使用廉价的Si粉作为原料通过反应烧结获得了Si_3N_4,后续高温烧结过程中,Si_3N_4与粉料中Al_2O_3发生固溶反应,制备出单相β-Si Al ON陶瓷。经过1 700℃高温烧结后,获得β-Si Al ON相和β-Si_3N_4混合相陶瓷,随着烧结温度增加至1 800℃,...使用廉价的Si粉作为原料通过反应烧结获得了Si_3N_4,后续高温烧结过程中,Si_3N_4与粉料中Al_2O_3发生固溶反应,制备出单相β-Si Al ON陶瓷。经过1 700℃高温烧结后,获得β-Si Al ON相和β-Si_3N_4混合相陶瓷,随着烧结温度增加至1 800℃,Al_2O_3在Si_3N_4晶格中完全固溶,形成了单一β-Si Al ON陶瓷。选用Y_2O_3和Sm_2O_3两种烧结助剂,并对比其对反应烧结β-Si Al ON陶瓷微观结构和力学性能的影响。结果显示,使用Sm_2O_3制备出长径比较Y_2O_3高的柱状晶粒,柱状晶粒相互交织桥接和连接,可以显著提高β-Si Al ON的力学性能。展开更多
采用固相反应法成功制备出具有ABO_3型钙钛矿结构的锆钛钡钙(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3无铅压电陶瓷,研究了粉体预烧温度和陶瓷片烧结温度对(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3陶瓷结构和电学性能的影响。结果...采用固相反应法成功制备出具有ABO_3型钙钛矿结构的锆钛钡钙(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3无铅压电陶瓷,研究了粉体预烧温度和陶瓷片烧结温度对(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3陶瓷结构和电学性能的影响。结果表明:当预烧温度为1200oC、烧结温度为1400oC可获得具有优异电学性能的(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3无铅压电陶瓷,其电学性能分别为居里温度Tc=97℃,最大介电常数εmax=14920,剩余极化强度为Pr=9.96μC/cm2,矫顽场Ec=7.20 k V/cm,压电常数d33=543 p C/N,机电耦合系数kp=52%,其高的电学性能可以和铅基压电材料相媲美,表明(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3陶瓷有望实现压电陶瓷的无铅化应用。展开更多
文摘使用廉价的Si粉作为原料通过反应烧结获得了Si_3N_4,后续高温烧结过程中,Si_3N_4与粉料中Al_2O_3发生固溶反应,制备出单相β-Si Al ON陶瓷。经过1 700℃高温烧结后,获得β-Si Al ON相和β-Si_3N_4混合相陶瓷,随着烧结温度增加至1 800℃,Al_2O_3在Si_3N_4晶格中完全固溶,形成了单一β-Si Al ON陶瓷。选用Y_2O_3和Sm_2O_3两种烧结助剂,并对比其对反应烧结β-Si Al ON陶瓷微观结构和力学性能的影响。结果显示,使用Sm_2O_3制备出长径比较Y_2O_3高的柱状晶粒,柱状晶粒相互交织桥接和连接,可以显著提高β-Si Al ON的力学性能。
文摘采用固相反应法成功制备出具有ABO_3型钙钛矿结构的锆钛钡钙(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3无铅压电陶瓷,研究了粉体预烧温度和陶瓷片烧结温度对(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3陶瓷结构和电学性能的影响。结果表明:当预烧温度为1200oC、烧结温度为1400oC可获得具有优异电学性能的(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3无铅压电陶瓷,其电学性能分别为居里温度Tc=97℃,最大介电常数εmax=14920,剩余极化强度为Pr=9.96μC/cm2,矫顽场Ec=7.20 k V/cm,压电常数d33=543 p C/N,机电耦合系数kp=52%,其高的电学性能可以和铅基压电材料相媲美,表明(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3陶瓷有望实现压电陶瓷的无铅化应用。