磁光隔离器插入损耗与隔离度关键影响因素数学分析

从定量角度出发,详细分析了磁光隔离器的插入损耗与隔离度的关键影响因素,并给出了具体的数学表达式。从数学原理证明隔离器的插入损耗主要由材料吸收和端面反射率决定,而隔离度主要取决于法拉第旋光微扰角度。法拉第旋光角微扰度与通光波长、环境温度、磁光材料的费尔德常数及厚度、以及偏置磁场强度等因素有关,给出了相关数学表达式,并证明通光波长的变化、温度波动等因素是影响器件隔离度的关键因素。

液相外延法制备的掺杂石榴石单晶薄膜

以高纯氧化物为原材料,采用液相外延法(LPE)制备直径3英寸、厚度20μm以上的掺杂钇铁石榴石(YIG)单晶薄膜,通过离子掺杂对薄膜的饱和磁化强度进行调控,范围为800~1750 G。X射线衍射分析表明薄膜仅有单一衍射峰,且半高宽值约为0.007°。磁性能测试结果表明,制备的薄膜饱和磁化强度可宽幅调控,且呈现明显的平面磁各向异性。同时对薄膜的截面及表面形貌进行观测,发现薄膜与衬底间界面清晰,薄膜表面粗糙度小于1nm,离子掺杂均匀,为后续的器件应用打下良好的基础。