国军标器件3DG135的可靠性研究

较详细地叙述了３ＤＧ１３５在可靠性研究过程中，技术攻关的主要内容及所采取的工艺措施，并给出三个检验批次认证的实验结果。

功率晶体管的热失效

介绍了微波功率管三种独立失效模式，论述了器件结温随工作条件变化的规律，指出功率管热失效更重要的因素是热斑，而不是平均结温和热阻。

贯彻国军标器件的可靠性攻关

1 引言3DG135型硅超高频晶体管是贯彻国家军用标准的高可靠半导体器件代表品种之一。开设本课题的目的是为国家重点工程建立提供高可靠性保证等级的半导体器件军品生产线。为达到目前我国半导体器件的最高质量标准—国家军用标准的要求,电子工业部军工基础局明确规定如下攻关指标:(1)建立全所军工产品质量保证体系并经验收合格。(2)开展低温下h_(FE)降低机理和技术研究,在-55℃下测量h_(FE)平均变化率小于35％。(3)开展反向漏电机理和技术研究,使I_(CBO)额定值从贯标前的1μA(V_(CB)=10v)降低至80nA。(4)进行恒定加速度,温循和高温反偏试验研究,满足国军标筛选和试验要求。(5)管壳密封性研究,满足国军标要求。(6)本产品可靠性等级达到特军级和超特军级水平。

540～610MHz脉冲输出150W功率晶体管

采用芯片设计优化、工艺改进及内匹配等技术，研制出应用于工程的脉冲功率晶体管．该管宽频带（５４０～６１０ＭＨｚ），长脉宽（５０μｓ），高占空比（１５％），带内增益平坦度为±０．５ｄＢ，集电极输出效率ηｃ≥５０％。

用红外扫描法测量功率晶体管热阻

器件的热阻不是恒量。功率晶体管的结温不是空间均匀的；对于不同的工作点，有不同的热阻值；而热阻随结温的变化率的测定，对于保证功率晶体管安全工作，预测可靠程度是很重要的，红外扫描法可满足其要求。

硅微波功率晶体管内匹配设计技术研究

着重论述了硅微波功率晶体管内匹配网络的设计方法，对内匹配网络的功率均分特性、带宽特性，增益性能做了分析研究。在上述基础上，通过优化设计。

P波段硅脉冲功率管工程实用化研究

详尽介绍了３ＤＡ５０２ 型硅脉冲功率晶体管工程实用化的研究过程。围绕可靠性综合设计开展六项专题研究， 并辅以用红外热象法监测结温和射频加速寿命试验法， 保证器件的长期使用可靠性，

L波段无线电引信晶体管

本文从理论上分析了实现L波段无线电引信晶体管高频率大动态、高耐压低噪声的可行途径。并设计和制造出了电性能优良的引信晶体管。

PSG低压CVD装置

使用扩散炉采取低压方法的 CVD 技术与以往常压方法相比,在大直径硅片的装片容量和生长膜的均匀性方面都有提高,对高密度高质量的超大规模集成电路的研制会有很大贡献。表1列出的数据是目前半导体制造工艺采用低压 CVD 装置获得的。但是关于器件工艺中的扩散源、铝布线后的钝化以及多层金属布线的绝缘膜等方面最为需要的低温磷硅玻璃(PSG)膜的生长技术,膜厚及磷浓度(方块电阻)分布的控制是困难的,

槽栅结构静电感应晶体管

本文介绍了一种利用简单挖槽实现栅源立体结构的静电感应晶体管。对照覆盖栅SIT进行了结构分析。概述了共源组态、输出功率3W的槽栅SIT的设计与研制。此结构易于提高版图横向密度,工艺简化,器件的电性能优良,是制造微波低电压SIT的有效途径之一。