随着高功率半导体器件的发展,电子封装结构面临高温、大电流的服役环境,同时也给电子封装材料的选用带来了巨大的挑战。Sn Pb系焊料逐渐被禁用,无铅Sn Ag Cu系焊料的低熔点难以匹配宽禁带半导体的极限工作环境。作为高温封装材料最具潜...随着高功率半导体器件的发展,电子封装结构面临高温、大电流的服役环境,同时也给电子封装材料的选用带来了巨大的挑战。Sn Pb系焊料逐渐被禁用,无铅Sn Ag Cu系焊料的低熔点难以匹配宽禁带半导体的极限工作环境。作为高温封装材料最具潜力的候选者,纳米银浆具有低温烧结、高温服役的特性,固态银的理论熔点可达961℃,在航空航天、电动汽车等领域具有广泛的应用前景。受纳米银浆料成分和烧结工艺的影响,烧结纳米银封装结构内部存在大量孔洞。在实际应用中,内部孔洞的演变导致烧结纳米银的力学性能劣化直至失效。展开更多
文摘随着高功率半导体器件的发展,电子封装结构面临高温、大电流的服役环境,同时也给电子封装材料的选用带来了巨大的挑战。Sn Pb系焊料逐渐被禁用,无铅Sn Ag Cu系焊料的低熔点难以匹配宽禁带半导体的极限工作环境。作为高温封装材料最具潜力的候选者,纳米银浆具有低温烧结、高温服役的特性,固态银的理论熔点可达961℃,在航空航天、电动汽车等领域具有广泛的应用前景。受纳米银浆料成分和烧结工艺的影响,烧结纳米银封装结构内部存在大量孔洞。在实际应用中,内部孔洞的演变导致烧结纳米银的力学性能劣化直至失效。