石嘴山市盐碱地改良发展战略

简述了石嘴山市盐碱地概况、盐碱地改良取得的成就和存在的问题,提出了盐碱地改良的发展目标、重点内容及保障措施,制定了符合科学发展观、顺应历史潮流的盐碱地改良发展战略。

3C-SiC薄膜小角晶界附近位错核心的原子组态研究

用La B6灯丝200 kV高分辨透射电镜拍摄了有小角晶界的3C-Si C/(001)Si薄膜的[1ˉ10]高分辨电子显微像.用像解卷技术把本不直接反映晶体结构的实验像转化为结构像.首先,从完整区的结构像中分辨开间距仅为0.109 nm的Si和C原子柱;随后按赝弱相位物体近似像衬理论,分析像衬随晶体厚度的变化规律,辨认出Si和C原子;进而在原子水平上得出小角晶界附近两个复合位错的核心结构,构建了结构模型并计算了模拟像.实验像与模拟像的一致程度验证了结构模型的正确性.于是,在已知完整晶体结构的前提下,仅从一帧实验高分辨像出发,推演出原子的种类和位错核心的原子组态.还讨论了3C-SiC小角晶界的形成与晶界附近出现复合位错的关系.