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80mm灵敏直径辐射探测器 被引量:1
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作者 宋献才 张茜梅 张莉 《信息与电子工程》 2003年第4期312-314,共3页
介绍了灵敏直径80mmPIN辐射探测器的设计方法和结构特点,简述了探测器制作工艺流程,给出了探测器的静态参数测试结果。
关键词 PIN辐射探测器 设计 制作工艺 灵敏直径 静态参数 电子测量仪器
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组合PIN探测器对γ、中子脉冲辐射补偿效果研究 被引量:1
2
作者 朱学彬 杨洪琼 +4 位作者 唐正元 彭太平 杨高照 李林波 宋献才 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期74-76,96,共4页
提出了一种新的硅PIN探测器组合结构,使其适用于n、γ混合脉冲辐射场中脉冲中子的测量。分别利用三通道脉冲γ发生器和DPF脉冲中子发生器对组合PIN探测器的γ和中子辐射补偿效果进行了测量研究,实验结果表明组合PIN探测器的γ和中子辐... 提出了一种新的硅PIN探测器组合结构,使其适用于n、γ混合脉冲辐射场中脉冲中子的测量。分别利用三通道脉冲γ发生器和DPF脉冲中子发生器对组合PIN探测器的γ和中子辐射补偿效果进行了测量研究,实验结果表明组合PIN探测器的γ和中子辐射补偿效果均达97%以上。 展开更多
关键词 效果研究 PIN 中子辐射 三通道 实验结果 探测器 补偿 混合 组合结构
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提高电流型PIN探测器灵敏度的方法研究 被引量:1
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作者 胡孟春 叶文英 +3 位作者 唐章奎 宋献才 唐正元 李忠宝 《国外电子测量技术》 2005年第1期2-4,共3页
研究并采用增加灵敏体积的方法,研制出60mm×600μmPIN探测器,成功实现了探测器灵敏度要求为10-15~10-16C·cm2/MeV范围的辐射测量;研究并采用将数个PIN探测器串接起来形成阵列的方法,已研制出80mm×800μmPIN新型阵列... 研究并采用增加灵敏体积的方法,研制出60mm×600μmPIN探测器,成功实现了探测器灵敏度要求为10-15~10-16C·cm2/MeV范围的辐射测量;研究并采用将数个PIN探测器串接起来形成阵列的方法,已研制出80mm×800μmPIN新型阵列探测器,成功使探测器灵敏度调节范围达到10-14~10-15C·cm2/MeV。有效解决了光电探测器和以前国产硅PIN探测器在该灵敏度范围的测量困难。 展开更多
关键词 PIN 电流型 阵列探测器 灵敏度 体积 方法研究 光电探测器 辐射测量 有效解 国产
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φ80mm×800μm硅PIN新型阵列探测器 被引量:2
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作者 胡孟春 叶文英 +3 位作者 唐章奎 李忠宝 宋献才 唐正元 《信息与电子工程》 2005年第2期141-143,152,共4页
为了满足在脉冲γ辐射测量中对测量动态范围大、对中子相对不灵敏、而对γ灵敏且γ灵敏度约10-14C?cm2的电流型探测器的要求,介绍一种新型半导体探测器的物理设计思想,提供φ80mm×800μmPIN阵列探测器实物照片和部分性能参数测量... 为了满足在脉冲γ辐射测量中对测量动态范围大、对中子相对不灵敏、而对γ灵敏且γ灵敏度约10-14C?cm2的电流型探测器的要求,介绍一种新型半导体探测器的物理设计思想,提供φ80mm×800μmPIN阵列探测器实物照片和部分性能参数测量结果。结果表明:可以通过改变构成探测器阵列的单一PIN探测器数量,使探测器阵列系统灵敏度在10-15~10-14C?cm2范围附近调节;当供电电压大于600V时,灵敏度已基本稳定;构成阵列探测器的单个探测器数量越多,时间响应波形展宽越多。 展开更多
关键词 电子技术 阵列探测器 辐射测量 PIN探测器 灵敏度
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组合P IN脉冲中子探测器的能量响应
