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TiO_2掺杂ZnO-Bi_2O_3-Co_2O_3-MnCO_3系低压压敏陶瓷的微结构和电性能研究
被引量:
4
1
作者
巨锦华
王华
+3 位作者
许积文
任明放
杨玲
袁昌来
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期505-509,共5页
采用固相反应法制备了TiO2掺杂的ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3系低压压敏陶瓷。采用X射线衍射、扫描电镜、压敏电阻直流参数仪、阻抗分析仪等研究了掺杂量对陶瓷的微结构、压敏性能和阻抗等影响。结果表明:掺杂1.0mol%TiO2时综合电性能最好,...
采用固相反应法制备了TiO2掺杂的ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3系低压压敏陶瓷。采用X射线衍射、扫描电镜、压敏电阻直流参数仪、阻抗分析仪等研究了掺杂量对陶瓷的微结构、压敏性能和阻抗等影响。结果表明:掺杂1.0mol%TiO2时综合电性能最好,压敏电压梯度为21.6 V/mm,漏电流密度为0.02μA/mm2,非线性系数为33;掺杂量大于1.0 mol%时,压敏电压梯度降低的同时也使非线性系数降低,漏电流密度增大;Cole-Cole形式的复阻抗谱图表明掺杂1.0 mol%TiO2的晶界电阻最大,晶界电阻对ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3-TiO2系低压压敏陶瓷电阻的贡献最为明显。
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关键词
ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3压敏陶瓷
微结构
电性能
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职称材料
烧结温度对低压ZBCMTV压敏电阻性能的影响
2
作者
巨锦华
《电工材料》
CAS
2012年第1期20-23,共4页
采用固相反应法制备了低压ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3-TiO2-V2O5(ZBCMTV)压敏电阻,借助扫描电子显微镜、压敏电阻直流参数仪、阻抗分析仪等研究了烧结温度对压敏电阻的微结构、压敏性能和介电性能等的影响。结果表明,在较低烧结温度(980℃)...
采用固相反应法制备了低压ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3-TiO2-V2O5(ZBCMTV)压敏电阻,借助扫描电子显微镜、压敏电阻直流参数仪、阻抗分析仪等研究了烧结温度对压敏电阻的微结构、压敏性能和介电性能等的影响。结果表明,在较低烧结温度(980℃)下,ZBCMTV压敏电阻综合性能最好;晶粒发育比较完全,粒径大小较均一,平均粒径约13.9μm;压敏电压梯度为109.7 V/mm,漏电流密度最小为0.015μA/mm2,非线性系数最大为27.8。
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关键词
烧结温度
压敏电阻
电学性能
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职称材料
V_2O_5掺杂ZnO-Bi_2O_3-Co_2O_3-MnCO_3-TiO_2低压压敏陶瓷的微结构和电性能
被引量:
4
3
作者
巨锦华
王华
许积文
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期1813-1818,共6页
采用固相反应法制备V2O5掺杂的ZnO–Bi2O3–Co2O3–MnCO3–TiO2(ZBCMT)低压压敏陶瓷。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、压敏电阻直流参数仪和阻抗分析仪研究了V2O5掺杂对ZBCMT陶瓷微结构、压敏性能、电场强度–电流密度特性和介电性能...
