射方法制备了Al2O3薄膜，测量了每个样品的内应力和密度，并对部分样品用X射线光电子谱进行了结构分析。结果表明，薄膜呈非晶态，薄膜的内应力均为压应力，并给出了气体种类和们压对膜的密度和应力的影响。

微型薄膜磁阻传感元件的磁畴和畴壁状态的转变过程

用Ｂｉｔｅｒ粉纹技术研究了长×宽为４０μｍ×３００μｍ，厚度为４０ｎｍ的微型ＮｉＦｅ磁阻元件，在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程，观察和分析了曲折状畴形成、Ｎｅｅｌ壁合并。

溅射条件对Al_2O_3薄膜介电强度和沉积速率的影响

用射频溅射方法，在不同工作气体（纯Ａｒ和Ａｒ＋１０％Ｏ＿２）和不同基片偏压（－３０Ｖ到－１８０Ｖ，间隔－３０Ｖ）下，由烧结Ａｌ＿２Ｏ＿３靶材制备Ａｌ＿２Ｏ＿３薄膜。测试了样品的介电强度和沉积速率，对部分样品的结构和成份分别用ＸＰＳ和Ｘ射线进行了分析。结果表明：薄膜均呈非晶态；在两种工作气体中，随着基片负偏压的升高，沉积速率和介电强度均下降，但在－６０Ｖ偏压时，介电强度具有最大值。含氧的工作气体导致沉积速率下降，但提高了介电强度。在含氧和－６０Ｖ偏压下，Ａｌ＿２Ｏ＿３薄膜的平均介电强度为３．４６ＭＶ／ｃｍ。纯氩气氛中制备的Ａｌ＿２Ｏ＿３薄膜是缺氧的，而含氧的工作气体可使薄膜中的氧含量提高。

离子束刻蚀过程中光刻胶收缩行为研究

光刻胶作为离子束刻蚀的掩膜已得到了普遍采用，由于它在受到离子束轰击时会发热收缩、不利于刻蚀线条高宽比的提高，限制了它的进一步使用。在离子束的轰击下，光刻胶的收缩不仅与其发热程度有关，而且与刻蚀线条的宽度也有关，通过改变刻蚀时基片和旋转台之间的热接触状态发现，光刻胶发热越厉害，收缩量越大。而在光刻胶发热程度很小或者不发热时，收缩量极小，可以忽略不计。而在同一发热状态下，不同宽度线条的光刻胶收缩量也不一样，宽度越大，收缩量就越大，宽度越小，收缩量也越小。结果造成在不同宽度线条的接合处，线条边缘出现弯曲。

关于人本原理的辩证思考

以人为本,是现代管理科学的一个重要原理。运用马克思主义的观点来深刻理解和运用这一原理,对坚持企业的社会主义方向,加强两个文明建设,深化企业内部改革,转换企业经营机制,改善企业管理,推进企业的技术进步和发展,都是人们十分关注的问题,本文拟就人本原理的运用谈点粗浅看法.