BCN薄膜的结构及其内应力研究

用射频反应溅射法制备出 BCN薄膜 .X射线衍射和傅立叶红外吸收光谱测量发现样品的组成原子之间实现了原子级化合 ,样品与 Si衬底之间存在较大的应力 .样品剥落后 ,应力的消除使红外吸收峰位向低波数移动 .实验还发现 ,衬底材料对样品中的压应力影响很大 ,压应力的释放与衬底密切相关 :在硅衬底上呈枫叶状隆起 ,在石英衬底上样品呈周期性的折线状隆起 .

BCN薄膜的射频反应溅射法制备与结构特性

本文研究以六方BN为靶材,CH4为反应气体,利用射频溅射技术制备BCN三元化合物薄膜.样品的结构由X射线衍射谱、傅立叶变换红外吸收谱和X射线光电子能谱等方法进行表征.实验结果表明样品是具有类石墨涡旋蜂窝状结构的BCN三元化合物.通过改变CH4分压,能够控制薄膜中的C含量:随CH4分压的增高,薄膜中C含量增大,电导率也显著增大.当CH4分压比在10%附近时,样品呈现半导体特性,由电导率-温度关系曲线求得电导激活能约为0.8eV.

等离子体增强热丝CVD法生长cBN薄膜中的衬底效应

立方氮化硼（ｃＢＮ）是一种新型的人工合成功能材料，它除了具有一系列与金刚石类似的优异的物理化学性质，如高的硬度、宽的带隙、高的电阻率和高的热导率外，还具有一些独特的优于金刚石的性质。这些性质使得ｃＢＮ在力学、光学和电子学等方面具有广泛的应用前景，这就需要在多种不同衬底材料上生长ｃＢＮ薄膜，并且衬底材料对ｃＢＮ薄膜的成核和生长有非常重要的影响。本文报道用射频等离子体增强热丝化学汽相沉积（ＣＶＤ）方法，在多种衬底上生长的ｃＢＮ薄膜的质量，包括生长的立方相比例，取向生长，表面形貌及粘附状况等，并着重讨论不同衬底对ｃＢＮ薄膜生长的影响。所用设备是等离子体增强热丝ＣＶＤ系统［２］；反应气体为ＮＨ３＋Ｂ２Ｈ６，并用高纯Ｈ２稀释到１％；衬底材料包括：Ｓｉ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、不锈钢和人工合成金刚石薄膜。热丝温度和衬底温度分别为２１００℃和１０００℃，反应气体压力为１４０Ｐａ，射频功率为１８０Ｗ，沉积时间约４ｈ。Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）和傅立叶转换红外谱（ＦＴＩＲ）在表征ｃＢＮ薄膜的结构和成分上，是两种重要而互为补充的手段。在相同的实验条件下，比较Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、不锈钢衬底上生长ｃＢＮ薄膜的ＸＲＤ，以及Ｓｉ、不锈?

谈新形势下创新工会工作的有效途径

新形势下创新工会工作,必须大胆解放思想,树立创新意识;敢于超越自身,找准创新途径;注重培育特色,突出创新重点;强化服务功能,拓展创新领域;激发基层活力,增强创新力度;讲求工作实效,走出创新误区。

和谐企业与和谐家庭的共建共享探讨

构建和谐社会体现了广大职工群众的共同愿望,构建和谐家庭是构建和谐社会的重要基础,是建设和谐企业的基本前提。只有企业的每个职工家庭都和谐了,和谐企业的创建才有望实现。首先要提高社会成员对构建和谐社会的认识,社会各界都应关注和谐家庭建设,形成有利于家庭和谐发展的良好社会机制和环境;企业要发挥职工个人在创建和谐中的重要作用,职工心态是营造和谐家庭的基础,家庭友爱是家庭和谐的关键;企业要强化组织领导,建立创建和谐家庭服务体系,大力开展"送温暖"活动,结合企业发展为职工"送岗位",结合工作实际,开展"送亲情"活动。企业与职工家庭齐努力,实现和谐企业与和谐家庭的共建共享、共同和谐。

