嵌套正方格子上反铁磁高斯模型的相变

采用等效变换的方法,把嵌套正方晶格转化为可求解的正方晶格.利用重整化群变换,我们求得了正方系统的临界点.结合本文中给出的两个变换关系,得到了嵌套正方晶格上反铁磁高斯模型的临界点为K*=-0.707b.

一种等级晶格上S^4模型的临界性质

应用实空间重整化群和累积展开的方法,研究外场中一种等级晶格上S4模型的相变和临界性质,求出系统的临界点和临界指数.结果表明,该系统存在一个Gauss不动点和一个Wilson-Fisher不动点,与特殊钻石型等级晶格上的S4模型相比,系统的临界点和临界指数均发生变化,表明二者属于不同的普适类.

一种等级晶格上Gauss模型的重整化群方法

Gauss模型的自旋可以连续取值,因此,研究该模型的相变对于更好地理解铁磁体的临界性质具有十分重要的意义。本文应用实空间重整化群的方法,研究了一种等级晶格上推广的Gauss模型的相变和临界性质,求出了系统的临界点K=b33。根据RG变换理论,求得系统比热临界指数和关联长度的临界指数分别为容上的电荷清除掉,如图2(c)所示。α=0.758和v=0.414。

镶嵌正方格子上铁磁Ising模型的相变

应用等效变换的方法,把镶嵌正方格子铁磁Ising模型转化为可求解的正方格子。采用重整化群变换,得到了正方格子上Ising模型的临界点。通过得到的两个变换关系,求得镶嵌正方晶格上Ising模型的临界点为K*=0.405。

特殊钻石型等级晶格上Q态Potts模型的临界性质

通过重整化群的方法,讨论了特殊钻石型晶格上Q态potts模型的相变,求得了系统的临界点,并且得到了关联长度的临界指数。由结果可知,该系统存在有限温度的相变,并且系统的临界点随着Q值的增加而变大。

伊辛模型的相变讨论

在热力学与统计物理教材中,应用平均场理论研究了伊辛模型的相变。本文应用重整化群的方法研究了相同的问题,得到了系统的相变点。与平均场理论相比较,该方法更易于理解和掌握。

分形上Ising模型的临界性质

应用实空间重整化群的方法,研究了一种分形上Ising模型的相变和临界性质,求出了系统的临界点0.264,根据RG理论,得到了系统的临界指数。与该分形上Gauss模型比较,系统的临界点和临界指数都发生了变化。

优质高稳定性微晶硅薄膜的制备

对以SiCl_4和H_2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低温快速沉积优质高稳定性的微晶硅薄膜进行了研究.在低于250℃下,成功制备出了沉积速率高达0.28nm/s、晶化度达80%以上的微晶硅薄膜.通过光照实验,表明该微晶硅薄膜光致电导率基本保持恒定;通过对气流分布进行调节,微晶硅薄膜的均匀性得到明显改善,均匀度高达95%.

Lorenz混沌系统与其超混沌系统的同步与反同步

以Lorenz系统与其超混沌系统为例,研究了不同结构混沌系统的同步与反同步问题,基于Lyapunov稳定性理论,解析地设计了控制器,实现它们同步与反同步,数值模拟结果验证了该方法的有效性。

二能级原子自发辐射过程中的Wigner-Yanase偏态信息

研究单个二能级原子自发辐射过程中原子和光场Wigner-Yanase的信息变化,并分别计算原子和辐射场的Wigner-Yanase信息.结果表明:原子和光场的Wigner-Yanase信息均依赖于平均值〈Sz〉;当原子处于基态时,光场的Wigner-Yanase信息达到最大值;原子与光场并非同步达到最大混合态.

