HL-1M装置第一壁的硅化和锂涂覆

用ＳｉＨ４与Ｈｅ混合气体辉光放电和真空室原位蒸锂并借助Ｈｅ辉光放电的等离子体气相沉积法，对ＨＬ－１Ｍ装置的内壁，分别进行硅化和锂涂覆。这些处理进一步降低了硼化后装置的杂质和辐射功率损失，对氢有强抽气效应和低再循环特性，为多发弹丸注入、低混杂波电流驱动和长脉冲放电等物理实验取得重大成果提供了重要条件。

HL-1装置交流放电碳化实验

一种交流放电原位碳化技术首次在HL-1装置环形真空室内壁进行了试验。碳沉积膜样品作了扫描电镜,俄歇电子能谱和二次离子能谱深度轮廓和成分分析。壁碳化前后托卡马克放电杂质可见光谱和真空紫外光谱强度对照分折表明,碳化壁状态下,孔烂和金属壁材料Mo和Cr等在等离子体中含量下降80％左右,而C,O等轻杂质量有所上升;氢粒子约束时间τ_p和再循环率系数R较裸金属壁状态大致增加20％。碳化壁经惰性气体He或Kr放电锻炼后,在托卡马克放电中壁表面显示出明显的抽吸作用。

HL-1M装置内壁锂化实验进展

针对聚变装置在聚变研究中的器壁原位处理问题，详细地描述了 HL－ 1M装置原位锂化技术和锂涂层性能及其锂化效果，并探讨了锂化机理。指出了这种锂化工艺存在的缺陷。

HL-1M 装置原位硅化涂层的研究

ＨＬ－１Ｍ装置采用硅化技术，大大改善了第一壁条件，提高了等离子体约束性能。对ＨＬ－１Ｍ装置的硅化涂层性能以及对等离子体杂质、热辐射和再循环进行了研究，并对装置抽气扁管内壁状态进行了分析描述。

HL-1M的原位处理技术

介绍 Ｈ Ｌ－ １ Ｍ 托卡马克装置的壁处理技术。使用氦辉光放电清洗清除装置杂质和降低壁中氢含量，壁硼化和硅化技术以及原位沉积膜的原位清除。

HL-1装置器壁表面的碳化处理和实验研究

本文介绍了在ＨＬ－１装置中首次进行器壁碳化的实验结果及其碳化对装置运行和等离子体性能的影响。