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InP衬底上的双载流子倍增雪崩光电二极管结构设计
1
作者
赵华良
彭红玲
+5 位作者
周旭彦
张建心
牛博文
尚肖
王天财
曹澎
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第19期285-291,共7页
雪崩光电二极管因其具有高的倍增被广泛应用于光通信、激光雷达等各种领域,为了适应极微弱信号探测应用场合,需要器件获得更高的增益值.当前雪崩光电二极管一般采用单载流子倍增方式工作,其倍增效果有限.本文设计了一种电子和空穴同时...
雪崩光电二极管因其具有高的倍增被广泛应用于光通信、激光雷达等各种领域,为了适应极微弱信号探测应用场合,需要器件获得更高的增益值.当前雪崩光电二极管一般采用单载流子倍增方式工作,其倍增效果有限.本文设计了一种电子和空穴同时参与倍增的InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As雪崩光电二极管结构,其中吸收层采用In_(0.53)Ga_(0.47)As材料,空穴倍增层采用InP材料,电子倍增层采用In_(0.52)Al_(0.48)As材料,两个倍增层分布在吸收层的上下两侧.采用Silvaco TCAD软件对此结构以及传统单倍增层结构进行了模拟仿真,对比单InP倍增层结构和单In_(0.52)Al_(0.48)As倍增层结构,双倍增层结构在95%击穿电压下的增益值分别约为前两者的2.3倍和2倍左右,由于两种载流子在两个倍增层同时参与了倍增,所以器件具有更大的增益值,且暗电流并没有增加,有望提高系统探测的灵敏度.
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关键词
雪崩光电二极管
微弱信号
双载流子倍增
增益
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职称材料
题名
InP衬底上的双载流子倍增雪崩光电二极管结构设计
1
作者
赵华良
彭红玲
周旭彦
张建心
牛博文
尚肖
王天财
曹澎
机构
曲阜师范大学物理工程学院
潍坊先进光电芯片研究院
中国科学院半导体研究所
山东理工大学物理与光电工程学院
潍坊学院物理与电子信息学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第19期285-291,共7页
基金
国家重点研发计划(批准号:2018YFE0200900)资助的课题。
文摘
雪崩光电二极管因其具有高的倍增被广泛应用于光通信、激光雷达等各种领域,为了适应极微弱信号探测应用场合,需要器件获得更高的增益值.当前雪崩光电二极管一般采用单载流子倍增方式工作,其倍增效果有限.本文设计了一种电子和空穴同时参与倍增的InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As雪崩光电二极管结构,其中吸收层采用In_(0.53)Ga_(0.47)As材料,空穴倍增层采用InP材料,电子倍增层采用In_(0.52)Al_(0.48)As材料,两个倍增层分布在吸收层的上下两侧.采用Silvaco TCAD软件对此结构以及传统单倍增层结构进行了模拟仿真,对比单InP倍增层结构和单In_(0.52)Al_(0.48)As倍增层结构,双倍增层结构在95%击穿电压下的增益值分别约为前两者的2.3倍和2倍左右,由于两种载流子在两个倍增层同时参与了倍增,所以器件具有更大的增益值,且暗电流并没有增加,有望提高系统探测的灵敏度.
关键词
雪崩光电二极管
微弱信号
双载流子倍增
增益
Keywords
avalanche photodiode
weak signal
dual carrier multiplication
gain
分类号
TN312.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InP衬底上的双载流子倍增雪崩光电二极管结构设计
赵华良
彭红玲
周旭彦
张建心
牛博文
尚肖
王天财
曹澎
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
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