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降低晶体管h_(FE)值的电子束辐照工艺的研究
1
作者
王中央
陈祖良
+5 位作者
刘亚建
章月红
陈祖林
施建青
傅建新
尹南勇
《核技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第4期252-256,共5页
研究了辐照剂量、剂量率、退火温度、退火时间、辐照方法等因素对晶体管hFE值(电流放大倍数)的影响。结果表明,电子束辐照能有效地降低晶体管hFE值,并能通过退火处理使其稳定。
关键词
电子束
辐照
晶体管
电流放大倍数
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职称材料
题名
降低晶体管h_(FE)值的电子束辐照工艺的研究
1
作者
王中央
陈祖良
刘亚建
章月红
陈祖林
施建青
傅建新
尹南勇
机构
浙江省技术物理应用研究所
出处
《核技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第4期252-256,共5页
文摘
研究了辐照剂量、剂量率、退火温度、退火时间、辐照方法等因素对晶体管hFE值(电流放大倍数)的影响。结果表明,电子束辐照能有效地降低晶体管hFE值,并能通过退火处理使其稳定。
关键词
电子束
辐照
晶体管
电流放大倍数
Keywords
Electron beam, Irradiation, Transistors, h_(FE) value, Annealing
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
降低晶体管h_(FE)值的电子束辐照工艺的研究
王中央
陈祖良
刘亚建
章月红
陈祖林
施建青
傅建新
尹南勇
《核技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
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