建立和谐劳动关系 夯实和谐企业基础

劳动关系是现代社会关系的重要组成部分,是生产关系的一种表现形式。建立和谐的劳动关系是构建和谐社会与和谐企业的重要基础,是关系经济发展和企业稳定的大事。

立方氮化硼薄膜的生长特性与粘附性研究

用Ｘ射线衍射技术、红外吸收光谱、扫描电子显微镜、Ｘ射线光电子能谱对热丝辅助射频等离子体化学汽相沉积法制备的立方氮化硼（ｃＢＮ）薄膜的生长特性和粘附性进行了研究．改变生长条件，在Ｓｉ、不锈钢和Ｎｉ衬底上沉积ｃＢＮ薄膜，进而研究了ｃＢＮ薄膜的质量和生长条件与衬底之间的关系．实验发现，Ｎｉ衬底上生长的薄膜ｃＢＮ含量较高，且粘附性好．当Ｓｉ衬底上溅射一层Ｎｉ过渡层，再生长ｃＢＮ薄膜，薄膜中ｃＢＮ含量提高，与Ｓｉ衬底的粘附性也显著增强．

MOCVD生长1.06μm InGaAs/GaAs量子阱LDs

用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好。该量子阱应用于1.06μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100μm×1000μm)有低阈值电流密度(110A/cm2)和高的斜率效率(0.256W/A,per.facet)。

AlGaAs/AlAs体系DBR的MOCVD生长及表征

设计并利用 MOCVD在 (311) Ga As衬底上生长了 12 .5个周期的 Al0 .6 Ga0 .4 As/ Al As黄绿光分布式 Bragg反射 (DBR)体系 ,测量了白光反光谱及其外延片峰值波长分布 ,反射率 90 %以上 ,波长不均匀性在 1.0 %以下 ;利用了 X射线双晶衍射对其进行结构表征 ,5 80 nm波长 DBR结构周期为 84 .5 nm。

用MOCVD方法生长940 nm应变多量子阱发光二极管

采用金属有机物化学气相淀积 (MOCVD)方法设计并生长了应变多量子阱 In Ga As/Al Ga As,并且对其进行了光致发光 (PL)谱、双晶 X射线衍射 (DXRD)谱和电化学 C- V等的测试。然后以 In Ga As/Al-Ga As作为有源层 ,以 Ga As衬底作为透明衬底 ,p面金属电极 Au Be合金作为镜面反射层 ,采用倒装技术制备了近红外发光二极管 (L ED)。在输入电流为 2 0 m A下的正向电压为 1.2 V左右 ,电致发光谱的峰值波长为 938nm,10 μA下的反向击穿电压为 5～ 6 V,在输入电流为 5 0 m A下得到输出功率 3.5m W,对应电压为 1.3V,在输入电流为 30 0 m A时得到最大输出功率为 12 m W。

MOCVD生长InGaAs/Al_(0.2)Ga_(0.8)As应变多量子阱(英文)

用MOCVD方法生长了3种InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱(MQWs)样品,用于研究在气相中TMIn的含量对MQWs的发光波长和半峰宽(FWHM)以及在X射线中零级峰位的影响。研究表明,随着In组分在MQW中的增加,MQWs中应变也随之增加,这是造成FWHM增大的原因。同时也研究了应变MQWs中In组分与气相中TMIn含量的关系,为准确设计和控制MQWs的组分提供了依据。

深紫外LED的研究与应用

随着LED技术不断发展,其发光波长已经由可见光波段拓展到深紫外波段,其技术逐渐成熟和成本下降将使得紫外LED应用更加广泛,甚至可能超越目前的蓝光LED。从深紫外LED的发光特点,制作工艺等方面,重点介绍深紫外LED的目前的研究进展与产业化应用。摘要: