NiTi形状记忆薄膜的力学性能

利用直流或射频磁控溅射法溅射沉积非晶NiTi合金薄膜研究了550℃晶化热处理0．5h的51．6％Ni－Ti形状记忆薄膜的力学性能．弯曲和拉伸实验结果表明：自由状态的NiTi薄膜具有良好的形状记忆效应．形状记忆的恢复率几乎接近100％．与相同组分和相同热处理条件下的块体合金材料的形状记忆性能的实验数据相比较是相当的．

NiTi形状记忆薄膜的溅射制备及晶化热处理工艺

用磁控溅射法制备了NiTi非晶薄膜。薄膜无形状记忆效应。研究了经不同晶化热处理后的形状记忆效应 ,获得的最佳晶化热处理条件为 5 0 0～ 70 0℃范围内晶化 0 5h。

微驱动器的原理与应用

为了优化设计微驱动器,笔者通过对比近年来各种微驱动器的研究和发展,系统地概括总结了微驱动器所采用的主要的驱动原理、驱动方式和加工技术及其存在的优缺点等。并在此基础上,首次将微驱动器按功能进行了分类。

溅射制备NiTi薄膜的马氏体相变

研究溅射制备的NiTi薄膜的马氏体相变行为．电阻随温度的变化曲线以及变温X射线衍射实验表明，当温度由400℃连续下降到-180℃时，NiTi薄膜发生了B2→R→B19'以及B2→B19'相变．

铁磁NiMnGa形状记忆合金研究的新进展

铁磁NiMnGa形状记忆合金在磁场控制下不仅具有可与形状记忆合金相比的、大的输出应变和应力,而且具有高的能量密度和可与压电材料相比的、高的频率响应和可精确控制的特性。系统阐述了近年来铁磁Ni-Mn-Ga系统的结构、微结构、相变机理、形状记忆效应及其在应用方面的一些新的研究成果,着重澄清了一些易混淆的基本概念,并探讨了存在的问题和可能的解决途径。

电沉积坡莫合金薄膜的结构和纵向磁阻抗效应(英文)

采用电沉积法制备了厚度为1.1μm到6.9μm的坡莫合金薄膜.经X-射线衍射分析.其结构为fcc 结构,其中NiFe(111)衍射峰的强度明显增强.该薄膜的磁滞回线测量结果表明:其矫顽力随着薄膜厚度的增加而减小.在交流I(?)=6 mA,频率范围在0.05 kHz到600 kHz的条件下,纵向磁阻抗比随着薄膜厚度的增加而增加,其最小值可达-52%.

用高能球磨制备氧化铁/聚氯乙烯纳米复合材料

运用穆斯堡尔谱、TEM、XRD方法研究了Fe3O4／聚氯乙烯（PVC）粉末高能球磨产物，发现有超顺磁性α-Fe2O3生成，其形成原因可能是聚合物在空气中降解,生成含氧官能团与Fe3O4相互作用.

高能球磨法制备铁/聚四氟乙烯纳米复合材料

高能球磨法制备了铁 /聚四氟乙烯纳米复合材料 ,其形貌与结构采用高分辨透射电镜与穆斯堡尔谱方法进行研究 ,高分辨透射电镜照片显示铁颗粒周围有非晶状边界存在 ,铁粒子的平均粒径约为 8nm。穆斯堡尔谱结果表明有二价铁以及界面谱叠加在原有的α

化学镀BeCu/NiFeB丝巨磁阻抗效应研究

用化学镀的方法,在100μm BeCu丝上沉积了NiFeB薄膜镀层。研究了退火温度和驱动电流频率对样品巨磁阻抗效应的影响。观察到200℃退火后样品最大巨磁阻抗效应为33％。在BeCu丝与NiFeB镀层之间加入绝缘层后,最大巨磁阻抗效应提高到83％。

高能球磨法制备聚合物—氧化铁纳米复合材料

采用高能球磨法制备聚合物—氧化铁纳米复合材料，平均粒径为10nm，Mossbauer测量显示有超顺磁性。XRD测试与Mossbauer谱参数都证明有纳米α－Fe2O3微晶生成。

FeNi软磁镀层巨磁阻抗效应的研究

用异常共沉积电镀的方法，在ＢｅＣｕ基片上镀制Ｆｅ２０＋δＮｉ８０－δ镀层。主要研究阴极电流密度和电镀时间对镀层的磁性和磁阻抗效应的影响。ＦｅＮｉ镀层的磁阻抗特性同材料的软磁性能密切相关。观察到最大的磁阻抗效应达３５％。

