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Zn_2SiO_4∶Mn^(2+)电子结构及光学性质的第一性原理计算
被引量:
2
1
作者
王燕
朱雪萍
+3 位作者
崔飞玲
史威威
贾莹莹
张志伟
《河北科技师范学院学报》
CAS
2014年第3期58-63,共6页
采用基于密度泛函(DFT)理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法,对Zn2SiO4∶Mn2+的电子结构(能结构、态密度)和光学性质进行了理论计算。计算结果表明,Zn2SiO4∶Mn2+是一种间接带隙半导体,禁带宽度为2.934 eV;其能态密度主要由Zn-3d,O...
采用基于密度泛函(DFT)理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法,对Zn2SiO4∶Mn2+的电子结构(能结构、态密度)和光学性质进行了理论计算。计算结果表明,Zn2SiO4∶Mn2+是一种间接带隙半导体,禁带宽度为2.934 eV;其能态密度主要由Zn-3d,O-2p和Si-3p决定;静态介电函数ε1(0)=2.82;折射率n0=1.75;吸收系数最大峰值为7.37×104cm-1;利用计算的能带结构和态密度分析了Zn2SiO4∶Mn2+材料的介电函数、反射谱、复折射率以及消光系数等光学性质,为Zn2SiO4∶Mn2+发光材料的设计与应用提供了理论依据。
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关键词
Zn2SiO4∶Mn2+
电子结构
光学性质
第一性原理
下载PDF
职称材料
题名
Zn_2SiO_4∶Mn^(2+)电子结构及光学性质的第一性原理计算
被引量:
2
1
作者
王燕
朱雪萍
崔飞玲
史威威
贾莹莹
张志伟
机构
河北科技师范学院化学工程学院
出处
《河北科技师范学院学报》
CAS
2014年第3期58-63,共6页
文摘
采用基于密度泛函(DFT)理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法,对Zn2SiO4∶Mn2+的电子结构(能结构、态密度)和光学性质进行了理论计算。计算结果表明,Zn2SiO4∶Mn2+是一种间接带隙半导体,禁带宽度为2.934 eV;其能态密度主要由Zn-3d,O-2p和Si-3p决定;静态介电函数ε1(0)=2.82;折射率n0=1.75;吸收系数最大峰值为7.37×104cm-1;利用计算的能带结构和态密度分析了Zn2SiO4∶Mn2+材料的介电函数、反射谱、复折射率以及消光系数等光学性质,为Zn2SiO4∶Mn2+发光材料的设计与应用提供了理论依据。
关键词
Zn2SiO4∶Mn2+
电子结构
光学性质
第一性原理
Keywords
Zn2 SiO4 : Mn^2 +
electronic structure
optical properties
first-principles
分类号
TG115.2 [金属学及工艺—物理冶金]
O482.3 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Zn_2SiO_4∶Mn^(2+)电子结构及光学性质的第一性原理计算
王燕
朱雪萍
崔飞玲
史威威
贾莹莹
张志伟
《河北科技师范学院学报》
CAS
2014
2
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职称材料
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参考文献
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