高性能ZnO低压压敏电阻器的研制及产业化

通过采用独特的Zn-Bi-Ti-Sn配方体系,并运用高温(800℃)烧银技术,可实现压敏电压低压化,并能很好解决低压极性问题。制得的产品其压敏场强约20V/mm左右,电压极性为1V以下,非线性系数大30以上,泄漏电流5μA以下,限制电压比约1.5(2.5A),芯片Φ10mm产品经1300A雷电流(8/20μS)冲击,压敏电压变化率为-3%左右,产品已实现产业化。

纯Ag内电极高性能多层片式压敏电阻器的研制

通过采用独特的Zn-Bi-Sb-Si-Ti配方体系,并在此配方体系中加入稀土材料Er2O3,可实现瓷体材料在950℃以下烧结;同时通过采用850℃的银浆作为内电极,按常规的片式压敏生产工艺,可生产出纯Ag内电极高性能多层片式压敏电阻器。其压敏电压为39V,非线性系数为30以上,泄漏电流2μA以下,做成0805尺寸的器件,其峰值电流(8/20μS)可达100A,能量耐量(10/1000μS)可达0.3J。

高频用高性能片式压敏电阻器研制

通过对瓷体配方、流延厚度、介质层层数、电镀电流的试验,研究了它们对多层片式压敏电阻器电性能影响。研制出了超低电压、超低电容、超低泄漏电流多层片式压敏电阻器,其压敏电压极低(≤5V)、电容量极小(≤1pF)、泄漏电流极小(≤0.1μA)。