微电子专业人才培养改革思路探索

如今欧美国家对于我国微电子行业发展的限制与针对力度日益加重,要想在此领域继续把握一定的国际话语权与地位,国内微电子行业人才培养是十分重要且关键的一环。因此,作为我国微电子技术行业人才的重要来源,高校微电子专业本科生的培养教育显得尤为重要。为从根本上保证高质量高素质的微电子人才培养与输送,该文针对这一形势以及国内当前教育发展的实际需要,结合当前高校微电子专业人才培养的实际情况,分析传统人才培养模式的不足和局限,讨论国内高校微电子专业课程设置、实验实习计划、教学课程的改革创新等问题,提出新时期、新局势下我国高校微电子专业课程体系的改革思路探索。

基于p-Akt/p-GSK3β/GSK3β通路灵芝多糖对糖尿病大鼠心肌重构及保护作用研究

目的探讨灵芝多糖(GLP)通过磷酸化丝氨酸/苏氨酸激酶(p-Akt)/磷酸化糖原合成酶激酶-3β(p-GSK3β)/糖原合成酶激酶-3β(GSK3β)通路对糖尿病大鼠心肌重构的影响。方法于2020年12月至2021年12月,将90只SPF级雄性SD大鼠,按照随机数字表法分为对照组、模型组、GLP低、中、高剂量组,各18只。模型组和GLP各剂量组采用高脂高糖饲料喂养联合腹腔注射小剂量链脲佐菌素(STZ)溶液(30 mg/kg)诱导糖尿病大鼠模型,各组取建模成功的15只大鼠用于实验。GLP低、中、高剂量组均按照10 mL/kg体质量,灌胃浓度25、50、100 mg/kg GLP生理盐水溶液,对照组和模型组给予等体积生理盐水,每天1次,连续4周。比较各组大鼠血糖、体质量、左心室指数、心肌纤维化水平、心肌细胞凋亡水平、心肌组织中转化生长因子-β1(TGF-β1)、基质金属蛋白酶-2(MMP-2)、基质金属蛋白酶-9(MMP-9)水平以及p-Akt、丝氨酸/苏氨酸激酶(Akt)、p-GSK3β、GSK3β蛋白表达水平差异。结果与对照组的血糖(4.45±0.38)mmol/L、左心室指数(2.21±0.18)、胶原容积分数(CVF)(2.59±0.27)%、凋亡指数(2.17±0.24)%和心肌组织TGF-β1(126.34±10.43)μg/L、MMP-2(141.23±12.12)μg/L、MMP-9(126.34±10.23)μg/L水平比较,模型组[(20.34±2.78)mmol/L、3.46±0.23、(16.12±1.43)%、(20.32±1.78)%、(257.65±18.15)μg/L、(268.43±19.3)μg/L、(347.65±23.15)μg/L],GLP低剂量组[(16.36±1.12)mmol/L、3.17±0.21、(13.17±1.27)%、(15.31±1.15)%、(214.46±17.44)μg/L、(227.18±17.36)μg/L、(302.46±23.48)μg/L],中剂量组[(13.23±0.97)mmol/L、2.84±0.18、(10.41±0.96)%、(12.18±1.02)%、(184.44±14.37)μg/L、(189.68.±16.89)μg/L、(257.44±19.77)μg/L]和高剂量组[(9.84±1.01)mmol/L、2.57±0.16、(7.36±0.62)%、(9.66±0.74)%、(163.17±11.54)μg/L、(152.74±15.23)μg/L、(176.17±12.45)μg/L]显著升高,大鼠体质量和p-Akt、p-GSK3β蛋白水平均显著降低(P<0.05);与模型组比较,GLP各剂量组血糖、左心室指数、CVF、凋亡指数和心肌组织TGF-β1、MMP-2、MMP-9水平均显著降低,大鼠体质量和p-Akt、p-GSK3β蛋白水平均显著增加(P<0.05);血糖、左心室指数、心肌组织CVF、凋亡指数和TGF-β1、MMP-2、MMP-9水平与GLP呈剂量依赖性降低,体质量、p-Akt、p-GSK3β蛋白水平与GLP呈剂量依赖性增加(P<0.05)。结论GLP能够降低DCM大鼠血糖、减轻心肌纤维化和心肌细胞凋亡,可能是通过激活p-Akt/p-GSK3β/GSK3β通路中相关蛋白表达发挥调控作用。

P-GaN栅结构GaN基HEMT器件研究进展

增强型氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)是高频高功率器件与开关器件领域的研究热点,P-GaN栅技术因具备制备工艺简单、可控且工艺重复性好等优势而成为目前最常用且唯一实现商用的GaN基增强型器件制备方法。首先,概述了当前制约P-GaN栅结构GaN基HEMT器件发展的首要问题,从器件结构与器件制备工艺这2个角度,综述了其性能优化举措方面的最新研究进展。然后,通过对研究进展的分析,总结了当前研究工作面临的挑战以及解决方法。最后,对未来的发展前景、发展方向进行了展望。

