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皮秒脉冲隐形切割碳化硅晶圆实验研究
被引量:
1
1
作者
宋燕国
郭旭
+1 位作者
王嫣鸾
郝强
《光学仪器》
2022年第3期88-94,共7页
为了实现高速度切割碳化硅(SiC)晶圆,采用自行研制的高能量皮秒脉冲光纤激光器进行了隐形切割实验。依据切片的截面形貌、表面热损伤区和边缘直线度,分析了皮秒激光器的切割结果,并探究了单脉冲能量和扫描速度对切片质量的影响。结果表...
为了实现高速度切割碳化硅(SiC)晶圆,采用自行研制的高能量皮秒脉冲光纤激光器进行了隐形切割实验。依据切片的截面形貌、表面热损伤区和边缘直线度,分析了皮秒激光器的切割结果,并探究了单脉冲能量和扫描速度对切片质量的影响。结果表明,当使用中心波长为1030 nm、重复频率为100 kHz、单脉冲能量为20μJ、脉冲宽度约为100 ps的皮秒脉冲隐形切割360μm厚度的SiC晶圆时,切片的质量能够满足实际应用要求,且激光的扫描速度可达400 mm/s,相应的切割速度为44.44 mm/s,高于其他相关报道。
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关键词
光纤激光器
高能量皮秒脉冲
隐形切割
4H-SiC晶圆
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职称材料
题名
皮秒脉冲隐形切割碳化硅晶圆实验研究
被引量:
1
1
作者
宋燕国
郭旭
王嫣鸾
郝强
机构
上海理工大学光电信息与计算机工程学院
出处
《光学仪器》
2022年第3期88-94,共7页
基金
国家重点研发项目计划(2018YFB0407100)。
文摘
为了实现高速度切割碳化硅(SiC)晶圆,采用自行研制的高能量皮秒脉冲光纤激光器进行了隐形切割实验。依据切片的截面形貌、表面热损伤区和边缘直线度,分析了皮秒激光器的切割结果,并探究了单脉冲能量和扫描速度对切片质量的影响。结果表明,当使用中心波长为1030 nm、重复频率为100 kHz、单脉冲能量为20μJ、脉冲宽度约为100 ps的皮秒脉冲隐形切割360μm厚度的SiC晶圆时,切片的质量能够满足实际应用要求,且激光的扫描速度可达400 mm/s,相应的切割速度为44.44 mm/s,高于其他相关报道。
关键词
光纤激光器
高能量皮秒脉冲
隐形切割
4H-SiC晶圆
Keywords
fiber laser
high energy picosecond pulse
stealth dicing
4H-SiC wafer
分类号
O437 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
皮秒脉冲隐形切割碳化硅晶圆实验研究
宋燕国
郭旭
王嫣鸾
郝强
《光学仪器》
2022
1
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