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作者 杨洪琼 朱学彬 +6 位作者 杨建伦 李波均 彭太平 唐正元 杨高照 李林波 宋献才 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期508-510,共3页
组合P IN脉冲中子探测器由一对P IN半导体和中子辐射体组成。理论计算了CH2和235U分别作为中子辐射体的组合P IN脉冲中子探测器的灵敏度随中子能量的变化;用脉冲中子源实验测量了由CH2辐射体组成的探测器的14M eV中子灵敏度,实验结果与... 组合P IN脉冲中子探测器由一对P IN半导体和中子辐射体组成。理论计算了CH2和235U分别作为中子辐射体的组合P IN脉冲中子探测器的灵敏度随中子能量的变化;用脉冲中子源实验测量了由CH2辐射体组成的探测器的14M eV中子灵敏度,实验结果与计算符合很好。 展开更多
关键词 硅半导体 脉冲中子探测器 中子灵敏度 能量响应
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φ50mm大面积探测器研制
6
作者 宋献才 《电子技术参考》 1999年第4期78-82,共5页
叙述了大面积探测器的设计方法结构特点以及它的用途和发展趋势,简述了探测器的研制工艺,探测器的暗电流测试及探测器的动态参数测试与分析,给出了探测器的静态参数和动态以数测试结果。
关键词 探测器 核辐射 辐射探测器
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新型PIN阵列探测器的灵敏度实验测量
7
作者 胡孟春 叶文英 +3 位作者 李忠宝 唐章奎 宋献才 唐正元 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2004年第z1期104-108,共5页
φ80mm×800μmPIN阵列探测器是国内近年新研制的一种新型半导体探测器,本工作在强钴源放射性源场中测量了供电电压对阵列探测器灵敏度的影响,构成阵列的探测器数量对灵敏度的影响.实验测量结果表明:当探测系统的供电电压在600V至10... φ80mm×800μmPIN阵列探测器是国内近年新研制的一种新型半导体探测器,本工作在强钴源放射性源场中测量了供电电压对阵列探测器灵敏度的影响,构成阵列的探测器数量对灵敏度的影响.实验测量结果表明:当探测系统的供电电压在600V至1000V之间时,该阵列探测器的灵敏度波动变化较小;构成探测器阵列的单一PIN探测器数量越多,该阵列探测器的灵敏度越大.该探测器阵列灵敏度大于1×10-14C·cm2. 展开更多
关键词 阵列探测器 PIN探测器 灵敏度 辐射测量 供电
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电流型大面积PIN探测器 被引量:16
8
作者 欧阳晓平 李真富 +7 位作者 张国光 霍裕昆 张前美 张显鹏 宋献才 贾焕义 雷建华 孙远程 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期1502-1505,共4页
研制了灵敏区面积为4 0 ,5 0和6 0mm ,耗尽层厚度为 2 0 0— 30 0 μm的电流型大面积薄型PIN半导体探测器 ,并对其物理性能进行了测量 .测试和应用表明 ,这些探测器性能稳定 ,漏电流符合使用要求 .与市场上的大面积PIN半导体探测... 研制了灵敏区面积为4 0 ,5 0和6 0mm ,耗尽层厚度为 2 0 0— 30 0 μm的电流型大面积薄型PIN半导体探测器 ,并对其物理性能进行了测量 .测试和应用表明 ,这些探测器性能稳定 ,漏电流符合使用要求 .与市场上的大面积PIN半导体探测器相比 ,这些探测器主要在几百伏偏压下工作在电流模式 ,但也可用于计数模式 ,而目前的商用产品仅适用于计数测量 . 展开更多
关键词 电流型大面积PIN探测器 半导体探测器 辐射探测器 粒子研究
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用于n,γ混合场的新型脉冲中子探测器研究 被引量:5
9
作者 杨洪琼 朱学彬 +2 位作者 杨高照 李林波 宋献才 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期3321-3325,共5页
