期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
7
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
γ辐照对GaP发光二极管深能级和亮度的影响
被引量:
4
1
作者
崔连森
《潍坊学院学报》
2004年第2期16-18,共3页
首次应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了γ射线辐照Gap红色发光二级管深能和亮度的影响。结果表明,γ射线辐照射后,Gap红色发光二级管中的zn-O对的浓度增大,亮度也提高。
关键词
γ射线
辐照
磷化镓
发光二极管
亮度
DLTS
深能级瞬态谱
下载PDF
职称材料
PAS无线系统网络基站的布设
被引量:
1
2
作者
崔连森
《电信工程技术与标准化》
2004年第11期62-64,共3页
本文完整的概述了当前PAS无线系统基站站的布设,对基站的工作原理,基站类型及天线类型做了详细论述,并论述了基站的布设原则及优化的目的与方法。
关键词
基站
PAS
无线系统
天线
网络
布设原则
下载PDF
职称材料
镓砷磷半导体发光二极管中的少子陷阱
3
作者
崔连森
《潍坊学院学报》
2008年第6期35-36,39,共3页
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,首次研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管少子陷阱。结果表明,GaAs0.55P0.45红色发光二极管有一个少子陷阱;并对陷阱位置的真实值进行了详细计算,其激活能为0.11eV。
关键词
深能级
DLTS
少子陷阱
下载PDF
职称材料
基于IP及软交换技术的“小灵通”移动电话系统
4
作者
崔连森
《潍坊学院学报》
2006年第6期46-48,共3页
本文完整概述了当前一种无线接入网新技术,对系统结构,协议构架,以及系统的工作原理与漫游作了详细论述。
关键词
无线接入
网关
协议
下载PDF
职称材料
GaAs_(0.55)P_(0.45)发光二极管中的无辐射陷阱
5
作者
崔连森
《潍坊学院学报》
2005年第4期62-64,共3页
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管深能级。结 果表明,有B陷阱的GaAs0.55P0.45红色发光二极管亮度比有C陷阱的低;并对B陷阱深能级 位置的真实值进行了详细计算。
关键词
深能级
DLTS
发光亮度
下载PDF
职称材料
科学知识观的嬗变——一种知识社会学的分析视角
被引量:
3
6
作者
赵长林
崔连森
《科学学研究》
CSSCI
北大核心
2004年第1期7-11,共5页
人们对科学知识品质的认识和科学对自然界的认识一样是不断发展的。知识社会学从对传统的普遍、客观、价值中立的科学知识观的解构中,逐步走向相对主义的科学知识观。
关键词
科学
知识观
嬗变
下载PDF
职称材料
GaP发光二极管中深能级对发光强度的影响研究
被引量:
1
7
作者
崔连森
《光学技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期832-834,839,共4页
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaP发光二极管中Zn-O对深能级,并计算出了其能级的激活能。GaP红色发光二极管经过γ射线长时间辐照后,其Zn-O对的浓度和发光管发光强度发生了变化。结果表明,经γ射线辐照后,GaP红色发光二极管中的Zn-...
