新型(Sr_(0.5)Ca_(0.5))_(3)Ta(Ga_(0.5)Al_(0.5))_(3)Si_(2)O_(14)高温压电晶体的生长及性能表征

硅酸镓镧系列晶体因具有较高电阻率和优异的压电性能被认为是高温传感器应用的优选材料。本文在国际上首次采用提拉法成功生长了新型(Sr_(0.5)Ca_(0.5))_(3)Ta(Ga_(0.5)Al_(0.5))_(3)Si_(2)O_(14)(SCTGAS)高温压电晶体,并研究了离子取代对晶体生长及电学性能的影响。生长的SCTGAS晶体无色,结晶质量较好,呈现出板面生长形态,在可见光波段具有较高的透过性。在450℃测试温度下,该晶体的电阻率仍高于109Ω·cm。此外,Sr取代能够显著增强晶体的高温压电系数d11,550℃时该值达到5.55 pC/N。因此,SCTGAS晶体在高温压电传感器领域展现出良好的应用潜力。

磁性Skyrmions信息存储器的微磁学模拟

为了解决当前存储信息技术的发展问题,人们发现了一种新型的高密度信息载体——磁性Skyrmions.实现对磁性Skyrmions生成和输运的微观调控是完成其器件化过程中至关重要的一步.本文基于微磁学模拟方法,通过OOMMF软件首先在纳米盘模型中详细研究了自旋极化电流注入对磁性Skyrmions生成的影响.在局域电流注入过程中,调节自旋极化电流密度、电流注入时间和注入电流面积,得到了不同注入电流面积下阈值电流密度以及注入时间对Skyrmions拓扑数的影响;在全局电流注入中,实现了两种手性Skyrmions的生成,并讨论了模型尺寸对于Skyrmions拓扑数和尺寸的影响,对于低能耗、高密度新型Skymions信息存储器的研发提供了理论指导.