某电子洁净厂房超纯水方案设计

在半导体器件设备、电子元件及电子专用材料制造等电子洁净厂房设计时,工艺设备通常需要超纯水(18.2MΩ·cm)进行清洗,本文通过超纯水系统方案设计、供水管路系统、纯水管材选择等的介绍,以期为超纯水系统设计提供参考。

旱地矮化苹果园当季氮肥在土壤剖面的累积与淋溶效应

为研究旱地矮化苹果树当季肥料氮在土壤中的累积与淋溶效应,采用土钻采样法与^(15)N同位素示踪技术,测定了6 a生晚熟矮化‘延长红’苹果园土壤剖面(0~300 cm)的氮素累积分布特征与当季氮肥残留。结果表明:土壤含水率与硝态氮含量变化表现出较强的一致性,不施肥CK、减氮施肥N400与常规施肥N800处理硝态氮在80~140 cm土层存在明显富集现象,其含量峰值分别为174.9、194.8 mg·kg^(-1)与211.1 mg·kg^(-1)。CK、N400与N800处理0~300 cm土壤剖面中,全氮累积量分别为10927.3、13734.8 kg·hm^(-2)与15645.4 kg·hm^(-2),硝态氮累积量分别为1873.5、2353.9 kg·hm^(-2)与2892.7 kg·hm^(-2),铵态氮累积量分别为12.2、42.6 kg·hm^(-2)与44.4 kg·hm^(-2)。N400和N800处理下果园土壤中各土层(0~300 cm)氮素来自当季氮肥的比例分别为0.10%~1.50%和0.18%~2.03%。当季氮肥在0~300 cm深度各土层均有残留且主要集中在0~140 cm土层;80~100 cm土层的全氮来自当季氮肥的比例(减氮施肥N400和常规施肥N800分别为1.50%与2.03%)显著高于其他土层。N400处理下TN-^(15)N、NO^(-)_(3)-^(15)N、NH^(+)_(4)-^(15)N的残留率分别为21.6%、19.2%、0.2%,N800处理分别为48.8%、39.3%、0.3%,土壤中氮的残留率随着施氮量的增加显著增加,且以硝态氮为主。100~300 cm土层中减氮施肥N400与常规施肥N800处理NO^(-)_(3)-^(15)N残留率分别为8.5%与25.0%,当季氮肥淋溶出根区(0~80 cm)现象明显。最佳施肥量及施肥量对产量的影响在N400的基础上仍有待进一步研究确定。

某电子洁净厂房超纯水方案设计

在半导体器件设备、电子元件及电子专用材料制造等电子洁净厂房设计时,工艺设备通常需要超纯水(18.2MQ·cm)进行清洗,本文通过超纯水系统方案设计、供水管路系统、纯水管材选择等的介绍,以期为超纯水系统设计提供参考。

电子厂含氟废水控制方法与效果分析

阐述电子厂含氟废水钙盐沉淀处理方法,基于案例分析,探讨相对常规的PID调节加药法,多段控制加药法对钙盐沉淀处理后的出水氟离子的稳定性影响优势明显。