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TDDI产品Mo-Al-Mo膜层腐蚀原因分析及改善
被引量:
2
1
作者
李森
尚建兴
+7 位作者
张大伟
田露
张鹏曲
肖红玺
郝金刚
黄东升
王威
张学智
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期847-852,共6页
为降低TDDI产品Lead Open型线不良发生率,本文对Lead Open的发生机理进行了研究及改善验证。对TDDI产品生产数据进行了对比,对Mo-Al-Mo结构的SD膜层进行研究,根据以上结果确定改善方案并投入验证。首先,明确了Lead Open发生率与Delay T...
为降低TDDI产品Lead Open型线不良发生率,本文对Lead Open的发生机理进行了研究及改善验证。对TDDI产品生产数据进行了对比,对Mo-Al-Mo结构的SD膜层进行研究,根据以上结果确定改善方案并投入验证。首先,明确了Lead Open发生率与Delay Time的关系。接着,对SD膜层的微观结构进行了表征。然后,根据膜层结构和不同金属的电化学特征,建立了SD膜层电偶腐蚀模型。分析表明:Mo、Al两种金属间存在1.47V的电极电位差,具有很强的电偶腐蚀倾向性,且表层Mo中存在10nm级别的贯穿性孔洞,直径为0.4nm的水分子可轻易渗入,进而引发电偶腐蚀。表层Mo厚度增加25%后,其腐蚀速度较量产条件降低30%,Lead Open发生率降低1.4个百分点,维持在0.1%的较低水平,满足TDDI产品量产对该类不良发生率的要求。
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关键词
TDDI
LEAD
OPEN
电偶腐蚀
电化学
Mo-Al-Mo
下载PDF
职称材料
题名
TDDI产品Mo-Al-Mo膜层腐蚀原因分析及改善
被引量:
2
1
作者
李森
尚建兴
张大伟
田露
张鹏曲
肖红玺
郝金刚
黄东升
王威
张学智
机构
北京京东方光电科技有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期847-852,共6页
基金
京东方TFT良率提升基金~~
文摘
为降低TDDI产品Lead Open型线不良发生率,本文对Lead Open的发生机理进行了研究及改善验证。对TDDI产品生产数据进行了对比,对Mo-Al-Mo结构的SD膜层进行研究,根据以上结果确定改善方案并投入验证。首先,明确了Lead Open发生率与Delay Time的关系。接着,对SD膜层的微观结构进行了表征。然后,根据膜层结构和不同金属的电化学特征,建立了SD膜层电偶腐蚀模型。分析表明:Mo、Al两种金属间存在1.47V的电极电位差,具有很强的电偶腐蚀倾向性,且表层Mo中存在10nm级别的贯穿性孔洞,直径为0.4nm的水分子可轻易渗入,进而引发电偶腐蚀。表层Mo厚度增加25%后,其腐蚀速度较量产条件降低30%,Lead Open发生率降低1.4个百分点,维持在0.1%的较低水平,满足TDDI产品量产对该类不良发生率的要求。
关键词
TDDI
LEAD
OPEN
电偶腐蚀
电化学
Mo-Al-Mo
Keywords
TDDI
Lead open
Galvanic corrosion
electrochemistry
Mo-Al-Mo
分类号
TP391.1 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
TH691.9 [机械工程—机械制造及自动化]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
TDDI产品Mo-Al-Mo膜层腐蚀原因分析及改善
李森
尚建兴
张大伟
田露
张鹏曲
肖红玺
郝金刚
黄东升
王威
张学智
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2017
2
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