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题名GaAs光电阴极原位光谱响应测试技术研究
被引量:14
- 1
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作者
钱芸生
宗志圆
常本康
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机构
南京理工大学电子工程与光电子技术学院
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出处
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2000年第5期305-307,共3页
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文摘
阐述了GaAs光电阴极的原位光谱响应曲线的测试原理 ,介绍了GaAs光电阴极激活和评估系统 ,该系统可在GaAs光电阴极激活过程中在线测试其在 40 0~ 12 0 0nm之间的光谱响应曲线 ,给出并分析了该系统对反射式GaAs光电阴极的测试结果。结果表明 。
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关键词
砷化镓
光谱响应
量子产额
光电阴极
原位测试
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Keywords
GaAs,Negative electron affinity,Spectral response,Quantum yield
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分类号
O462.3
[理学—电子物理学]
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题名负电子亲和势光电阴极评估技术研究
被引量:10
- 2
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作者
钱芸生
宗志圆
常本康
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机构
南京理工大学电子工程与光电技术学院
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出处
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2001年第6期445-447,451,共4页
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文摘
阐述了负电子亲和势 (NEA)光电阴极的评估原理 ,用NEA光电阴极的量子产额理论曲线对测试获得的实验曲线进行拟合 ,可以获得光电阴极的表面逸出概率、载流子扩散长度和后界面复合速率等参数。介绍了NEA光电阴极激活和评估系统 ,利用该系统对国产的反射式GaAs基片进行了激活和评估 ,文中给出并分析了测试结果。
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关键词
负电子亲和势
光电阴极
量子产额
表面逸出概率
扩散长度
性能评估
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Keywords
Diffusion
Electron optics
Quantum efficiency
Semiconducting gallium arsenide
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分类号
O462
[理学—电子物理学]
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