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高温超导薄膜GdBa_2Cu_3O_(7-x)的制备和分析
被引量:
1
1
作者
易怀仁
王瑞兰
+6 位作者
李宏成
陆斌
刘维
陈元
尹渤
容锡深
李林
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第8期502-508,T001,T002,共9页
我们用原位直流磁控溅射的方法,在(100)SrTiO_3,(110)SrTiO_3,(100)LaAlO_3和(100)Zr(Y)O_2衬底上制备了高质量外延生长的GdBa_2Cu_3O_(7-s)高温超导薄膜,重复性非常好.在这四种衬底上生长的超导薄膜最高零电阻转变温度 Tco分别为 93.2...
我们用原位直流磁控溅射的方法,在(100)SrTiO_3,(110)SrTiO_3,(100)LaAlO_3和(100)Zr(Y)O_2衬底上制备了高质量外延生长的GdBa_2Cu_3O_(7-s)高温超导薄膜,重复性非常好.在这四种衬底上生长的超导薄膜最高零电阻转变温度 Tco分别为 93.2、93.1、92.6和 92.5K,77K零场下的临界电流密度分别为 3.0 ×10~6,3 × 10~5,3.6 ×10~6和 1.4 × 10~6A/cm^2.我们用扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM),反射高能电子衍射(RHEED)和不同几何结构的X射线衍射研究了薄膜的结构,这些研究结果证明薄膜系外延生长的.
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关键词
GDBACUO
超导薄膜
制造
磁控溅射
下载PDF
职称材料
题名
高温超导薄膜GdBa_2Cu_3O_(7-x)的制备和分析
被引量:
1
1
作者
易怀仁
王瑞兰
李宏成
陆斌
刘维
陈元
尹渤
容锡深
李林
机构
中国科学院物理研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第8期502-508,T001,T002,共9页
基金
国家自然科学基金
国家超导技术研究与发展中心
中国科技大学结构开放实验室资助
文摘
我们用原位直流磁控溅射的方法,在(100)SrTiO_3,(110)SrTiO_3,(100)LaAlO_3和(100)Zr(Y)O_2衬底上制备了高质量外延生长的GdBa_2Cu_3O_(7-s)高温超导薄膜,重复性非常好.在这四种衬底上生长的超导薄膜最高零电阻转变温度 Tco分别为 93.2、93.1、92.6和 92.5K,77K零场下的临界电流密度分别为 3.0 ×10~6,3 × 10~5,3.6 ×10~6和 1.4 × 10~6A/cm^2.我们用扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM),反射高能电子衍射(RHEED)和不同几何结构的X射线衍射研究了薄膜的结构,这些研究结果证明薄膜系外延生长的.
关键词
GDBACUO
超导薄膜
制造
磁控溅射
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高温超导薄膜GdBa_2Cu_3O_(7-x)的制备和分析
易怀仁
王瑞兰
李宏成
陆斌
刘维
陈元
尹渤
容锡深
李林
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991
1
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职称材料
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