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaP发光二极管中Zn-O对深能级,并计算出了其能级的激活能。GaP红色发光二极管经过γ射线长时间辐照后,其Zn-O对的浓度和发光管发光强度发生了变化。结果表明,经γ射线辐照后,GaP红色发光二极管中的Zn-O对的浓度增大,发光强度增强。它为提高GaP红色发光二极管的发光效率提供了一种新的方法。
展开更多
关键词
深能级
DLTS
发光强度
原文传递
题名
γ辐照对GaP发光二极管深能级和亮度的影响
被引量:
4
1
作者
崔连森
机构
潍坊学院信息与控制工程系
出处
《潍坊学院学报》
2004年第2期16-18,共3页
文摘
首次应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了γ射线辐照Gap红色发光二级管深能和亮度的影响。结果表明,γ射线辐照射后,Gap红色发光二级管中的zn-O对的浓度增大,亮度也提高。
关键词
γ射线
辐照
磷化镓
发光二极管
亮度
DLTS
深能级瞬态谱
Keywords
on-off EOQ model
Brownian motion
Optimal policy
Average expected profits
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
PAS无线系统网络基站的布设
被引量:
1
2
作者
崔连森
机构
潍坊学院信息与控制工程系
出处
《电信工程技术与标准化》
2004年第11期62-64,共3页
文摘
本文完整的概述了当前PAS无线系统基站站的布设,对基站的工作原理,基站类型及天线类型做了详细论述,并论述了基站的布设原则及优化的目的与方法。
关键词
基站
PAS
无线系统
天线
网络
布设原则
Keywords
RCR STD-28, V5 interface
分类号
TN925 [电子电信—通信与信息系统]
下载PDF
职称材料
题名
镓砷磷半导体发光二极管中的少子陷阱
3
作者
崔连森
机构
潍坊学院
出处
《潍坊学院学报》
2008年第6期35-36,39,共3页
文摘
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,首次研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管少子陷阱。结果表明,GaAs0.55P0.45红色发光二极管有一个少子陷阱;并对陷阱位置的真实值进行了详细计算,其激活能为0.11eV。
关键词
深能级
DLTS
少子陷阱
分类号
TN312 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于IP及软交换技术的“小灵通”移动电话系统
4
作者
崔连森
机构
潍坊学院
出处
《潍坊学院学报》
2006年第6期46-48,共3页
文摘
本文完整概述了当前一种无线接入网新技术,对系统结构,协议构架,以及系统的工作原理与漫游作了详细论述。
关键词
无线接入
网关
协议
Keywords
Gateway, WLL, Protocol
分类号
TN915 [电子电信—通信与信息系统]
下载PDF
职称材料
题名
GaAs_(0.55)P_(0.45)发光二极管中的无辐射陷阱
5
作者
崔连森
机构
潍坊学院
出处
《潍坊学院学报》
2005年第4期62-64,共3页
文摘
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管深能级。结 果表明,有B陷阱的GaAs0.55P0.45红色发光二极管亮度比有C陷阱的低;并对B陷阱深能级 位置的真实值进行了详细计算。
关键词
深能级
DLTS
发光亮度
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
科学知识观的嬗变——一种知识社会学的分析视角
被引量:
3
6
作者
赵长林
崔连森
机构
聊城大学高等教育研究所
潍坊学院信息控制系
出处
《科学学研究》
CSSCI
北大核心
2004年第1期7-11,共5页
文摘
人们对科学知识品质的认识和科学对自然界的认识一样是不断发展的。知识社会学从对传统的普遍、客观、价值中立的科学知识观的解构中,逐步走向相对主义的科学知识观。
关键词
科学
知识观
嬗变
Keywords
science
knowledge view
transmutation
分类号
G301 [文化科学]
下载PDF
职称材料
题名
GaP发光二极管中深能级对发光强度的影响研究
被引量:
1
7
作者
崔连森
机构
潍坊学院信息与控制工程学院
出处
《光学技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期832-834,839,共4页
文摘
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaP发光二极管中Zn-O对深能级,并计算出了其能级的激活能。GaP红色发光二极管经过γ射线长时间辐照后,其Zn-O对的浓度和发光管发光强度发生了变化。结果表明,经γ射线辐照后,GaP红色发光二极管中的Zn-O对的浓度增大,发光强度增强。它为提高GaP红色发光二极管的发光效率提供了一种新的方法。
关键词
深能级
DLTS
发光强度
Keywords
deep level
DLTS
luminance intensity
分类号
O434.19 [机械工程—光学工程]
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
γ辐照对GaP发光二极管深能级和亮度的影响
崔连森
《潍坊学院学报》
2004
4
下载PDF
职称材料
2
PAS无线系统网络基站的布设
崔连森
《电信工程技术与标准化》
2004
1
下载PDF
职称材料
3
镓砷磷半导体发光二极管中的少子陷阱
崔连森
《潍坊学院学报》
2008
0
下载PDF
职称材料
4
基于IP及软交换技术的“小灵通”移动电话系统
崔连森
《潍坊学院学报》
2006
0
下载PDF
职称材料
5
GaAs_(0.55)P_(0.45)发光二极管中的无辐射陷阱
崔连森
《潍坊学院学报》
2005
0
下载PDF
职称材料
6
科学知识观的嬗变——一种知识社会学的分析视角
赵长林
崔连森
《科学学研究》
CSSCI
北大核心
2004
3
下载PDF
职称材料
7
GaP发光二极管中深能级对发光强度的影响研究
崔连森
《光学技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部