浅结密栅线硅太阳电池工艺研究

通过提高发射区方块电阻,配合密栅线丝网印刷工艺,制备了性能优良的多晶硅太阳电池。对比两种不同扩散工艺的方块电阻和ECV浓度,分析发射区方块电阻对太阳电池电性能参数的影响。结果表明:方阻为80Ω/□的发射区比70Ω/□的发射区的太阳电池串联电阻增加了0.03mΩ,导致填充因子下降0.05%,但是开路电压和短路电流密度分别提高了0.9mV和0.13mA/cm2,最终转换效率仍然提高了0.08%。

背腐蚀在N型晶体硅太阳电池生产中的应用

采用湿化学方法对硅片背面抛光钝化,研究背腐蚀对硅片各项性能、电池电性能的影响。通过分析腐蚀后硅片表面形貌、反射率及电池电性能的变化,发现腐蚀降低了硅片表面粗糙度,增大背面反射率,内量子效率中长波光的响应增强;抛光使得金字塔棱角变得更平滑,降低硅片表面电子空穴复合速率,增大了有效少子寿命,开路电压和短路电流密度分别增加了3mV和0.3J/cm2,电池效率提升了0.3%,最高可达到19.5%。

五日生化需氧量(BOD_5)测定影响因素浅析

一、前言生化需氧量是指在规定的条件下,微生物分解水中的某些可氧化的物质,特别是分解有机物的生物化学过程消耗的溶解氧。生化需氧过程的发生需具备以下条件:好氧微生物的存在,有足够的溶解氧和具备适合微生物利用的营养物和有机物等。目前国内外普遍规定于20±1℃培养5d,分别测定样品培养前后的溶解氧,二者之差即为值,以氧的毫克/升(mg/L)表示。BOD5属于地表水水质检测的一个常规监测项目,并且是水质有机污染综合指标之一。因此,在测定过程中,如何消除影响因素。对于及时获得科学有效的监测数据具有十分重要的意义。

不同折射率对N型单晶硅太阳电池电性能的影响

用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法,通过改变[SiH4]/[NH3:H2]的流量比沉积氮化硅薄膜。用椭偏仪测量氮化硅薄膜的厚度、折射率。研究了N型单晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的电性能。