新型脉冲中子探测器采用特殊工艺将两个PIN半导体组合而成 .利用脉冲γ辐射源研究了探测器对γ的响应 ;利用脉冲中子源研究了探测器对DT中子的响应 ,并与闪烁探测器进行了比较 .结果表明 :脉冲中子探测器对脉冲γ辐射基本不灵敏 ,对脉... 新型脉冲中子探测器采用特殊工艺将两个PIN半导体组合而成 .利用脉冲γ辐射源研究了探测器对γ的响应 ;利用脉冲中子源研究了探测器对DT中子的响应 ,并与闪烁探测器进行了比较 .结果表明 :脉冲中子探测器对脉冲γ辐射基本不灵敏 ,对脉冲中子辐射的灵敏程度依赖于中子辐射体 ,是一种用于n 。 展开更多
关键词 新型 混合 研究 工艺 Γ辐射 脉冲中子源 探测器 中子辐射 辐射场 组合
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用于脉冲γ强度测量的Ф60,1000μmPIN探测器 被引量:8
10
作者 欧阳晓平 李真富 +1 位作者 霍裕昆 宋献才 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期1353-1357,共5页
采用电阻率为10000-20000Ω·cm的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为φ60mm,耗尽层厚度-1000μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n... 采用电阻率为10000-20000Ω·cm的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为φ60mm,耗尽层厚度-1000μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n分辨等物理参数进行了测量和分析,结果表明,这类探测器可满足低强度裂变n/γ混合场中脉冲γ强度测量的需要. 展开更多
关键词 大面积 电流型 半导体探测器 强度测量
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对γ不灵敏的PIN脉冲中子探测器 被引量:3
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作者 杨洪琼 朱学彬 +5 位作者 彭太平 唐正元 杨高照 李林波 宋献才 胡孟春 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2004年第7期744-748,共5页
将PIN半导体制作成特殊组合结构的PIN脉冲中子探测器 ,利用三通道装置产生的γ脉冲和中子发生器DT反应产生的 14MeV中子脉冲对探测器进行了研究 .结果表明 :PIN脉冲中子探测器对脉冲γ辐射不灵敏 ,对脉冲中子辐射的灵敏程度依赖于中子... 将PIN半导体制作成特殊组合结构的PIN脉冲中子探测器 ,利用三通道装置产生的γ脉冲和中子发生器DT反应产生的 14MeV中子脉冲对探测器进行了研究 .结果表明 :PIN脉冲中子探测器对脉冲γ辐射不灵敏 ,对脉冲中子辐射的灵敏程度依赖于中子辐射转换靶 ,探测器的信噪比达到30∶1,是一种在中子。 展开更多
关键词 PIN探测器 脉冲中子测量 γ脉冲 中子辐射 信噪比 高能物理实验
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组合PIN脉冲中子探测器灵敏度研究 被引量:2
12
作者 朱学彬 杨洪琼 +4 位作者 杨健伦 李波均 杨高照 李林波 宋献才 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2004年第9期991-993,共3页
对新型组合PIN脉冲中子探测器的灵敏度进行了研究 ,实验测量探测器的DT中子灵敏度和γ相对灵敏度 ,用Monte Carlo方法计算了探测器的中子灵敏度 .实验测量和计算表明 :通过转换靶的选取 ,组合PIN探测器的中子灵敏度在一定范围内连续可... 对新型组合PIN脉冲中子探测器的灵敏度进行了研究 ,实验测量探测器的DT中子灵敏度和γ相对灵敏度 ,用Monte Carlo方法计算了探测器的中子灵敏度 .实验测量和计算表明 :通过转换靶的选取 ,组合PIN探测器的中子灵敏度在一定范围内连续可调 ,组合PIN探测器对γ的灵敏度比普通PIN探测器低 2个量级 ,是一种对γ不灵敏的新型脉冲中子探测器 . 展开更多
关键词 灵敏度 PIN探测器 脉冲中子测量 聚乙烯靶 MONTE-CARLO法 中子物理学
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