晶体硅光伏组件电势诱导衰减的研究

采用单晶硅电池制备两块实验组件A和B,在高温高湿高偏压的条件下进行电势诱导衰减实验。电致发光(EL)缺陷图显示,随着测试进行,两块组件都出现了微裂、断栅等电池缺陷;伏安(IV)性能测试结果显示,电势诱导衰减测试192 h后,实验组件A和B最大功率衰减分别为19.34%和11.02%,表明实验组件在高温高湿高偏压的环境下产生漏电流,导致Na^(+)由玻璃向电池迁移,从而影响电池的性能,这也是实验组件性能发生衰减的主要原因。