期刊文献+
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
抗香蕉枯萎病菌菌株F2-14的鉴定及其抑菌机制初探
1
作者 尹明会 张天祥 +4 位作者 刘毅杰 臧小平 井涛 赵维峰 云天艳 《中国南方果树》 北大核心 2024年第4期61-70,共10页
香蕉枯萎病已严重威胁全球香蕉产业发展,生物防治是防控香蕉枯萎病的重要途径之一。本研究筛选香蕉土壤中的拮抗香蕉枯萎病菌(Fusarium oxysporum f.sp.cubense tropical race 4,Foc TR4)活性细菌,得到1株具有高拮抗活性的菌株F2-14。... 香蕉枯萎病已严重威胁全球香蕉产业发展,生物防治是防控香蕉枯萎病的重要途径之一。本研究筛选香蕉土壤中的拮抗香蕉枯萎病菌(Fusarium oxysporum f.sp.cubense tropical race 4,Foc TR4)活性细菌,得到1株具有高拮抗活性的菌株F2-14。采用生理生化特性、形态特征和基因组ANI值分析鉴定该菌株,并进行其生物信息学分析,利用antiSMASH预测其次级代谢产物合成基因簇,与CAZy等数据库进行比对分析;并进行其抑菌物质粗提及其抑菌机制研究。结果表明,菌株F2-14鉴定为贝莱斯芽孢杆菌Bacillus velezensis。其基因组中具有产生几丁质酶、葡聚糖酶、蛋白酶等的基因,还含有编码杆菌溶素、儿茶酚型嗜铁素、丰原素、表面活性肽等7种抗菌活性的基因簇。菌株F2-14具有广谱抗真菌活性,能够平板抑制辣椒炭疽病菌Colletotrichum acutatum等15种病原真菌菌丝生长,且能通过产生次级代谢物致使Foc TR4病菌的细胞壁破裂和细胞膜受损,从而抑制Foc TR4病菌生长。说明贝莱斯芽孢杆菌菌株F2-14在植物病害防控方面有着较好的应用潜力。 展开更多
关键词 香蕉枯萎病 贝莱斯芽孢杆菌Bacillus velezensis 生物防治 抑菌机制 基因簇 次级代谢产物
下载PDF
常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究 被引量:2
2
作者 赵玲利 段小晋 +2 位作者 尹明会 徐向宇 王守国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1615-1619,共5页
介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备,并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验.研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量以及衬底温度的变化规律,并得到了最大刻蚀速率为390nm/min.利用台阶仪、显微镜和扫描电镜(SEM)对刻蚀效... 介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备,并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验.研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量以及衬底温度的变化规律,并得到了最大刻蚀速率为390nm/min.利用台阶仪、显微镜和扫描电镜(SEM)对刻蚀效果进行检测与分析,证实了该设备对硅的浅刻蚀具有较好的均匀性和较高的各向异性.结果表明,该设备在常压下刻蚀硅,操作简单且不易对材料表面产生损伤. 展开更多
关键词 常压 射频 等离子体刻蚀
下载PDF
一种高速自控预充电灵敏放大器的设计 被引量:5
3
作者 张效通 万青 +2 位作者 陈岚 尹明会 陈巍巍 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期815-818,共4页
提出了一种用于非挥发性存储器的新型电压灵敏放大器。该电路采用一种可以自动关断、电流可控的预充电路,可以有效消除由于存储容量变大带来的巨大位线寄生电容的影响,有效提高了灵敏放大器的读取速度。经验证,该结构具有较快的读取速度... 提出了一种用于非挥发性存储器的新型电压灵敏放大器。该电路采用一种可以自动关断、电流可控的预充电路,可以有效消除由于存储容量变大带来的巨大位线寄生电容的影响,有效提高了灵敏放大器的读取速度。经验证,该结构具有较快的读取速度,在3.3 V工作电压下,电路读取时间为11 ns。 展开更多
关键词 自动关断 灵敏放大器 非挥发性存储器
下载PDF
LOD效应和WPE效应在纳米工艺PDK中的应用
4
作者 周欢欢 陈岚 +2 位作者 尹明会 王晨 张卫华 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第2期1-5,共5页
本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流I_(dsat)和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的I_(dsat)减小4.25%而VTH增大2.79%;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比N... 本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流I_(dsat)和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的I_(dsat)减小4.25%而VTH增大2.79%;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比NMOS趋势要强,I_(dsat)减小8.32%而VTH增大6.78%;并解释了LOD效应的物理机制.随着left的减小,NMOS的I_(dsat)减小9.03%而VTH增大12.5%;PMOS的电参数与left关系曲线比NMOS的要弱,I_(dsat)减小8.50%而VTH增大4.61%,并提出了WPE效应下器件电参数变化原因.在纳米工艺PDK中,LOD效应和WPE效应的准确应用可以更好地模拟器件性能并改善电路设计精度. 展开更多
