苏南太湖流域水稻经济生态适宜施氮量研究

针对苏南太湖流域无机化、高氮量施肥方式 ,造成氮肥利用率下降、水环境污染日益严重这种现象 ,研究了不同氮肥施用水平下水稻的产量、氮肥利用率及氮肥水环境损失。并在以下研究结果的基础上 ,引入环境经济学的 Coase原理和农业技术经济学的边际收益分析原理求得 ,2 2 1 .5～ 2 61 .4 kg N/hm2 为苏南太湖流域目前生产条件下 ,兼顾生产、生态和经济三效益比较合理的水稻施肥量 ,相应的经济、生态适宜产量为 7379.6～ 7548.

集约高产农业生态系统有机物分解及土壤呼吸动态研究

以河北省吴桥县龙王河中心试区内的集约农业生态系统为例 ,借用生态学的方法 ,用网袋法测定了集约高产田 ( HYF)和中产田 ( MYF)小麦秸秆、小麦根、玉米秸秆和玉米根等 4种有机物的分解动态 ;用隔离罐 -碱液吸收法测定了土壤的呼吸动态 ;并以此推算了 2种农田土壤 C的矿化率和平衡系数 .结果表明 ,集约高产田的有机物分解与中产田没有明显区别 ,土壤呼吸量分别为 1 878.5和 1 72 5.7g CO2 ·m- 2 · a- 1.土壤 C的矿化率分别为 5.64%和 5.48% ,平衡系数分别为 1 .84和 1 .86,表明集约高产并没有降低土壤

苏南太湖流域水稻氮肥利用率及氮肥淋洗量研究

在苏南太湖流域，对不同氮肥施用水平下水稻的产量、氮肥利用率及氮肥水环境损失进行了研究。结果表明，在350kg／hm2的高氮肥施用水平下，水稻产量已经下降、植株发生氮素“奢侈”吸收、氮肥利用率下降，氮的淋洗量迅速增加。在以上研究结果的基础上，利用环境经济学的Coase原理和农业技术经济学的边际收益分析原理求得，221．5～261．4kg／hm2N为苏南太湖流域目前生产条件下，水稻兼顾生产、生态和经济三效益比较合理的施肥量，相应的产量范围为7379．6～7548．6kg／hm2。

Ni_(46)Mn_(35)Ga_(19)单晶大的磁熵变和磁控形状记忆效应(英文)

采用多种测量手段,对制备出的转变温度在室温以上的Ni46Mn35Ga19单晶的物性进行表征。电阻和交流磁化率结果表明,该材料的磁转变和马氏体相变是同时发生的。定温磁化强度测量得出材料磁熵变的增长速率高达9.0J/kg·K·T,在1274kA/m(1.6T)的磁场下,磁熵变达13.8J/kg·K。此外,应变测量表明,伴随该磁熵变,材料展现出应变量分别高达–0.89%和–1.90%的自发和磁控双向形状记忆效应。

单晶Ni_(52)Mn_(16.4)Fe_8Ga_(23.6)的磁控形状记忆效应和磁感生应变

用磁悬浮冷坩埚提拉设备沿[001]方向生长了组分为 Ni52Mn16.4Fe8Ga23.6 的单晶,通过磁增强相变应变和磁感生应变的测量研究了该材料磁控形状记忆效应和磁感生应变的温度稳定性。结果发现该材料不但具有大的自发相变应变、磁增强相变应变和磁感生应变,而且磁感生应变具有很好的温度稳定性,从 265 K 到 100 K,饱和磁感生应变的最大减小量不超过 10%。另外,实验也发现磁感生应变量最大的方向是沿晶体母相的[001]方向(即单晶生长方向)。根据合金形状记忆的特点和磁场诱导应变的机理对实验结果进行了分析和讨论。

Ni_(50.5)Mn_(26.5)Ga_(23)单晶磁感生应变的温度依赖性

通过对磁感生应变和磁增强相变应变的测量,研究了Ni_(50.5)Mn_(26.5)Ga_(23)单晶磁感生应变的温度依赖性和磁控形状记忆效应.结果表明,随着温度的降低;Ni_(50.5)Mn_(26.5)Ga_(23)单晶的饱和磁感生应变量先是迅速减小,然后缓慢减小;磁场的方向不同,随着温度降低饱和磁感生应变量减小的速度也不同。根据合金形状记忆的特点和马氏体变体择优取向的机理,对实验结果进行了分析和讨论。

