分析系统超声检查诊断孕期胎儿畸形的应用价值分析

有关研究发现,临床关于胎儿畸形的诊断采取超声检查的方法有较为准确的检验结果且使用普遍。根据此观点,本文选择本院的孕妇参与研究超声诊断孕期胎儿畸形效果的试验。方法 2021年1月至2022年1月的90例孕期胎儿畸形诊断的孕早期、孕中期、孕晚期孕妇参与试验,实施系统超声检查。结果 孕早期、孕中期、孕晚期的检出率分别为96.88%、96.67%、92.86%,组间对比明显(P<0.05);胎儿畸形的检出孕早期为中枢神经系统、孕中期孕妇主要是心血管系统、孕晚期主要为泌尿系统。结论 不同孕期产妇的胎儿畸形情况都可以通过系统超声检查有准确的结果体现,而且检出率非常高,值得广泛推广。同时,根据本次试验的最终数据结果表明,该检查具有安全性、有效性双重保障。

GaAs PHEMT器件高温加速寿命试验及物理分析

GaAs微波器件的退化与金属化稳定性密切相关,实现PHEMT器件功能的金属化主要有栅金属化、欧姆接触金属化和信号传输线金属化。本文针对定制的GaAs PHEMT器件的栅金属接触孔链和欧姆接触金属方块条进行了高温加速应力寿命试验,并对器件金属化失效单机理进行寿命预计,同时对试验后的样品进行物理分析。结果显示栅金属接触孔链在180℃下就发生失效,接触孔链表面的金属化层形变,金属化发生了迁移;而AuGeNi欧姆接触在225℃高温下更易发生电迁移失效,金属向体内扩散并在金属条上形成空洞。

GaAs器件和MMIC的失效分析

从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓(GaAs)器件和单片微波集成电路(MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入了损伤退化,并针对几种常见的失效原因:过电烧毁、静电损伤、器件分层、设计和工艺缺陷等进行举例分析,为生产和使用过程中控制其主要的失效模式及失效机理提供参考和依据。

高温正向栅电流下Ti／Pt／Au栅SiC MESFET的栅退化机理

SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。针对SiC MESFET器件在微波频率的应用中射频过驱动导致高栅电流密度的现象,设计了两种栅极大电流的条件,观察栅肖特基接触和器件特性的变化,并通过对试验数据的分析,确定了栅的寄生并联电阻的缓慢退化是导致栅肖特基结和器件特性退化,甚至器件烧毁失效的主要原因。

SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究

SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。研究了一种国产SiC MESFET器件在300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化。实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和漏电流、势垒高度、阈值电压和跨导等参数均呈现明显的下降趋势,在实验前期一段时间内退化较快,而在应力后期某段时间内为渐变并趋于稳定。

SiC半导体材料和工艺的发展状况

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,适用于制作高压、高功率和高温器件,并可以工作在直流到微波频率范围。阐述了SiC材料的性质,详细介绍了SiC器件工艺(掺杂、刻蚀、氧化及金属半导体接触)的最新进展,并指出了存在的问题及发展趋势。

GaAs器件寿命试验及其方法比较

本文介绍了加速寿命试验方法的理论基础,并针对GaAs器件概述了几种常用的寿命试验方法及其数据处理模型,在阐述了加速寿命试验的实施过程后,对几种寿命试验方法进行了比较,并明确其各自的优缺点,指出研究既快速又准确的加速寿命测试方法对于GaAs PHEMT器件的可靠性保证具有非常重要的意义。

