P型衬底浓度对外延电阻率一致性的影响

硅外延作为一种性能优良的半导体材料,为各类硅集成电路的发展提供了坚实、可靠的物质基础。其中P/P+硅外延片主要应用在超大规模集成电路和功率器件中[1],在气相外延(CVD)中,由于P型衬底中的硼固态扩散和自掺杂较重,其外延电阻率一致性难以控制。而且衬底浓度的变化对外延电阻的一致性也是颇为敏感。本文通过实验,阐述P型衬底浓度对外延一致性的影响,总结通过变流量赶气、调节本征厚度来改善,并对外延工艺初期设计提出建议。

快恢复二极管位错分析方法

本文通过实验方法分析了快恢复二极管在扩铂工序与外延工序产生的位错的位置不同。通过实验,给出了如何判定快恢复二极管中位错是在哪个工序产生的方法。并通过对比的方法解决了表面损伤给腐蚀缺陷判定带来的干扰。为快恢复二极管工艺失效分析时,提供了一种有效手段。

掺Sb衬底外延片厚度测量及误差分析

通过对不同测试机台进行对比,找出了各个机台厚度测量的最优测试方案;通过对红外膜测量厚度波峰的研究,缩小了掺Sb衬底外延层厚度测量偏差。对生长工艺进行改善,增大了红外干涉峰的强度,提高了红外膜厚度测试效率!