SiCl_4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响

研究了SiCl_4浓度对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中以SiCl_4/H_2为反应气体的微晶硅薄膜生长及光电特性的影响。结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率和晶化率均随SiCl_4浓度的增加而增大,而晶粒平均尺寸在SiCl_4浓度小于65%时呈增大趋势,在SiCl_4浓度大于65%时呈减小趋势;此外,光照实验表明制备的微晶硅薄膜具有较稳定的微观结构,具有类稳恒光电导效应,且样品的电导率依赖于SiCl_4浓度的变化。此外,还讨论了Cl基基团在微晶硅薄膜生长过程中所起的作用。

具有Dzyaloshinskii-Moriya作用的Blume-Capel模型的临界性质

应用二自旋集团平均场近似的方法,研究了蜂窝晶格和正方晶格上具有Dzyaloshinskii-Moriya(DM)作用的Blume-Capel模型的临界性质,得到了该系统的相图。结果表明,所研究系统存在三临界点,并且三临界温度不随DM作用参量单调变化,三临界温度有最小值。系统的这种临界性质是交换耦合作用、晶体场作用和DM作用三者相互竞争的结果。

PECVD系统中Ar等离子体电子特性的研究

利用自行设计的可移动Langmuir探针装置对PECVD系统中Ar等离子体中的电子平均能量和电子浓度随各工艺条件的变化规律进行了研究;并成功获得了Ar等离子体中的电子平均能量和电子浓度的轴向分布和径向分布规律。此外,文中还对电子浓度和电子平均能量随各工艺参数的变化规律进行了系统的理论分析。

He-HBr碰撞分波截面的量子力学计算

用BFW势模型和密耦近似方法,计算了入射He原子能量分别为75,100和200meV时与基态HBr分子碰撞的弹性和非弹性分波截面,得到了态-态分波截面随量子数增加的变化规律.

基于混沌系统反同步辨识系统所有参数

基于李亚普诺夫稳定性理论,从反同步角度研究了混沌和超混沌系统参数识别问题.参数观测器和控制器可以解析得到,所有控制器简单且容易在实验中实现.以Lorenz系统和超混沌Chen系统为例,数值模拟表明该方法可以精确的识别它们所有参数,且该方法具有很强的鲁棒性,并具有一定的普适性.

Langmuir探针对以SiCl_4/H_2低温沉积多晶硅薄膜过程的在线检测

利用等离子体增强化学气相沉积技术、以SiCl_4/H_2为源气体可以低温快速沉积高质量的多晶硅薄膜。采用加热可调谐Langmuir探针技术,研究了薄膜沉积过程中参与空间气相反应的电子特性——电子能量分布函数、电子平均能量和电子密度,并系统分析了影响多晶硅薄膜沉积的各工艺参数——射频功率、反应压强、氢流量和氢稀释度对电子特性的影响,并对实验结果进行了分析和讨论。

Dzyaloshinskii-Moriya作用对Blume-Capel模型热力学性质的影响

应用二自旋集团平均场近似的方法,研究了蜂窝格子上具有Dzyaloshinskii-Moriya(DM)作用的Blume-Capel模型的临界性质,得到了该系统的相图。结果表明,此系统存在三临界点,并且三临界点不是随DM作用参量单调变化。系统的这种临界行为可以解释为交换耦合作用、晶体场作用和DM作用三者之间相互竞争的结果。

丙酮的离子迁移谱研究

在自行研制的放电离子源离子迁移谱仪器上,制备了质子化水团簇离子(H+(H2O)n)并研究了丙酮的离子迁移谱。丙酮的产物离子峰个数由浓度决定,当浓度在1 ppb时出现一个产物离子峰,当浓度在几百个ppb时出现两个产物离子峰,当浓度达到1 ppm时出现一个产物离子峰。丙酮在离子迁移谱仪器中发生了质子转移反应生成了单体离子和二聚体离子。实验测量了各种离子的约化迁移率。

一个新混沌系统及其动力学分析

提出了一个新的三维自治混沌系统,具体分析了其基本动力学特性,得到了系统Lyapunov的指数和维数,通过数值模拟,给出了系统仿真图,Poincare'映射图,Lyapunov指数谱,重点分析了不同参数变化对系统动力学行为的影响。数值模拟证实了其不同于其他混沌系统的拓扑结构。

SiH_4辉光放电等离子体中中性基团的轴向分布

利用RGA100质谱仪成功地实现了对SiH4辉光放电等离子体的在线检测。根据线性拟合的方法获得了SiH4消耗率及中性基团SiHn(n=1,2,3)在空间的分布规律,并对此进行了详细的分析和讨论。