薄膜磁盘的技术发展

本文从比较颗粒介质的角度入手,扼要地叙述连续薄膜介质的各种优缺点、发展历史、大致分类。接着着重就目前已在磁盘中得到实际应用的连续薄膜介质,讨论其主要性能特点,薄膜形成方法和技术发展趋势。

MIG组合式磁头的特性和应用

前言在磁记录领域中,随着存储量的增加,人们围绕如何提高记录密度,进行了种种研究。为了提高记录密度,要从缩小磁道宽度和提高线记录密度这两方面努力。若要提高线记录密度,就需要提高磁记录介质的矫顽力。与此相应,磁头也就必须在高矫顽力的磁记录介质上产生尽可能充分的记录磁场。原来的铁氧磁头饱和磁化强度小,产生的磁场太弱,不能满足在750～800 Oe

硬盘驱动器磁头材料的新进展

在磁头的技术革新方面,磁芯薄膜起的作用是很大的。这是由于它直接决定了磁头的记录、再生特性。关于材料的选用,具有比以往材料的磁特性优越的铁微结晶材料已经实用化,这是引人注目的。本文介绍铁磁性薄膜和磁阻(MR)元件用材料的动向。

磁记录技术新的突破——富士通研制成功2Gb/in^21.8in(4.57cm)垂直记录硬磁盘

富士通研制成功一种面记录密度达2Gb/in^2的1.8in(4.57cm)硬磁盘,可采用垂直记录方式,在硬盘中,面记录密度为2Gb/in^2是迄今公布的最高值。眼下市售硬盘的最高面记录密度为100Mb/in^2,而处于研究阶段的、1989、1991年IBM。

MIG小型组合式磁头的各种特性

一、前言为了实现高密度磁记录,磁道密度和线记录密度同时在提高.提高磁道密度必须有更窄磁道的磁头.提高线记录密度必须有高矫顽力的记录介质.因此,磁头必须在高矫顽力介质上产生尽可能充分记录的磁场。原来的Mn一Zn铁氧体饱和磁化强度小,只能产生弱的记录磁场。为此。

对靶溅射氮化铁薄膜的形成及其特性

一、前言在各种记录技术中,磁记录在大容量方面比其它记录方式优越得多,所以它一直占据着稳固的地位。但近几年来,由于半导体存贮器的高速化、大容量化和低价格化,磁记录的地位受到威胁,这也是事实。何况,对于记录密度的要求更加提高了。当前,在普遍采用的纵向记录方式中,通过提高记录介质的矫顽力和薄膜化来提高记录密度。与此同时,记录再生磁头也在谋求高性能化。可是。

展望2000年的数据存贮技术

当今,磁存贮技术已经形成庞大的产业,光存贮技术方兴未艾,日趋完善.它们不但在九十年代各自会有充分的发展,而且要延续到下一个世纪.最近,电子计算机专家和半导体专家对2000年数据存贮技术的发展趋势作了预测,他们估计到那时个人计算机将具备100MIPS 的处理速度,半导体随机存贮容量将达到1GB.为与这样的系统配套,要求有10GB以上存贮容量和100 MB/s 数据传输率的数据存贮设备.本文首先力求预测2000年计算机系统的需求,然后,在这个基础上预测与其配套的磁、光数据存贮设备.