关键词 PDK LOD WPE 纳米工艺
下载PDF
弓形虫病的防治 被引量:2
5
作者 尹明会 《兽医导刊》 2020年第6期131-131,共1页
在现代养殖业中,寄生虫病病原为常见的病原之一,其中弓形虫病是一种常见的寄生虫病,弓形虫病不仅可以传染给动物而且可以传染给人,给人类造成了一定的危害,所以从事畜牧兽医相关的工作人员一定要做好自身的防护。本文就弓形虫病的病原... 在现代养殖业中,寄生虫病病原为常见的病原之一,其中弓形虫病是一种常见的寄生虫病,弓形虫病不仅可以传染给动物而且可以传染给人,给人类造成了一定的危害,所以从事畜牧兽医相关的工作人员一定要做好自身的防护。本文就弓形虫病的病原、流行特点、症状、实验室诊断及防治等方面的内容进行介绍。 展开更多
关键词 弓形虫 诊断 防治
下载PDF
低压恒跨导增益提高CMOS运算放大器的设计 被引量:2
6
作者 周欢欢 陈岚 +1 位作者 尹明会 吕志强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期651-655,共5页
设计和研究了一种低压恒跨导增益提高互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器。输入级采用互补差分对结构,使共模输入电压范围达到轨到轨,通过3倍电流镜控制尾电流使输入级总跨导恒定。中间级为增益提高级,通过反馈增大输出阻抗提高增益... 设计和研究了一种低压恒跨导增益提高互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器。输入级采用互补差分对结构,使共模输入电压范围达到轨到轨,通过3倍电流镜控制尾电流使输入级总跨导恒定。中间级为增益提高级,通过反馈增大输出阻抗提高增益。输出级采用AB类结构,通过米勒补偿控制零点使系统稳定,此运放可用于低压低功耗电子设备中。整个电路用CSMC 0.5μm BCDMOS工艺参数进行设计,工作电压为2.7 V。Spectre仿真结果显示,此运放实现了直流开环增益90 dB(负载电阻R L=600Ω),相位裕度70°,增益带宽积1.4 MHz,静态电流0.18 mA。设计的运算放大器满足设计指标。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器 AB类 低压 增益提高 恒跨导
下载PDF
猪蛔虫病的诊断及治疗
7
作者 尹明会 《兽医导刊》 2020年第6期156-156,共1页
在现代养猪业中,往往会发生多种疾病,其中寄生虫病病原是养猪业中常见的病原之一,在猪寄生虫病中猪蛔虫病是常见的寄生虫病之一,猪蛔虫病的感染率高,传染性强,常常引起猪只生长发育不良,消瘦,严重者造成猪生长发育停滞,有时会伴有干咳... 在现代养猪业中,往往会发生多种疾病,其中寄生虫病病原是养猪业中常见的病原之一,在猪寄生虫病中猪蛔虫病是常见的寄生虫病之一,猪蛔虫病的感染率高,传染性强,常常引起猪只生长发育不良,消瘦,严重者造成猪生长发育停滞,有时会伴有干咳、呕吐及腹泻等症状,给养猪业带来严重的经济损失。本文就猪蛔虫病的临床症状、诊断方法、治疗措施及预防等方面内容进行阐述,希望对广大养殖户有所帮助。 展开更多
关键词 猪蛔虫病 诊断 治疗
下载PDF
基于40nm CMOS工艺的电平转换器的设计及优化 被引量:1
8
作者 周欢欢 陈岚 +1 位作者 尹明会 张卫华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期93-96,122,共5页
电平转换器可以作为1.1 V核心电压和3.3 V输入输出电压之间的高速接口。优化的电压上升转换器使用2.5 V厚氧化层栅零阈值电压n MOS管保护1.1 V薄氧化层栅n MOS器件,在输入电压低至0.7 V时仍可正常工作;此外,在六种不同工作情况下电路性... 电平转换器可以作为1.1 V核心电压和3.3 V输入输出电压之间的高速接口。优化的电压上升转换器使用2.5 V厚氧化层栅零阈值电压n MOS管保护1.1 V薄氧化层栅n MOS器件,在输入电压低至0.7 V时仍可正常工作;此外,在六种不同工作情况下电路性能良好。3.3 V n MOS器件作为优化电平下降转换器的上拉和下拉器件,它们的供电电压是1.1 V,栅压范围从0 V到3.3 V。电平下降转换器没有最小核心电压限制,上升传输延时0.111 ns,下降传输延时0.121 ns。电平转换器经过结构优化后,可以成功应用到40 nm CMOS工艺的I/O库的输入输出单元中,作为低功耗、高速接口。 展开更多
关键词 电平转换器 核心电压 输入输出电压 40 NM CMOS工艺
下载PDF
A design method for process design kit based on an SMIC 65 nm process 被引量:1
9
作者 罗海燕 陈岚 尹明会 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期115-120,共6页