采用固相反应法制备V2O5掺杂的ZnO–Bi2O3–Co2O3–MnCO3–TiO2(ZBCMT)低压压敏陶瓷。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、压敏电阻直流参数仪和阻抗分析仪研究了V2O5掺杂对ZBCMT陶瓷微结构、压敏性能、电场强度–电流密度特性和介电性能的影响。结果表明:掺摩尔分数为0.010%的V2O5时,ZBCMT陶瓷的综合性能最佳,压敏电压梯度为31.1 V/mm,漏电流密度为0.02μA/mm2,非线性系数为25,施主浓度Nd和界面态密度Ns的最小值分别为0.810×1018/cm3和2.632×1012/cm2,耗尽层宽度ω的最大值为32.49 nm,同时,出现了较高的势垒高度φB(0.908 eV)。随V2O5掺杂量的增加,ZBCMT陶瓷的Nd和Ns增加,而ω和φB减小,这与受主杂质V2O5的掺杂有关。
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关键词
压敏陶瓷
微结构
电性能
原文传递
题名
TiO_2掺杂ZnO-Bi_2O_3-Co_2O_3-MnCO_3系低压压敏陶瓷的微结构和电性能研究
被引量:
4
1
作者
巨锦华
王华
许积文
任明放
杨玲
袁昌来
机构
桂林电子科技大学材料科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期505-509,共5页
文摘
采用固相反应法制备了TiO2掺杂的ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3系低压压敏陶瓷。采用X射线衍射、扫描电镜、压敏电阻直流参数仪、阻抗分析仪等研究了掺杂量对陶瓷的微结构、压敏性能和阻抗等影响。结果表明:掺杂1.0mol%TiO2时综合电性能最好,压敏电压梯度为21.6 V/mm,漏电流密度为0.02μA/mm2,非线性系数为33;掺杂量大于1.0 mol%时,压敏电压梯度降低的同时也使非线性系数降低,漏电流密度增大;Cole-Cole形式的复阻抗谱图表明掺杂1.0 mol%TiO2的晶界电阻最大,晶界电阻对ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3-TiO2系低压压敏陶瓷电阻的贡献最为明显。
关键词
ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3压敏陶瓷
微结构
电性能
Keywords
ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3 varistor ceramics
microstructures
electrical properties
分类号
TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
烧结温度对低压ZBCMTV压敏电阻性能的影响
2
作者
巨锦华
机构
陕西合容电气集团有限公司
出处
《电工材料》
CAS
2012年第1期20-23,共4页
文摘
采用固相反应法制备了低压ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3-TiO2-V2O5(ZBCMTV)压敏电阻,借助扫描电子显微镜、压敏电阻直流参数仪、阻抗分析仪等研究了烧结温度对压敏电阻的微结构、压敏性能和介电性能等的影响。结果表明,在较低烧结温度(980℃)下,ZBCMTV压敏电阻综合性能最好;晶粒发育比较完全,粒径大小较均一,平均粒径约13.9μm;压敏电压梯度为109.7 V/mm,漏电流密度最小为0.015μA/mm2,非线性系数最大为27.8。
关键词
烧结温度
压敏电阻
电学性能
Keywords
sintering temperature
varistor
electrical properties
分类号
TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
V_2O_5掺杂ZnO-Bi_2O_3-Co_2O_3-MnCO_3-TiO_2低压压敏陶瓷的微结构和电性能
被引量:
4
3
作者
巨锦华
王华
许积文
机构
桂林电子科技大学材料科学与工程学院
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期1813-1818,共6页
文摘
采用固相反应法制备V2O5掺杂的ZnO–Bi2O3–Co2O3–MnCO3–TiO2(ZBCMT)低压压敏陶瓷。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、压敏电阻直流参数仪和阻抗分析仪研究了V2O5掺杂对ZBCMT陶瓷微结构、压敏性能、电场强度–电流密度特性和介电性能的影响。结果表明:掺摩尔分数为0.010%的V2O5时,ZBCMT陶瓷的综合性能最佳,压敏电压梯度为31.1 V/mm,漏电流密度为0.02μA/mm2,非线性系数为25,施主浓度Nd和界面态密度Ns的最小值分别为0.810×1018/cm3和2.632×1012/cm2,耗尽层宽度ω的最大值为32.49 nm,同时,出现了较高的势垒高度φB(0.908 eV)。随V2O5掺杂量的增加,ZBCMT陶瓷的Nd和Ns增加,而ω和φB减小,这与受主杂质V2O5的掺杂有关。
关键词
压敏陶瓷
微结构
电性能
Keywords
varistor ceramics
microstructure
electrical property
分类号
TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
TiO_2掺杂ZnO-Bi_2O_3-Co_2O_3-MnCO_3系低压压敏陶瓷的微结构和电性能研究
巨锦华
王华
许积文
任明放
杨玲
袁昌来
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
4
下载PDF
职称材料
2
烧结温度对低压ZBCMTV压敏电阻性能的影响
巨锦华
《电工材料》
CAS
2012
0
下载PDF
职称材料
3
V_2O_5掺杂ZnO-Bi_2O_3-Co_2O_3-MnCO_3-TiO_2低压压敏陶瓷的微结构和电性能
巨锦华
王华
许积文
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
4
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