新成人腹泻轮状病毒J19株的全基因组克隆和VP4、VP6和VP7基因序列分析

为了进一步了解新成人腹泻轮状病毒J19株的基因和蛋白特征,利用一种改良的非依赖核酸序列的单引物扩增方法扩增J19株的11个基因,克隆到pMD18-T载体中并进行测序。在此基础上,将主要抗原蛋白VP4、VP6和VP7的蛋白序列与其它轮状病毒的相关蛋白序列进行比较分析并对VP6蛋白序列做遗传进化分析。结果获得J19株11个基因的全长基因序列。基因序列分析表明J19株的第3、6和第9基因分别长2 512bp、1 287bp和820bp,它们分别预测编码抗原蛋白VP4(823aa)、VP6(396aa)和VP7(258aa)。组成J19株的VP4、VP6和VP7蛋白序列对B组轮状病毒的CAL株、IDIR株以及ADRV株的相关蛋白序列的一致性分别是27.6%、38.5%和22.3%。对分组抗原蛋白VP6的遗传进化分析表明,J19株在进化树上的位置靠近外群蛋白分支以及A、B和C组轮状病毒分支的根部,而且它比较偏向于B组轮状病毒的分支。J19株的VP4、VP6和VP7蛋白序列与其它轮状病毒的相应蛋白序列存在显著差异。VP6蛋白序列的遗传进化分析表明J19株可能是一个新组轮状病毒的代表性毒株;同时,它也可能是一个与B组轮状病毒的起源和进化密切相关的毒株之一。关于新成人腹泻轮状病毒J19株11个基因的克隆及VP4、VP6和VP7基因的序列分析,这是第一次报道。

基于FPGA的μC/OS-Ⅱ任务管理硬件设计

针对实时操作系统的开销导致应用程序可执行性降低的问题,提出了基于FPGA的硬件实时操作系统设计方案,并实现了μC/OS-II任务管理模块的硬件化。通过设计基于片内寄存器的TCB及基于组合电路的任务调度器,充分发挥了多任务潜在的并行性。整个设计采用VHDL硬件描述语言,通过ISE8.2软件进行时序仿真验证,并使用Xilinx公司的Virtex-II Pro FPGA板实现。

μC/OS-Ⅱ任务管理的硬件实现

针对实时操作系统的开销导致应用程序可执行性降低的问题,提出了基于FPGA的硬件实时操作系统设计方案,实现了μC/OS-Ⅱ任务管理模块的硬件化。采用FPGA片内寄存器实现等待任务列表,并设计了相应的硬件电路访问该表,节省了系统由于频繁访存而浪费的时间。通过设计基于片内寄存器的TCB及基于组合电路的任务调度器,充分发挥了多任务潜在的并行性。整个设计采用VHDL,通过ISE8.2软件时序仿真验证。仿真结果表明,利用硬件实现减少了任务运行时间,使其在一些实时性要求较高的场合得到应用成为可能。

SiGe HBT传输电流模型研究

基于SiGe异质结双极晶体管(HBT)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT传输电流模型.重点考虑发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,通过求解流过发射结界面的载流子密度,建立了SiGeHBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单.对该模型进行了模拟,模拟结果与文献报道的结果符合得较好.将该模型嵌入PSPICE软件中,实现了对SiGeHBT器件与电路的模拟分析,并对器件进行了直流分析,分析结果与文献报道的结果符合得较好.

新成人腹泻轮状病毒J19株VP2、VP3的编码基因序列分析

利用一种改良的非依赖核酸序列的单引物扩增方法,从新成人腹泻轮状病毒J19株的核酸中扩增基因,克隆至pMD18-T中并进行测序和基因序列分析。J19株的VP2、VP3的编码基因为基因2、4,分别长2 969bp、2 204bp,它们分别编码973个氨基酸和719个氨基酸。J19株的VP2蛋白序列对B组人轮状病毒IDIR株的一致性为47.2%;J19株的VP3蛋白序列对C组人轮状病毒Cowden株一致性为25.1%。对J19株VP2的遗传进化分析表明,J19株在进化树上的位置靠近外群蛋白以及A、B和C组轮状病毒分枝的根部,并且它比较偏向于B组轮状病毒的分枝。这与VP6的遗传进化分析结果相一致。根据上述结果推测J19株可能是一个与B组轮状病毒的起源和进化密切相关的毒株之一;同时,这表明VP2在研究轮状病毒的遗传进化上具有重要价值。关于新成人腹泻轮状病毒J19株VP2、VP3的编码基因的序列分析,这是首次报道。

