超深亚微米无负载四管与六管SRAMSNM的对比研究

采用基于物理的α指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型,推导了新的超深亚微米无负载四管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型,对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻MOSFET的阈值电压失配对无负载四管和六管SRAM单元静态噪声容限的影响。

FDP FPGA芯片的设计实现(英文)

研究了新型的FDP FPGA电路结构及其设计实现.新颖的基于3输入查找表的可编程单元结构,与传统的基于4输入查找表相比,可以提高约11%的逻辑利用率;独特的层次化的分段可编程互联结构以及高效的开关盒设计,使得不同的互联资源可以快速直接相连,大大提高了可编程布线资源效率.FDP芯片包括1600个可编程逻辑单元、160个可用IO、内嵌16k双开块RAM,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺全定制方法设计并流片,其裸芯片面积为6.104mm×6.620mm.最终芯片软硬件测试结果表明:芯片各种可编程资源可以高效地配合其软件正确实现用户电路功能.

基于保角变换的片内互连线电容二维解析模型

通过保角变换严格推导了计入交叠电场贡献的有用电容元的解析表达式,在此基础上提出的互连线二维解析模型能够在一定的连线截面几何参数范围内取得精确的提取结果.实验证明,对于双线系统和多线系统,文中推导的解析模型的提取误差的均方值分别小于2%和7%,均优于对比文献的提取精度.作为一种有竞争力的电容提取方法,该解析模型能够应用于互连线分析设计工具软件之中.

“富裕”几时有“匮乏”今安在——南允市劳动力供求变动趋势与对策

“剩余劳动力”、“富裕劳动力”，曾经是最热门的话题：从1978年的农村改革，1982年中共制定中央第一个“一号文件”以来，“劳务输出”一直就是南充市农民增收的最主要途径。但是，经过30多年的发展，但是，劳动力供求趋势有了很大的变动，过去的“富裕”变成了如今的“匮乏”；过去愁的是劳动力如何转移出去，现在愁的是企业如何招到合格的劳动力，愁的是农村谁来把地种好。