氧化锌纳米结构的电化学控制制备及其光致发光性能

利用电化学沉积法,通过调节电解液浓度、时间、温度等因素,在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上制备了形貌不同的氧化锌(ZnO)纳米薄膜.通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、光致发光谱等测试手段对不同形貌的ZnO纳米薄膜进行了表征和研究.研究表明,在高于阈值电压的情况下氧化锌薄膜迅速生成,微观形貌主要受电解质溶液的浓度影响,随着电解质浓度的升高可分别获得胞芽状、棒状、片层状结构,结合晶体生长理论探讨了不同形貌ZnO薄膜的成因.室温光致发光谱显示片状的ZnO纳米薄膜在近带边有较强的宽化激发峰,而可见区的发光峰受到明显抑制,这一结构有望应用于光电器件、传感器等领域.

ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性

采用高纯Zn粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到了形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明,PVA为ZnO半导体纳米线提供了隔离和支撑。而且光致发光结果显示这种复合结构膜具有较强的紫外带边发射特性,同时由于聚合物的表面钝化作用使得由纳米线表面缺陷引起的深能级辐射发光峰得到抑制。这种半导体复合膜还具有易于移植、可图形化的工艺特点,对ZnO半导体纳米线光电器件的制作与开发具有重要价值。

硅/硅直接键合制备p^+/n^-和n^-/n^-结构

本文采用Si/Si直接键合制备p^+/n^-、n^-/n^-结构的工艺原理及方法。通过实验,摸索出了一种有效的表面清洗-高温处理Si/Si键合工艺;采用该工艺制出了p^+/n^-、n^-/n^-样片;对键合的微观结构、键合强度、杂质分布及电接触特性进行了检测。

实验室安全专项检查后的思考及对策研究

通过多次对我校各实验室的安全进行专项检查,尤其是对涉及辐射、化学试剂、微生物及动物等实验室进行了重点检查,归纳出理工科院校实验室存在的不安全因素。针对各种不安全因素提出解决方案和整改措施,从而提高实验室的安全管理水平。

一种新型测温器件

正温度系数温敏二极管系利用特定结构下半导体内载流子产生及其散射机构的热效应而制成的一种新颖测温器件.文中介绍了该器件的工作原理、结构、制造和主要性能特点.

根据已知C-V特性确定超突变结变容管设计参数的方法

本文根据新的超突变结电容电压方程，采用数值筛选方法，可方便、快速地确定出已知C－V曲线变容管的几个主要设计参数。

热氮化SiO_2绝缘栅H^+-ISFET及其pH响应机理的探讨

本文介绍了采用NH_3退火热氮化SiO_2薄膜为绝缘栅兼做敏感膜制作H^+-ISFET,其在pH值为2～13的范围内具有较好的线性响应,灵敏度为41.6～47.8mV/pH,典型值为45.7mV/pH.并运用双表面基模型分析了H^+-ISFET的工作机理,较为合理地解释了以SiO_2、Si_3N_4或氮化SiO_2为介质膜的H^+-ISFET的响应特性.

ZnO纳米线阵列的籽晶控制生长及其紫外探测性能

分别利用磁控溅射沉积、溶胶-凝胶浸涂及旋涂等方法在氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃上得到籽晶层,然后通过低温水热法获得了ZnO纳米线阵列。通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、光致发光谱等测试手段对不同方法获得的ZnO籽晶和纳米线阵列进行了表征和研究。进而在光刻有银电极的ITO玻璃基片上制备出紫外探测原型器件,测试了其紫外响应特性,并结合ZnO纳米线表面特性讨论了器件的紫外响应机理。结果表明:溶胶-凝胶旋涂获得的籽晶最小,生长出的纳米线长径比最高,直径最细,取向性也最好。对应的室温光致发光谱在近带边有优良的激发峰,而可见区的发光峰受到明显抑制。旋涂和浸涂籽晶获得的紫外探测样品响应迅速,但恢复较慢;磁控溅射籽晶样品有较优的响应和恢复特性,但信号强度较低。

ZnO纳米线阵列膜的自组装生长及其金属接触特性

以磁控溅射制备的ZnO纳米晶薄膜作为籽晶层,用水热法在80℃氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)玻璃衬底上,实现了大面积ZnO纳米线阵列膜的取向生长,制备了3种金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)结构的ZnO半导体纳米线阵列膜样品,测试了薄膜样品的光学特性和I-V特性。结果表明:在相同的生长液浓度下,籽晶层对所生长的纳米线尺度分布有显著影响。所制备的纳米线薄膜在室温下具有显著的紫外带边发射特性。ZnO纳米线/Ag和ZnO纳米线/Al的金属-半导体接触均具有明显的Schottky接触特性,而ZnO纳米线/Au的金属-半导体接触具有明显Ohmic接触特性。