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Si/SiGe/SiHBT直流特性的可靠性
1
作者
崔福现
张万荣
《微纳电子技术》
CAS
2003年第10期17-19,共3页
对单台面SiGeHBT在E-B结反偏应力下直流特性的可靠性进行了研究。研究结果表明,随应力时间的增加,开启电压增加,直流电流增益下降,特别是在低E-B正偏电压时下降明显;而交流电流增益退化缓慢。
关键词
异质结双极晶体管
HBT
直流特性
可靠性
SI/SIGE/SI
硅锗
增益
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职称材料
Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性
被引量:
4
2
作者
张万荣
李志国
+7 位作者
王立新
汪东
崔福现
孙英华
程尧海
陈建新
沈光地
罗晋生
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期1132-1134,共3页
同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,...
同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,并对这一现象进行了新的解释 ,认为这是由于大电流下耗散功率增加 ,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果 .这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力 。
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关键词
异质结双极晶体管
负阻特性
输出特性
硅
锗
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职称材料
CMOS模拟开关中的闭锁现象及消除方法
3
作者
崔福现
白淑华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第4期28-32,共5页
本 文描述了CMOS集成电路中的闭锁现象的机理,分析了寄生PnPn可控硅的触发条件.提出了防止CMOS模拟开关电路闭锁的措施,以及本电路的版图设计和工艺设计的原则,从而实现消除闭锁现象的目的.最后介绍了研制中的CMOS模拟开关的抗闭锁性能...
本 文描述了CMOS集成电路中的闭锁现象的机理,分析了寄生PnPn可控硅的触发条件.提出了防止CMOS模拟开关电路闭锁的措施,以及本电路的版图设计和工艺设计的原则,从而实现消除闭锁现象的目的.最后介绍了研制中的CMOS模拟开关的抗闭锁性能和电路性能.
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关键词
CMOS
模拟开关
闭锁现象
消除
全文增补中
DEEMO——一种新的微结构制造技术
4
作者
崔福现
《半导体情报》
1997年第2期60-64,共5页
干法腐蚀的最新进展使其成为微铸模制造中有发展前途的工艺技术。就像DEEMO工艺展示的那样,高深宽比、方向自由度、低不平度、高腐蚀速率以及对掩模材料的高选择比,使多用的微铸模制作工艺能进一步电镀和模压。DEEMO是英文...
干法腐蚀的最新进展使其成为微铸模制造中有发展前途的工艺技术。就像DEEMO工艺展示的那样,高深宽比、方向自由度、低不平度、高腐蚀速率以及对掩模材料的高选择比,使多用的微铸模制作工艺能进一步电镀和模压。DEEMO是英文缩写,含意是干法腐蚀(DryEtching)、电镀(Electroplating)和铸模(MOulding)。
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关键词
干法腐蚀
微结构制造技术
DEEMO
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职称材料
自对准双极晶体管中的低频噪声
5
作者
P. F. Lu
崔福现
《半导体情报》
1989年第4期42-46,共5页
报导了用多晶硅做发射极的自对准n-p-n双极晶体管的低频噪声的初步研究情况。其中一些管子显示出一般扩散结晶体管中观察到的1/f规律不同的过量噪声谱。并且发现噪声谱形成S(f)随样品而异。例如,我们在同一芯片上的两个相邻的管子上...
