金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究

利用金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/ Ni的低温晶化 ,MIC晶化温度能降低到 44 0℃ .采用 XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了 Ni- MIC多晶硅薄膜的特性 ,对薄膜结构和组成进行了分析 。

周边集成AMLCD的信号失真和缓冲寄存器TFT尺寸计算

建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型。利用 Ｔ Ｆ Ｔ 的线性近似和 Ｅｌｍ ｏｒｅ 模型， 计算了周边驱动电路中的信号失真， 讨论了栅延迟与金属栅电极材料的关系及对 Ｔ Ｆ Ｔ 开态电阻的要求。