纳米阵列膜磁性质的蒙特卡罗模拟

计算机的模型数字模拟是进行新一代超高密度磁记录材料的研究和开发的重要手段。本文介绍了利用蒙特卡罗方法研究纳米阵列膜的磁性质的基本思想、目前取得的主要结果、面临的问题和可能的解决办法。

压力下Si/Ge超晶格热电材料的声子谱和群速度

利用面心立方模型和晶格动力学理论计算了Si/Ge超晶格材料的纵向(z)和横向(x)声学声子谱,用半解析的方法计算了声学声子传播的群速度.计算结果表明,纵向声子谱有简并的现象,横向声子谱没有简并,在布里渊区的中心和边界,纵向和横向声子的群速度几乎减小为零.引入流体静力学压力并修正应变存在时的力常数,研究了应变对超晶格材料声子谱和群速度的影响,结果表明,静压使声学声子的频率系统性上升,使声学声子的群速度明显增大.

铁磁纳米阵列膜温度稳定性的损伤扩散研究

利用损伤扩散方法研究了三角点阵量子磁盘的温度稳定性问题.为建立实际体系的伊辛模型,我们作了三方面考虑:1)计入自旋间的长程相互作用;2)考虑纳米线阵列中纳米线长度的不一致性,3)推导出矫顽力与自旋交换常数间的关系并利用矫顽力定量估算出自旋交换常数的数值.模拟结果表明,自旋间的作用范围越长,损伤扩散越难,即稳定性越好;而纳米线的长度混乱度越大,温度稳定性越差.