局域耦合效应在GaInP太阳电池中的应用

近年来,局域耦合效应在光电转换器件中的应用受到广泛关注,在发光二极管以及硅基太阳电池中的基础与应用研究成为本领域的研究热点。然而局域耦合效应在宽禁带材料体系太阳电池中的应用仍未见系统报道。研究中利用溅射与热退火的手段在GaInP太阳电池表面成功制备了粒径与占空比可控的Au/半导体纳米异质结构,并对其退火前后的形貌进行了系统分析,后续对纳米异质结构的光学吸收现象及局域耦合效应的内在机制进行了探讨。最终,通过反射光谱的表征,在Au溅射时间为20 s和30 s样品中分别得到了2.2%和5.5%的光吸收增强。该研究提出的局域耦合效应在GaInP太阳电池中的应用,为改善GaInP太阳电池的表面吸收效率提供了一种新的思路。

表面还原处理对钽酸锂晶片电学性质的影响

以Y36°钽酸锂(LiTaO3,LT)晶片为研究对象,通过对同成分LT晶片(CLT)和深度还原黑色LT晶片(BLT)的比较研究,探讨了表面还原处理对钽酸锂晶片电学性能的影响。X射线衍射研究显示,还原处理对晶体结构没有明显影响。BLT的电导率比CLT明显高4个数量级,达到7.7×10-12Ω-.1cm-1,其压电常数d33、居里温度和介电常数与CLT相差不大,介电损耗有所提高。研究结果表明,还原处理不改变晶体结构,但能提高晶片表面的电导率,从而改善和消除晶片在器件制备过程中因热释电效应引起的放电现象。

氧化型垂直腔面发射激光器的常见失效模式和机理分析

氧化型垂直腔面发射激光器(VCSEL)在高速光通信中有着广泛的应用,应用过程中的可靠性是一个非常重要的指标,要求有高寿命和低失效率。为了更好地了解VCSEL在应用过程中的失效模式和机理,提升器件的可靠性,本文从器件设计、加工制造和应用过程等3个环节总结分析了氧化型VCSEL的常见失效模式、产生原因和机理,并提出了适当的改善措施和建议。其中,对氧化应力、静电放电和湿气腐蚀这3个主要失效因素进行了更为详细的分析。基于以上对业界研究工作的总结和分析,最后对实际工作中遇到的VCSEL失效案例进行简单的介绍,为VCSEL学者、研发设计、制造和使用人员提供一个较为全面的失效分析案例库。

晶圆低温直接键合技术研究进展

晶圆低温直接键合技术与传统键合方式相比具有对晶片及器件损伤小、无中介层污染、无需外部电场辅助等优势,在功率型半导体光电及电力电子器件、大功率固体激光器、MEMS、光电集成等领域具有巨大的应用潜力。文章从低温直接键合技术的发展历程入手,重点介绍了湿法疏水键合、湿法亲水键合和等离子体活化键合的物理化学机制。系统阐述了低温直接键合的工艺流程和键合强度的表征方法,探讨了低温直接键合的技术发展趋势,并对低温直接键合工艺的改善和创新应用拓展进行了展望。

基于Attention-GRU的短期光伏发电功率预测

针对传统长短时记忆神经网络(LSTM)参数量较多以及在处理长时间序列时容易忽略重要时序信息的不足,提出一种结合注意力机制(attention)与门控循环单元(GRU)的Attention-GRU短期光伏发电功率预测模型。首先,基于改进相似日理论建立新的数据集;然后,利用门控循环单元提取光伏发电功率的时序特征,引入注意力机制加强对时序输入中重要信息的关注;最终构建针对不同天气类型的预测模型。仿真结果表明,提出的模型与对比模型相比,预测精度更高。

垂直腔面发射激光器中位错形成及扩展特性分析

垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有成本低、速率高、功耗低和易于集成等优点,在短距离数据通信等领域具有广泛的应用。随着使用寿命、失效率等要求的不断提高以及器件应用需求的不断增大,VCSEL的可靠性受到了人们的广泛关注。研究发现,VCSEL失效的主要原因与位错的产生和扩展有关。为了提高器件的可靠性,对VCSEL内位错形成的原因进行分析,并系统介绍了位错扩展的动态特性和内在机理。

钙钛矿发光二极管的研究进展与机遇挑战

钙钛矿发光二极管具有效率高、色纯度高、成本低、发光波长在可见光区域连续可调等优势,在显示、照明、成像等领域具有很大的应用潜力。从钙钛矿发光二极管的基本结构与工作机制等方面入手,重点介绍提升钙钛矿发光二极管器件的荧光量子产率、光提取效率、载流子注入效率和可靠性等性能的主要技术手段,系统阐述了蓝光、绿光、红光和近红外多个波段钙钛矿发光二极管的关键参数提升方法的发展历程,简单介绍了无铅钙钛矿发光二极管的最新研究进展,探讨了钙钛矿发光二极管的技术发展动向,并对进一步提升钙钛矿发光二极管各项性能的方法与思路进行了展望。

Wafer-bonding AlGaInP light emitting diodes with pyramidally patterned metal reflector

We demonstrate and introduce here a pyramidally patterned metal reflector into wafer-bonding AlGaInP light emitting diodes （LEDs） to improve the light extraction efficiency by using a photo-assisted chemical etched GaP：Mg layer. The pyramid patterns were fabricated employing a HF and H202 mixed solution in combination with a 532 nm laser on a GaP：Mg surface firstly, and then a gold reflector layer was evaporated onto the patterned GaP：Mg surface. After the whole chip process, the patterned gold reflector structure was confirmed to be efficient for light extraction and a 18.55% enhancement of the electroluminescent flux has been obtained by an integrating sphere, compared to the surface textured LEDs with flat reflectors.