报导了用多晶硅做发射极的自对准n-p-n双极晶体管的低频噪声的初步研究情况。其中一些管子显示出一般扩散结晶体管中观察到的1/f规律不同的过量噪声谱。并且发现噪声谱形成S(f)随样品而异。例如,我们在同一芯片上的两个相邻的管子上,就观察到两种不同的形式S(f)-1/f和S(f)-1[1|(f/f0)^2]。我们认为,后者是由于在多晶硅-单晶硅界面处的氧化层势垒中载流于俘获造成的。其不均匀性可以说明噪声谱变化范围很宽的原因。
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关键词
自对准双极晶体管
低频噪声
多晶硅
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职称材料
题名
Si/SiGe/SiHBT直流特性的可靠性
1
作者
崔福现
张万荣
机构
中国电子科技集团公司十三所
北京工业大学
出处
《微纳电子技术》
CAS
2003年第10期17-19,共3页
文摘
对单台面SiGeHBT在E-B结反偏应力下直流特性的可靠性进行了研究。研究结果表明,随应力时间的增加,开启电压增加,直流电流增益下降,特别是在低E-B正偏电压时下降明显;而交流电流增益退化缓慢。
关键词
异质结双极晶体管
HBT
直流特性
可靠性
SI/SIGE/SI
硅锗
增益
Keywords
HBT
mesa
reliability
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性
被引量:
4
2
作者
张万荣
李志国
王立新
汪东
崔福现
孙英华
程尧海
陈建新
沈光地
罗晋生
机构
北京工业大学电子系
信息产业部电子第
西安交通大学微电子研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期1132-1134,共3页
基金
北京市自然基金 (No .4982 0 0 4 )
北京市科技新星项目基金 (No.952 871 90 0 )
文摘
同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,并对这一现象进行了新的解释 ,认为这是由于大电流下耗散功率增加 ,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果 .这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力 。
关键词
异质结双极晶体管
负阻特性
输出特性
硅
锗
Keywords
Si/SiGe/Si double heterojunction bipolar transistors
negative resistance
output characteristics
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
CMOS模拟开关中的闭锁现象及消除方法
3
作者
崔福现
白淑华
机构
机电部十三所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第4期28-32,共5页
文摘
本 文描述了CMOS集成电路中的闭锁现象的机理,分析了寄生PnPn可控硅的触发条件.提出了防止CMOS模拟开关电路闭锁的措施,以及本电路的版图设计和工艺设计的原则,从而实现消除闭锁现象的目的.最后介绍了研制中的CMOS模拟开关的抗闭锁性能和电路性能.
关键词
CMOS
模拟开关
闭锁现象
消除
分类号
TN432.05 [电子电信—微电子学与固体电子学]
全文增补中
题名
DEEMO——一种新的微结构制造技术
4
作者
崔福现
出处
《半导体情报》
1997年第2期60-64,共5页
文摘
干法腐蚀的最新进展使其成为微铸模制造中有发展前途的工艺技术。就像DEEMO工艺展示的那样,高深宽比、方向自由度、低不平度、高腐蚀速率以及对掩模材料的高选择比,使多用的微铸模制作工艺能进一步电镀和模压。DEEMO是英文缩写,含意是干法腐蚀(DryEtching)、电镀(Electroplating)和铸模(MOulding)。
关键词
干法腐蚀
微结构制造技术
DEEMO
分类号
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
自对准双极晶体管中的低频噪声
5
作者
P. F. Lu
崔福现
出处
《半导体情报》
1989年第4期42-46,共5页
文摘
报导了用多晶硅做发射极的自对准n-p-n双极晶体管的低频噪声的初步研究情况。其中一些管子显示出一般扩散结晶体管中观察到的1/f规律不同的过量噪声谱。并且发现噪声谱形成S(f)随样品而异。例如,我们在同一芯片上的两个相邻的管子上,就观察到两种不同的形式S(f)-1/f和S(f)-1[1|(f/f0)^2]。我们认为,后者是由于在多晶硅-单晶硅界面处的氧化层势垒中载流于俘获造成的。其不均匀性可以说明噪声谱变化范围很宽的原因。
关键词
自对准双极晶体管
低频噪声
多晶硅
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si/SiGe/SiHBT直流特性的可靠性
崔福现
张万荣
《微纳电子技术》
CAS
2003
0
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职称材料
2
Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性
张万荣
李志国
王立新
汪东
崔福现
孙英华
程尧海
陈建新
沈光地
罗晋生
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
4
下载PDF
职称材料
3
CMOS模拟开关中的闭锁现象及消除方法
崔福现
白淑华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989
0
全文增补中
4
DEEMO——一种新的微结构制造技术
崔福现
《半导体情报》
1997
0
下载PDF
职称材料
5
自对准双极晶体管中的低频噪声
P. F. Lu
崔福现
《半导体情报》
1989
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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