EHMO方法对CaF2晶体能带结构的研究

利用扩展休克尔方法结合特殊Ｋ点方案，采用自包容子程序，计算了离子晶体ＣａＦ２的能带结构，得出了价带位置和能隙宽度．能级结构计算结果表明，能级Γ１２位于Γ′２５之下，一些能级的位置被排斥上移，导带的最小点在Γ１，而不是像其他半经验方法计算的那样在Ｘ３．采用的方案计算简便，大大节省了计算时间，所得结果较好地解释了实验光谱数据．

集约高产过程中土壤有机质动态初探

集约高产过程中土壤有机质动态初探崔玉亭，韩纯儒（北京农业大学，１０００９４）ＤｙｎａｍｉｃｓｏｆＳｏｉｌＯｒｇａｎｉｃＭａｔｔｅｒ（ＳＯＭ）ｉｎｔｈｅＰｒｏｃｅｓｓｏｆＡｇｒｉｃｕｌｔｕｒａｌＩｎｔｅｎｓｉｆｉｃａｔｉｏｎ￥．ＣｕｉＹｕｔｉｎｇ；ＨａｎＣｈｕｎｒｕ（ＢｅｉｊｉｎｇＡｇｒｉｃｕｌｔｕｒａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，１０００９４）．ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＥｃｏｌｏｇｙ，１９９３，１２（２）：３７—３８．Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｔｈｅｂａｌａｎｃｅｏｆｓｏｉｌｏｒｇａｎｉｃｍａｔｔｅｒ（ＳＯＭ）ｉｎｔｈｅｐｒｏｃｅｓｓｏｆａｇｒｉｃｕｌｔｕｒａｌｉｎｔｅｎｓｉｆｉｃａｔｉｏｎｉｎＣｈａｎｇｚｈｏｕｒｅｇｉｏｎｉｓｓｔｕｄｉｅｄａｎｄａｍｅｄｉｕｍ－ａｎｄｌｏｎｇ－ｔｅｒｍｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎｏｆｉｔｓｄｙｎａｍｉｃｓｉｓｍａｄｅ。Ｔｈｅｒｅ－ｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｄｕｒｉｎｇｔｈｉｓｐｒｏｃｅｓｓ，ｔｈｅｂａｌａｎｃｅｏｆＳＯＭｉｓｇｅｔｔｉｎｇｂｅｔｔｅｒ，ａｎｄａｆｔｅｒａｍｅｄｉｕｍｏｒｌｏｎｇｐｅ－ｒｉｏｄ（ｅ．ｇ，１０—２０ｙｅａｔｓ）。

土壤肥力在集约高产过程中的作用

在集约化过程中的不同投入水平下,有机质等土壤肥力因素所起的作用不同。在不投入或低投入阶段,对产量的贡献份额相对较大;而高投入阶段对产量的贡献份额相对较小,人工投入作用较大,部分代替了土壤肥力的作用。沧州地区大部分中、高产田的土壤肥力指标非常相近,几乎没什么差异,产量的提高主要和人工投入量有关,即本区大部分中高产田有机质等肥力因素已不再是产量的限制因子。但一些低产田有机质等土壤肥力指标仍然较低,可能为产量的限制因子。

我国农业高新技术创新的可能性估计

从农业新技术、新工艺,新的农业生产方式与管理模式,农业是否有新的产品和服务等不同的视角对农业高新技术创新进行观测。从市场需求、研发优势、产业基础等角度看,我国农业高新技术创新在动植物品种培育与改良、动植物的快速繁殖、农用生物制剂、海洋农业开发、精确农业、节水技术和设施农业、农业信息化、农产品深加工、食品安全与标准化等领域可能会率先获得成功。