The frame structure of a process design kit (PDK) is described in detail, and a practical design method for PDK is presented. Based on this method, a useful SMIC 65 nm PDK has been successfully designed and realized... The frame structure of a process design kit (PDK) is described in detail, and a practical design method for PDK is presented. Based on this method, a useful SMIC 65 nm PDK has been successfully designed and realized, which is applicable to native EDA software of Zeni. The design process and difficulties of PDK are introduced by developing and analyzing these parameterized cell (Pcell) devices (MOS, resistor, etc.). A structured design method was proposed to implement Pcell, which makes thousands upon thousands of source codes of Pcell concise, readable, easy-to-upkeep and transplantable. Moreover, a Pcase library for each Pcell is designed to verify the Pcell in batches. By this approach, the Pcell can be verified efficiently and the PDK will be more reliable and steady. In addition, the component description format parameters and layouts of the Pcell are optimized by adding flexibility and improving performance, which benefits analog and custom IC designers to satisfy the demand of design. Finally, the SMIC 65 nm PDK was applied to IC design. The results indicate that the SMIC 65 nm PDK is competent to support IC design. 展开更多
关键词 PDK Pcell CDF
原文传递
Design for manufacturability of a VDSM standard cell library
10
作者 Zhou Chong Chen Lan +2 位作者 Zeng Jianping Yin Minghui Zhao Jie 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第2期143-148,共6页
This paper presents a method of designing a 65 nm DFM standard cell library.By reducing the amount of the library largely,the process of optical proximity correction(OPC) becomes more efficient and the need for larg... This paper presents a method of designing a 65 nm DFM standard cell library.By reducing the amount of the library largely,the process of optical proximity correction(OPC) becomes more efficient and the need for large storage is reduced.This library is more manufacture-friendly as each cell has been optimized according to the DFM rule and optical simulation.The area penalty is minor compared with traditional library,and the timing,as well as power has a good performance.Furthermore,this library has passed the test from the Technology Design Department of Foundry.The result shows this DFM standard cell library has advantages that improve the yield. 展开更多
关键词 design for manufacturability reduced standard cell library layout optimization optical simulation YIELD
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部