基于AlGaN/GaN HEMT结构的ZnO纳米线感光栅极光电探测器

在传统的采用ZnO薄膜的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)光电探测器件中,存在光吸收、光电转换效率低,光电流小等诸多局限.为改善上述问题,基于AlGaN/GaN HEMT结构,提出并成功制备了一种ZnO纳米线感光栅极光电探测器.实验中首先通过水热法将ZnO纳米线成功制备到Si衬底材料及AlGaN/GaN HEMT衬底材料上,并利用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)仪、扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)、光致发光(photo luminescence,PL)光谱仪等仪器进行了一系列测试.结果表明,生长在AlGaN/GaN HEMT衬底材料上的ZnO纳米线具有更低的缺陷密度、更好的结晶度和更优异的光电特性.然后,将ZnO纳米线成功集成到AlGaN/GaN HEMT器件的栅极上,制备出具有ZnO纳米线感光栅极的AlGaN/GaN HEMT紫外光电探测器.将实验中制备出的具有ZnO纳米线感光栅极的AlGaN/GaN HEMT器件与常规的AlGaN/GaN HEMT器件进行对比,发现具有ZnO纳米线的器件在紫外波段能达到1.15×104A/W的峰值响应度,相比常规结构的AlGaN/GaN HEMT,峰值响应度提升约2.85倍,并且制备的ZnO纳米线器件的响应时间和恢复时间缩短为τr=10 ms和τf=250 ms,提高了探测器的性能.

恩格列净联合二甲双胍治疗2型糖尿病的效果

目的探讨恩格列净联合二甲双胍治疗2型糖尿病(T2DM)的效果。方法选取2018年11月至2020年2月河北省邯郸市第一医院内分泌科就诊的200例T2DM患者,按随机数字表法分为对照组和观察组,每组各100例。其中,对照组给予二甲双胍,观察组给予恩格列净联合二甲双胍,疗程均为12个月。治疗后比较两组糖代谢指标、心脏超声检测指标、体重、平均动脉压、钠离子、血清尿酸水平,并记录治疗期间不良反应的发生情况。结果治疗后两组空腹血糖、餐后2 h血糖、糖化血红蛋白水平均低于治疗前,且观察组低于对照组(P<0.05)。治疗后两组E峰、LVEF、LV质量指数均降低,且观察组均优于对照组(P<0.05)。治疗后两组体重、平均动脉压、钠离子、血清尿酸水平均低于治疗前,且观察组低于对照组(P<0.05)。治疗后两组不良反应总发生率比较,差异无统计学意义(P>0.05)。结论恩格列净联合二甲双胍治疗T2DM能提高患者血糖控制度,并通过调节患者血糖,降低患者体重、血清尿酸,维持血压及钠离子水平,保护T2DM患者心血管系统。

糖尿病足混合细菌感染特征及影响因素分析

目的探讨糖尿病足混合细菌感染特征及影响因素。方法选取我院2010年6月—2017年3月收治的糖尿病足溃疡114例,观察细菌培养结果,比较混合细菌感染例数、菌谱特征及耐药性,分析混合细菌感染影响因素。结果本组细菌培养阳性105例,其中单一细菌感染59例(56.2%),混合细菌感染46例(43.8%),且混合细菌感染率随着病情严重程度的升高而升高。混合细菌感染以革兰阳性菌+革兰阴性菌、革兰阴性菌+革兰阴性菌为主,且混合细菌感染中多重耐药菌感染20例,感染率为43.5%,培养多重耐药菌32株,居前三位分别为金黄色葡萄球菌、大肠埃希菌、铜绿假单胞菌。Logistic逐步回归分析显示,足部溃疡病程、抗生素药物史、Wagner分级、踝臂指数、经皮氧分压是糖尿病足混合细菌感染的危险因素。结论了解混合细菌感染特征及相关影响因素,加强抗感染及预防措施,可改善糖尿病足患者预后。

糖尿病足感染的发病机制及病原菌特征研究进展

糖尿病足是指发生于糖尿病患者的局部神经异常和下肢远端血管病变相关的足部感染、溃疡和(或)深层组织破坏,是糖尿病下肢神经病变与血管病变共同作用的结果。15%~25%的糖尿病患者并发糖尿病足,若病情得不到有效控制,严重者可出现足部坏疽,甚至截肢[1-2],给患者带来巨大的生活压力和经济负担[3]。糖尿病患者的免疫功能降低,易导致细菌感染,是糖尿病足病情严重的独立危险因素[4]。