单层，少层和块状WS2薄膜中声子位移随温度的变化（英文）

近年来,二维过渡金属二硫化物(TMD)由于其良好的物理和化学性质而引起人们的关注。其中,石墨烯由于其高达200000 cm2·V-1·s-1高电子迁移率得到了深入研究。由于石墨烯没有带隙,因此基于石墨烯的器件难以实现高的电流开关比。对于二维过渡金属二硫化物例如MoS2、MoSe2、WSe2和WS2,这些材料可以根据层数来调节的带隙。其中,单层和多层MoS2薄膜已进行了广泛深入研究。已经有人实现具有优异电学性能的基于MoS2的场效应晶体管(FET)。与MoS2、MoSe2和MoTe2相比,WS2具有更低的面内电子质量,这表明基于WS2的FET具有更高的载流子迁移率或更高的输出电流。与MoS2相比,WS2缺乏系统的研究,需要更多的研究工作来进一步发掘基于WS2的场效应晶体管的潜能。因此,我们使用机械剥离法来制备WS2晶体单层(1L),少层(FL)和块状WS2薄膜。使用3M透明胶带转移WS2薄膜,并且使用514 nm激光器对1L、FL和块状WS2膜进行了变温的拉曼研究。随着膜厚度增加到块状,对于1L WS2,A1g(Γ)和E2g1(Γ)模式分别显示蓝移和红移。此外,当拉曼振动模式在E12g(Γ)和A1g(Γ)之间交换时,"交叉"温度被识别为1L、FL和块状WS2膜。与MoS2相比,随着膜厚度的变化,WS2在E2g1(Γ)和A1g(Γ)之间表现出较小的频率变化(Δ),并且从拉曼峰值位置随温度变化来看,WS2比MoS2少一个量级。这项工作为基于WS2的器件设计提供了物理指导。

基于氮化硼二维材料材料应用教学改革

氮化硼作为一种具有重要应用前景的第三代半导体,对下一代信息技术的发展具有着重要的意义,在此背景下氮化硼二维材料应用课程的教学质量显得尤为重要。本文通过小组讨论式教学、研究式教学、专题式讲解与多样化考核等方面的教学方法革新与创新实验研究课程机器学习的引入,着重在氮化硼二维材料应用课程的教学中引导学生自主思维、自主构建知识体系并且学习新型材料研究方法,以此提学生学习效率,改善教学质量。