薄晶体硅PERC电池的工艺研究

随着切割技术的进步,晶体硅电池制作得越来越薄,这符合晶体硅电池降低成本、提高效率的技术发展趋势。文章模拟了不同厚度钝化发射极及背局域接触(PERC)电池的效率;基于110,130,150,170μm 4种厚度的单晶硅薄片制作了PERC电池,通过表征其I-U特性、量子效率(QE)、电致发光(EL)来研究薄片电池制作的工艺问题。

平面发射极与绒面发射极银-硅接触的对比研究

比较了平面发射极与绒面发射极表面通过丝网印刷烧结形成的银-硅接触。通过TLM测试发现,平面发射极与绒面发射极的银-硅接触电阻率平均值分别为4.4 mΩ·cm2和1.1 mΩ·cm2,平面发射极银-硅接触电阻率比绒面的高很多。绒面具有更大的相对表面积是一个较为直观的原因。通过SEM观察发射极剖面,发现金字塔顶部区域的掺杂较重,结深从顶峰到谷底沿着金字塔的[111]晶面逐渐减小;通过SEM观察银电极与硅表面的接触界面,总结分析银-硅接触的电流传输机制。然后将银电极块从硅表面剥离,用SEM和EDS观察露出的发射极表面,发现银结晶沉积体在平面上的分布很不均匀而在绒面上的分布较为均匀,密度也大很多,并且银结晶沉积体在掺杂较重的金字塔顶部密度更大。根据电流的传输机制分析得出,银结晶沉积体分布的这种差异性导致了平面发射极银-硅接触电阻率比绒面的高。

烟酰胺核苷酸转氢酶基因突变对C57BL／6小鼠糖代谢稳态的影响

目的探讨烟酰胺核苷酸转氢酶（NNT）基因突变对于C57BL/6小鼠糖代谢稳态的影响。方法将无NNT突变的野生型C57BL/6N与携带NNT突变C57BL/6J小鼠交配，F1代杂合小鼠继续交配，得到NNT纯合野生型，NNT纯合突变型，及NNT突变杂合子3种不同NNT基因型的F2代。小鼠4周龄起分别给予高脂饮食或对照饮食4周，每周监测小鼠体重。在小鼠8周时称重，并通过经腹糖耐量试验（IPGTT）检测小鼠糖代谢水平，通过经腹胰岛素耐量试验（ITT）检测小鼠胰岛素敏感性。结果正常饮食或高脂饮食喂养4周后，不同F2代小鼠基因型三者体重并无差异，但是NNT突变小鼠糖耐量显著受损，并且在高脂饮食诱导下NNT突变小鼠胰岛素敏感性相对NNT野生型显著下降。而NNT杂合子小鼠糖代谢及胰岛素敏感性异常不显著。结论NNT基因突变对C57BL/6小鼠的糖代谢表型具有重要影响，杂合突变和纯合突变表型迥异。C57BL/6J和C57BL/6N小鼠不同遗传背景对高脂饮食有不同反应，这是在进行实验设计时需要充分考虑的因素，可能与不同NNT基因型有关。在研究代谢的实验中尽量保持受试小鼠遗传背景的一致，将对实验结果的解释具有重要作用。