体外模拟胃肠消化过程中黑果腺肋花楸果提取物活性成分及其抗氧化作用变化规律

通过体外模拟,探究黑果腺肋花楸果提取物胃肠消化过程中的活性成分及抗氧化作用变化规律。采用紫外分光光度法测定黑果腺肋花楸果提取物口腔消化液、胃消化液、肠消化液、肠透析液以及黑果腺肋花楸果提取物溶液5种样品中总黄酮、多酚、花青素、原花青素含量变化;同时,检测5种样品对羟基自由基、DPPH自由基、ABTS+自由基、超氧阴离子自由基的清除能力。结果表明:黑果腺肋花楸果提取物中原花青素含量最高,为(333.86±3.46)mg/g,其次是多酚,花青素含量最少。在模拟消化过程中活性成分变化趋势存在差异,花青素含量在口腔消化液中最多,肠消化液次之,胃消化液和肠透析液中较少;原花青素在口腔消化液中最多,胃消化液中减少,肠消化液和肠透析液中消失。多酚在肠消化液中含量最高,口腔和胃消化液中差距不大,肠透析液中明显减少。模拟消化液清除羟基自由基、DPPH自由基的变化趋势相似,其中口腔消化液抗氧化能力最强(清除羟基自由基IC50值为71μL,强于维生素C,清除DPPH自由基IC50值为13.7μL,弱于维生素C),肠消化液抗氧化能力最弱,而清除ABTS+自由基能力的结果略有不同,清除超氧阴离子自由基的能力有待进一步研究。通过研究结果可以看出黑果腺肋花楸果提取物消化产物具有潜在的抗氧化活性,并与相关活性成分含量具有一定相关性。

袁启凯:为善如筑台 成功由积累

北海的轻风吹去了他眼镜上的雾气,让他坚毅专注的眼神更添了一些自信。尽管汗水浸透了后背,站在国赛赛场上的他顶住压力,将训练了千百遍的电力电缆安装运维实操技术完美发挥出来。经过4天的激烈角逐,他最终斩获了个人一等奖的好成绩。他是南方电网广西南宁供电局入企仅四年的袁启凯。这4年间,他从一位技术“小白”逐渐成长为技术精英、竞赛能手。挫折为梯,勤奋作伴——对他来说成长是一段不断攀登的征程。

宏观调控政策下房地产企业融资现状分析

近几年,我国经济高速增长,为了确保我国经济持续健康、稳定的发展,政府采取了紧缩银根的货币政策。紧缩银根的货币政策对银行信贷等产生了一定的影响。而作为资金密集型行业的房地产行业,对银行等金融机构的信贷依赖较大,也受到紧缩货币政策较大的影响,房地产企业融资难度加大。在这样的情况下,房地产企业应该充分发展现有的融资模式,并对房地产融资方式进行创新,来确保房地产企业的持续发展。

SRAM静态低功耗设计

在标准的Fabless CMOS工艺线上,由于没有对静态存储器生产进行过专门的工艺优化,在有大规模SRAM嵌入设计的ASIC与SoC电路中,静态电流较大。文章讨论了静态存储器单元静态漏电模式,采用了国内某标准CMOS工艺线提供的0.25μm SPICE模型,使用HSPICE软件对六管静态存储器单元的静态漏电进行了模拟,介绍了一种高可靠、基于0.25μm标准CMOS工艺的低功耗静态存储器设计的解决方案,适用于要求低待机功耗的标准静态存储器、嵌入式静态存储器电路设计。

我国个人住房抵押贷款的风险分析

近几年,个人住房抵押贷款成为我国商业银行贷款投放的重点对象。但是我国市场经济体制发展还不健全,个人住房抵押贷款存在信用、抵押等一系列的风险问题。因此,要采取完善银行的信贷机制、加强个人信贷的风险管理等措施,来确保我国金融市场健康稳定发展。

我国房地产价格与货币供应量的实证分析

房地产行业作为一个资金密集型行业,与货币的供应量有着密切的联系。本文选取1998年1月至2008年10月的全国房地产均价序列和货币供应量序列,通过进行数据的平稳性分析,协整检验,建立VAR模型,进行格兰杰因果分析,运用脉冲响应函数方法研究货币供应量冲击对中国房地产价格的动态影响。

嵌入式Flash Memory Cell技术

本文分析了目前常用的快闪存储器(Flash Memory)存储单元结构,介绍了一种适用于嵌入的单元结构,存储器阵列设计、可靠性设计技术。

廉租房房源问题浅析

廉租房作为解决城镇低收入居民住房问题的主要方式,在解决我国城镇人民住房问题有着非常重要的作用。我国的廉租房制度实施近十年,但一直没有达到预期的效果。房源问题成为限制廉租房发展的一个重要瓶颈。土地和资金是影响房源的两个重要因素,对此,应该保证土地和资金供应、拓展融资渠道等来解决廉租房房源问题。

浅析我国房地产中介问题

近几年,我国的房地产市场迅猛发展,各类房地产中介机构也大量涌现出来。房地产中介行业对推动房地产市场运转起到一定促进作用。但当前我国的房地产中介服务业从总体上看仍在低水平低层次的质态上运行,房地产中介服务企业整体素质不高、绝对数量多、经营行为不规范等很多问题亟待解决。

高兼容CMOS工艺嵌入EEPROM技术

电可擦除只读存储器是非易失性存储器。文章介绍了高兼容常规CMOS工艺的一种嵌入式电可擦除只读存储器设计与工艺技术,对电可擦除只读存储器单元、高压MOS器件的结构与技术进行了研究。研究结果表明,我们设计的0.8μm电可擦除只读存储器单元Vpp电压在13V￣15V之间能够正常工作,擦写时间小于500μs,读出电流大于160μA/μm;在普通CMOS工艺基础上增加了BN+埋层、隧道窗口工艺,成功应用于含嵌入电可擦除只读存储器的可编程电路的设计与制造。

