基于树选择的TAN分类器

通过对朴素贝叶斯(NBC)分类器与传统的基于树扩展的贝叶斯(TAN)分类器的分析,对TAN分类器进行改进,提出CTAN分类器。朴素贝叶斯分类器对非类属性独立性进行完全独立假设,传统TAN则弱化所有属性的独立性,提出的CTAN则是通过操作TAN保留对数对部分相关属性有选择的进行弱化。CTAN改进的方向主要是对属性关系树的部分利用,通过实验证明,CTAN要优于传统TAN分类器。

应用于防汛的树选择贝叶斯分类器研究

防汛物资调用是黄河防汛至关重要的一环,为实现防汛物资合理调配,基于树选择贝叶斯分类器(CTAN),建立一种数据模型,运用于智慧黄河平台物资调度模块中。CTAN分类模型实现了险情分级、险情物资实时调度等功能。考虑到物资数量、路况、险情程度、行政区域等问题,对于数据属性,CTAN分类保留对数进行分析。研究结果为防汛物资调动提供了决策依据。

黑硅技术的专利分析

针对黑硅技术进行专利技术综述分析,对国内外专利申请情况进行梳理,为国内黑硅技术研究发展提供参考。

低温退火对重掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用

通过对比研究重掺砷直拉硅片和轻掺n型直拉硅片经过低温(450—800℃)和高温(1000℃)两步退火的氧沉淀行为,阐明了低温退火对重掺掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用.研究指出:重掺砷硅片在450℃和650℃退火时的氧沉淀形核比在800℃退火时更显著,这与轻掺硅片的情况截然相反;此外,与轻掺硅片相比,重掺砷硅片在450℃和650℃退火时氧沉淀的形核得到增强,而在800℃退火时氧沉淀的形核受到抑制.分析认为,重掺砷硅片在450℃和650℃退火时会形成砷-空位-氧(As-V-O)复合体,它们促进了氧沉淀的形核;而在800℃退火时As-V-O复合体不能稳定的存在而缺少氧沉淀形核的前驱体,并且重掺砷会导致硅晶体中的晶格压应力,因此氧沉淀形核被显著地抑制.实验还表明,在重掺砷硅片中掺入氮杂质可以促进低温退火时的氧沉淀形核,这种促进作用在800℃退火时表现得更加明显,这与氮引入的异质形核中心有关.