应变Si PMOSFET电流特性研究

生长在弛豫SiGe层上的Si产生张应变,使载流子的迁移率显著提高,因此应变SiPMOSTET可以得到非常好的性能。在讨论分析了应变SiPMOSFET的结构特性和器件物理的基础上,推导泊松方程求出解析的阈值电压模型,以及电流电压特性,和跨导等电学特性参数模型,并用MATLAB进行了模拟,与参考文献取得了一致的结果。此模型作为对PMOSFET进行模拟是非常有用的工具。

尿白蛋白、β2微球蛋白、Tamm—Horsfall蛋白联合检测对早期糖尿病肾病的诊断价值

目的探讨微量蛋白尿联合检测和肾活检对早期糖尿病肾病的诊断价值。方法采用放射免疫分析法(RIA)检测40例正常对照者与50例糖尿病患者不同类型、不同阶段尿白蛋白(AIb)、β2微球蛋白(β2-m)、Tamm-Horsfall蛋白(THP)的变化，并做了3例肾活检，进行光镜、电镜观察。结果各病程组与正常对照组及各病程组组问比较，除尿β2-m的变化差异有显著性外(P<0.05)，尿AIb、THP的变化均呈现差异极显著性(P<0.01)，THP的降低与AIb的升高呈负相关(r=-0．49，p<0.05)，有线性关系，但上述改变与糖尿病的型别关系不大；肾活检经光镜检查证实为局灶性节段性肾小球硬化症，电镜下可见肾小球基底膜均质性不同程度增厚。结论尿AIb、β2-m、THP的联合检测和肾活检的开展，可作为糖尿病肾病早期诊断的敏感可靠的实验室指标，并有助于临床判断肾脏损伤的程度及病变部位。

SiGe HBT发射极延迟时间模型

在对SiGeHBT(异质结双极晶体管)载流子输运的研究基础上,建立了包括基区扩展效应SiGeHBT发射极延迟时间τe模型.发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关.在正偏情况下,通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用,此时需要考虑可动载流子的影响.本文重点分析了电流密度及发射结面积等参数对SiGeHBT发射极延迟时间的影响.

UV/UHV/CVD生长应变Si_(1-x)Ge_x层(英文)

应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1-xGex和Si材料.在此低温下,有效地控制了衬底中的杂质外扩以及界面的不清晰.X射线分析结果表明Si1-xGex材料结晶状况良好,二次离子质谱分析结果表明多层Si1-xGex/Si材料界面陡峭,说明该技术能够生长出高质量的应变Si1-x Gex/Si材料.

脑出血40例临床分析

脑出血是临床常见的急性脑血管疾病，起病急骤，进展迅速，具有很高的病死率和致残率，严重威胁我国人民的身体健康。我科于1999年10月-2005年10月共收治脑出血患者40例，经过系统的内科治疗，预防性使用甲氰咪胍，明显减少了患者住院期间的病死率，现分析报告如下。

海子水库南付坝^(131)I示踪测渗试验

应用放射性同位素示踪技术测定病险水库渗漏已越来越受到水利部门的重视。我们用^(131)I单井示踪法测定北京海子水库南付坝的渗漏,采用核荧地下水流向流速仪对坝基20—90m深度进行了普测和重点探测,初步证实了一条主要渗流通道,为大坝的加固提供了有力的试验依据。

Au线改Cu线的新发展及可靠性研究

Au线作为内引线一直占据着键合的主导地位,而由于Cu线具有优良的电性能和价格优势,随着键合技术的发展,以Cu丝代替Au丝作为键合用内引线已经成为现在的主要趋势。介绍了Cu线相对于Au线的优势、存在的可靠性问题,并对Cu引线键合新的发展趋势、如何进行可靠性验证等问题进行了研究。