我国征地补偿制度的探讨

我国征地补偿制度形成于计划经济的年代,在市场经济的体制下,现行的征地补偿制度出现了违背市场基本规则、农村土地财产权受限等一系列的问题,本文对现行征地补偿方式存在的问题进行了分析和思考,并从不同角度提出了解决问题的构想对策。

一种带自刷新功能的三模冗余触发器设计

随着体硅CMOS电路工艺尺寸的不断缩小,数字电路在宇宙空间中受到的单粒子效应愈发严重。特别是触发器结构电路,单粒子效应中的单粒子翻转效应会造成触发器内部存储的数据发生错乱,影响电路正常工作。提出了一种带自刷新功能的三模冗余触发器设计,改进了传统三模冗余触发器设计只表决修正输出不刷新错误数据的不足。

与ONO反熔丝FPGA匹配的高压器件设计

描述了一种与ONO反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)匹配的高压nMOSFET的设计.该器件采用中国电子科技集团公司第五十八研究所晶圆的1.0μm 2P2M ONO反熔丝工艺生产实现.该工艺中,通过一次离子注入和高温推进实现了深结HVNwell;通过将高压注入与栅极多晶保持0.2μm的间距解决了增加结深、提高速度与降低穿通击穿电压的矛盾;通过一次离子注入实现了高压nMOSFET阈值电压的调整.测试结果表明:高压nMOSFET的击穿电压达到21～23 V,远大于ONO反熔丝13.5 V的编程电压;饱和电流为4.32 mA,与工艺改进前相比饱和电流明显增大,工作速度得到提升,满足反熔丝FPGA工作频率的要求;阈值电压为0.78 V,与常压器件兼容.

具有低失调电压的新型灵敏放大器设计

由于器件尺寸越来越小,器件之间的失配越来越严重,由器件失配引起的失调电压对灵敏放大器性能的影响越来越大。针对此情况,根据灵敏放大器的工作原理,提出了一种具有失调电压自调整的灵敏放大器,通过增加校准支路来平衡灵敏放大器两边的放电速度,从而降低失调电压,减小其对灵敏放大器性能的影响。基于SMIC 65 nm CMOS工艺的后仿真结果显示,在电源电压1.2 V、TT工艺角、室温条件下,相比于传统的灵敏放大器,该新型灵敏放大器的失调电压的标准偏差降低了61.9%,SRAM的读关键路径延迟降低了25%。

园林苗木种植与后期养护的有效措施探讨

园林绿化苗木的发展前景是十分可观的,但针对与苗木的种植和养护方面,要从大处着眼小处着手。国家可以采取相关政策让苗木的种植养护得到更多人的关注,这样我国苗木的发展才会越来越好,园林绿化在城市中也会逐渐增多,那我们周围生活的环境质量也会随之不断提高,真正的构建绿色社会和谐家园。

基于机器学习的大数据分析和处理

随着信息技术的高速发展,如何对海量复杂数据有效分析是当前重要课题。在语音识别、自然语言处理等数据处理领域,深度学习改变传统机器学习方法。深度学习发展使得各行业使用需求迫切,普通行业使用者需要大量时间成本学习使用。机器学习智能算法可以挖掘频谱大数据中的有用信息,提高频谱资源利用率。介绍机器学习技术,探讨频谱大数据分析机器学习方法,对机器学习的应用前景进行展望。

数字孪生空间引领大数据时代革命

人类社会每一次科学技术的大跃进发展,都伴随着革命性产物的出现,不断推动时代车轮向前滚动,如引领工业革命的蒸汽机、计算机革命的图灵机等等。如今5G时代来临,万物互联,数化万物,海量数据的治理、应用和可视化站在了时代浪潮之巅。本文从数字孪生空间的角度出发,论述了数字孪生空间的变革影响和未来形态,使得数据、网络、平台都能够在数字孪生空间中进行可视化运行,实现数字世界与物理世界一样"活过来了",从思维、架构、形态上,都颠覆了传统信息化的建设模式。

低压VD MOS大功率晶体管设计及其优化

本文着重分析了低压超大电流VDMOS所要解决的技术关健点，并做了深入地理论分析，包括超大流下电流容量、元胞结构、终端结构及相应外延参数等的选取，以获得尽可能大的电流容量和极小的导通电阻、以及较优的耐压性能，最终对一个电流约30A，耐压约60V的芯片进行了流水试验，并获得满意的使用效果。

银根紧缩政策下房地产企业的融资创新

近几年,我国经济高速增长,国内通货膨胀压力持续加大,流动性过剩问题趋于明显,为了确保我国经济持续健康、稳定地发展,政府采取了紧缩银根的货币政策。作为资金密集型的房地产行业,对银行等金融机构的信贷依赖较大,受到紧缩货币政策的影响,房地产企业融资难度有所加大。在这样的情况下,应该充分发展现有的融资模式,并对房地产融资渠道进行扩展和创新,积极探索运用多种融资方式,来确保房地产企业的持续发展。

Effect of phosphorus ion implantation on back gate effect of partially depleted SOI NMOS under total dose radiation

The mechanism of improving the TID radiation hardened ability of partially depleted silicon-oninsulator（SOI） devices by using the back-gate phosphorus ion implantation technology is studied. The electron traps introduced in Si O2 near back Si O2/Si interface by phosphorus ions implantation can offset positive trapped charges near the back-gate interface. The implanted high concentration phosphorus ions can greatly reduce the back-gate effect of a partially depleted SOI NMOS device, and anti-total-dose radiation ability can reach the level of 1 Mrad（Si） for experimental devices.