NaCl晶体的能带结构

利用扩展休克尔方法，采用自包容子程序，计算了ＮａＣｌ晶体的能带结构，并与实验数据及其它理论计算结果进行了比较，所得结果与实验数据符合得较好．

NaI晶体电子结构的研究

利用ＥＨＭＯ方法结合特殊点方案和自包容子程序，计算了ＮａＩ晶体的态密度．确定了价级位置。

扩展休克尔理论对碱卤化物电子结构的研究

扩展休克尔方法结合特殊点方案，利用自包容子程序，我们表示了一个简单计算方法，把扩展休克尔理论应用到离子晶体。计算了碱卤化物晶体的电子结构，确定了能隙和价带位置，与实验结果符合较好。定性解释了中性基态Ｎａ，Ｋ原子的低能ＥＳＤ实验的结果。

磁场对NiMnGa单晶预相变温度的影响

利用应变测量研究了外加恒定磁场对NiMnGa单晶预相变温度的影响,发现外加磁场使预相变温度向低温方向漂移,而且预相变温度漂移的程度与外加磁场的方向有关.依据前人的模型和我们的电子显微镜观察,目前的结果证实预相变过程中存在较强的磁弹相互作用;当外加磁场分别沿晶体的[001]和[010]两个等价的晶轴方向时,在[010]方向上导致的磁弹相互作用更强.

金刚石膜MEMS及其应用

由于金刚石膜优异的力学、电学、热学及化学性质,使其成为MEMS中的微型传感器和微型结构的重要的首选材料。利用金刚石膜作为MEMS材料和各种微型机械的技术正在引起极大的兴趣。本文主要综述了金刚石MEMS器件的技术和应用。

镍粒子在单壁碳纳米管生成中的催化机制

用CVD法制备单壁碳纳米管 ,一般加入镍金属颗粒作为催化剂。由于镍金属颗粒不同晶体表面对碳原子的吸附具有不同的活性 ,在制备单壁碳纳米管时 ,导致镍颗粒 (液态 )吸附的碳原子在其表面由活性小的晶面活性大的晶面扩散并沉积 ,结果围绕镍金属颗粒形成空腔 ,单壁碳纳米管得以生成。在单壁碳纳米管生长过程中 ,镍原子作为替位式原子 ,总是处在碳纳米管六角网络的最外端 ,起着缺陷稳定剂的并促进其生成。笔者阐述了镍金属颗粒催化剂的催化机制 ,并对单壁碳纳米管产物的形貌作了合理解释。

霍尔效应法测磁场的误差来源及消除分析

分析了霍耳效应法测磁场的误差来源，提出了为减少误差应采取的措施及注意事项．

NiMnGa和NiMnFeGa单晶磁感生应变的温度依赖性及孪晶界移动的能量损耗

在提拉法生长出Ni52Mn16.4Fe8Ga23.6单晶样品的基础上,测量了其相变应变和磁感生应变。与Ni52Mn24.5Ga23.5单晶样品的实验结果对比分析可知,两种材料都具有较大的自发相变应变量和磁感生应变量,但Ni52Mn16.4Fe8Ga23.6单晶的磁感生应变具有较好的温度稳定性。依据实验结果和利用热动力学原理,分别计算了两种单晶样品磁感生应变升降磁场一个循环过程中孪晶界移动的能量损耗,给出了能量损耗随温度变化的关系,结果表明磁感生应变量可定性反映一个循环过程中孪晶界移动的能量损耗。

EHMO方法对KI晶体电子结构的研究

ＥＨＭＯ方法结合特殊点方案，利用自包容子程序，计算了ＫＩ晶体的态密度，确定了价级位置，得出了其能隙和价带宽度。

理论分析辉光放电对碳纳米管生长速率的影响

利用负偏压增强热丝化学气相沉积 ,在沉积过渡层Ta和催化剂NiFe层的Si衬底上制备了碳纳米管 ,并用扫描电子显微镜研究了它们的形貌。发现辉光放电后 ,碳纳米管的平均长度比无辉光放电时大 ,并且随着负偏压的增大而增大 ,即辉光放电增大了它们的生长速率。结合辉光放电和扩散理论分析了辉光放电对碳纳米管生长速率的影响 ,结果表明在生长碳纳米管的过程中 ,由于辉光放电的产生 ,碳在催化剂中的活度得到增强 ,从而增大了碳纳米管的生长速率。