纵向驱动巨磁阻抗效应的相位特性

作者测定了 98MPa应力退火生成的Fe73Cu1 Nb1 .5V2 Si1 3 .5B9纳米微晶带纵向驱动磁阻抗的相频曲线和不同频率的相位随外磁场变化的规律。从相频曲线的峰位可确定样品的特征频率。从不同频率驱动场下磁阻抗的相位随外磁场变化的规律 ,说明了纵向驱动巨磁阻抗效应在小于特征频率时是磁电感效应 ,大于特征频率时是磁阻抗效应 ,且在高频时主要是与畴壁移动磁化的阻尼而引起的磁损耗密切有关。

Mg(PO_3)_2-AlF_3-PbF_2系统玻璃振动光谱的研究

由FT—IR和Raman光谱的结果得出:该三元系统玻璃在高磷区为偏磷酸盐结构。其结构网络主要由[O=PO_Z四面体组成的链状和少许环状分子构成。随着PbF_2含量的增加,链开始断裂。当过渡到中磷区时,又主要以[Al(O,F)_4]和[P(O,F)_4]四面体及焦磷酸盐结构状态存在。当[Al(O,F)_4]和[P(O,F)_4]两者的比值为1∶1时,将无法形成玻璃。实验结果还指出,上述系统在中磷区的形成玻璃的范围是很小的。到低磷区时,由磷氧构成的网络几乎不存在,仅以孤立的[P(O,F)_4]四面体即氟正磷酸盐结构存在,同时双键氧P=O也消失。

铝氟磷酸盐系统玻璃的研究

本工作首次由实验获得了R_1(PO_3)_2-AlF_2-R_2F_2(R_1:Mg、Sr;R_2:Zn、Cd、Pb)和Mg(H_2PO_4)_2-AlF_3-ZnF_2等7个新的相图。利用FT-IR、Raman、XRD、DTA、ESCA等技术首次研究了其中的Mg(PO_3)_2-AlF_3-PbF_2系统的性质与结构及晶化机理。建立了本系统玻璃的结构模型。推导出了新的计算活化能和Avrami指数的公式。

Na_2O-B_2O_3-Ta_2O_5系统玻璃红外光谱的研究

本文首次系统地研究了Na_2O—B_2O_3—Ta_2O_5。三元新系统的红外光谱,分析了B_2O_3、Ta_2O_5含量的变化对玻璃结构的影响。结果表明:随着Na_2O/B_2O_3比值的减小,结构中:[BO_4]四面体减小,[BO_3]三角体增加。随着Ta_2O_5含量的增加,[BO_4]四面体的数量增多,非桥氧的数量减少,表明Ta^(5+)可以连结非桥氧,形成网络。

上海道台吴健彰身世考订

根据有关奏折、广东香山县《吴氏族谱》和方志等资料,结合实地考察,考证可得:一,上海道台吴健彰名为吴天显,号道甫;其胞弟是广东同顺行行商吴天垣,此可纠正长期以来因资料不足而导致的对吴健彰名号及其与吴天显和吴天垣关系的误解。二,吴健彰生于1791年4月8日,卒于1866年7月18日,终年76岁(虚岁)。三,吴健彰为广东香山翠微人。吴氏家族由福建福州府东门外水头村辗转迁徙到广东香山等地,由此繁衍海内外。据此,可纠正相关族谱、方志和文献等资料中的一些误传。

溅射制备NiTi薄膜的表面组态对晶化热处理的影响

溅射制备的NiTi薄膜因其在智能薄膜系统中的广泛应用而受到重视.通常情况下,溅射制备获得的NiTi薄膜是非晶.而非晶Ni-Ti薄膜没有形状记忆效应,因此要进行晶化热处理.但是,在较高温度和/或较长时间下晶化热处理时,我们发现有挥发物出来.分析结果表明其成分为Ti,在仪器的测量误差范围内,没有探测到Ni的存在.Ti的挥发导致表面腐蚀,并使薄膜的质量下降.如果假设NiTi薄膜的表面与内部组分是均匀一致的.那么,根据平衡蒸气压原理,就应该在挥发物中同时测量到Ti和Ni的成分.因此,只有弄清这个问题,才能够有目的地改进制备工艺.为获得高质量的薄膜打下基础.